一种用于半导体晶圆的激光开槽装置制造方法及图纸

技术编号:39154470 阅读:8 留言:0更新日期:2023-10-23 15:00
本实用新型专利技术公开了一种用于半导体晶圆的激光开槽装置,属于半导体器件加工技术领域,包括支架、料仓装置、上料装置、下料装置、中转装置、涂覆桶、清洗桶、加工平台和控制系统,激光器和光栅反射镜安装在支架上,发射和反射激光束,所述控制系统与激光器和光栅反射镜连接,调整激光器和光栅反射镜的位置,控制激光束的运动,调节加工参数,所述中转装置规整所述晶圆,所述涂覆桶对晶圆进行涂胶,所述清洗桶对晶圆进行清洗,存取夹爪将晶圆在料仓、中转装置、涂覆桶、清洗桶和加工平台之间移动,所述上料装置、下料装置能够升降料仓高度。上下料速度快,稳定节能;自动化程度高,可以降低人工成本。工成本。工成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶圆的激光开槽装置


[0001]本技术涉及半导体器件加工
,具体是一种用于半导体晶圆的激光开槽装置

技术介绍

[0002]半导体晶圆作为电子元器件制造和加工许多领域的基础材料之一,其形状和尺寸要求越来越高,尤其是在进行微型器件制造时。激光开槽技术在半导体器件的制造以及其他领域具有广泛的应用前景。
[0003]专利技术专利申请CN115815834A一种用于晶圆加工的激光开槽设备,公开了一种用于晶圆加工的激光开槽设备,包括壳体架、激光开槽模块、晶圆定位模块和输送带,所述壳体架截面呈矩形空心结构,壳体架内部上端安装有激光开槽模块,壳体架中部安装有晶圆定位模块,晶圆定位模块下方设置有输送带,输送带安装在壳体架内部。可以准确实现对晶圆进行定位的功能,当晶圆放置在定位槽内部时,多个定位单元同时向内推动,使得晶圆可以准确的处于定位槽正中心,进而可以针对不同尺寸的晶圆进行加工。
[0004]然而,传统的激光开槽装置存在着成本高、加工效率低、光束稳定性差等问题,需引进一种新型的激光开槽装置。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题,本技术提供一种用于半导体晶圆的激光开槽装置。
[0006]一种用于半导体晶圆的激光开槽装置,包括支架、料仓装置、上料装置、下料装置、中转装置、涂覆桶、清洗桶、加工平台和控制系统,所述加工平台是三轴高速平台,激光器和光栅反射镜安装在支架上,发射和反射激光束,所述控制系统与激光器和光栅反射镜连接,调整激光器和光栅反射镜的位置,控制激光束的运动,调节加工参数,料仓中存放有晶圆,所述中转装置规整所述晶圆,所述涂覆桶对晶圆进行涂胶,所述清洗桶对晶圆进行清洗,所述存取夹爪将晶圆在料仓、中转装置、涂覆桶、清洗桶和加工平台之间移动,所述上料装置、下料装置能够升降料仓高度。
[0007]进一步的,所述料仓内有和晶圆尺寸相对应的钢环。
[0008]进一步的,所述料仓装置包括伺服电机一,所述伺服电机一垂直安装在料仓底座上,料仓固定架、检测抽屉组装在伺服电机滑块上,根据中转装置送料高度自动升降匹配料仓送料高度。
[0009]进一步的,所述中转装置包括伺服电机二,所述伺服电机二安装在框架上,同步带轮安装在伺服电机二的轴上,同步带与同步带轮连接,导轨安装在框架上端两侧,两处规整夹块组装于导轨上连接同步带,伺服电机旋转运动控制两侧规整夹块同步打开与闭合。
[0010]进一步的,所述存取夹爪包括横向装置,所述横向装置由伺服电缸和底架及拖链组成,且横向带动上下装置和存取料装置,上下装置由存取底架、存取伺服电缸组成,伺服电缸运作带动存取装置上下工作,真空吸盘安装于存取支撑架四周,夹爪气缸下方固定夹
爪结构气缸工作开闭夹爪夹取晶圆钢环。
[0011]进一步的,所述光栅反射镜的的反射率为300nm至1200nm。
[0012]和现有技术相比,本技术具有以下优点:1.上下料速度快,稳定节能;2.自动化程度高,可以降低人工成本;3.可以另外对接统计功能的装置,便于统计产量及产品良率汇总。
附图说明
[0013]图1是本技术装置的整体示意图。
[0014]图2是料仓装置的示意图。
[0015]图3是中转装置的示意图。
[0016]图4是存取夹爪的示意图。
[0017]图5是上料装置的示意图。
[0018]其中,1、底座,2、龙门框架,3、智能控制面板,4、料仓装置,5、中转装置,6、存取夹爪,7、涂覆桶,8、清洗桶,9、上料装置,10、下料装置,11、激光器组件,12、光栅装置,13、光学加工装置,14、加工平台;
[0019]21、料仓底座,22、伺服电缸,23、料仓固定架,24、检测抽屉、25,晶圆料盒,26、晶圆钢环,27、拖链;
[0020]31、框架,32、伺服电缸,33、同步带轮,34、同步带、35,导轨,36、规整夹块,37、感应器;
[0021]41、底架,42、伺服电缸,43、拖链,44、存取底架、45,存取伺服电缸,46、存取支撑架,47、真空吸盘,48、夹爪气缸,49、夹爪结构;
[0022]51、底架,52、伺服电缸,53、拖链,54、取料电缸固定板、55,取料伺服电缸,56、取料支撑架,57、真空吸盘。
具体实施方式
[0023]下面结合附图对本技术的技术方案做进一步的解释。
[0024]如图1所示,一种用于半导体晶圆的激光开槽装置,包括支架、料仓装置4、上料装置9、下料装置10、中转装置5、涂覆桶7、清洗桶8、加工平台14和控制系统3,所述加工平台14是三轴高速平台,激光器组件11和光栅装置12反射镜安装在支架上,发射和反射激光束,所述控制系统与激光器和光栅反射镜连接,调整激光器和光栅反射镜的位置,控制激光束的运动,调节加工参数,料仓中存放有晶圆,所述中转装置5规整所述晶圆,所述涂覆桶7对晶圆进行涂胶,所述清洗桶8对晶圆进行清洗,所述存取夹爪6将晶圆在料仓装置4、中转装置5、涂覆桶7、清洗桶8和加工平台14之间移动,所述上料装置9、下料装置10能够升降料仓高度。
[0025]如图2所示,伺服电机22安装在料仓底座21上,料仓固定架23、检测抽屉24组装在伺服电机22滑块上,拖链27连接在料仓底座21和料仓固定架23上面,晶圆料盒25、晶圆钢环26通过现场工作人员放入料仓固定架23固定位置处,且伺服电缸22滑块运作带动料仓固定架23、检测抽屉24、晶圆料盒25、晶圆钢环26,拖链27,结构如下:
[0026]如图3所示,规整夹块36安装于导轨35上面,下方连接于同步带轮33两侧,伺服电
机32旋转带动同步带轮33同时能实现两侧夹块同步开闭
[0027]如图4所示,伺服电缸42和存取伺服电缸45带动装置横向和纵向运动,存取支撑架46固定在存取伺服电缸45上,真空吸盘47分布在存取支撑架46处可根据晶圆钢环大小任意调节,夹爪气缸48控制夹爪结构49。
[0028]如图5所示,伺服电机52和取料伺服电缸55负责横向和纵向工作,真空吸盘47分布取料支撑架56四周可调节距离大小及高度。
[0029]操作流程是通过智能控制面板3选择晶圆钢环尺寸,根据选择料仓装置4会自行升降高度取料高度存取夹爪6取出料仓装置4中钢环放入中转装置5中规整,存取夹爪6升降吸盘将钢环真空吸取放入涂覆桶7中涂胶,上料装置9将涂覆桶7上涂胶完待加工件晶圆钢环真空吸取放入加工平台14上通过光学加工装置13加工,加工同时料仓装置4会自动提升到下一工位高度存取夹爪6夹取出晶圆钢环放入中转装置5中规整然后真空吸取放入涂覆桶7中涂胶,光学加工装置13加工完成后下料装置10将加工件真空吸取放入清洗桶8中清洗表面,同时上料装置9将涂覆桶7上晶圆钢环真空吸取放入加工平台14上继续加工,上一工件清洗完成料仓装置4会自动回到该晶圆料仓存放高度,存取夹爪6将成品晶圆放回料仓装置4中依次循环加工直至整个料盒晶圆加工完成。本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆的激光开槽装置,其特征在于,包括支架、料仓装置、上料装置、下料装置、中转装置、涂覆桶、清洗桶、加工平台和控制系统,所述加工平台是三轴高速平台,激光器和光栅反射镜安装在支架上,发射和反射激光束,所述控制系统与激光器和光栅反射镜连接,调整激光器和光栅反射镜的位置,控制激光束的运动,调节加工参数,料仓中存放有晶圆,所述中转装置规整所述晶圆,所述涂覆桶对晶圆进行涂胶,所述清洗桶对晶圆进行清洗,存取夹爪将晶圆在料仓、中转装置、涂覆桶、清洗桶和加工平台之间移动,所述上料装置、下料装置能够升降料仓高度。2.根据权利要求1所述用于半导体晶圆的激光开槽装置,其特征在于,所述料仓内有和晶圆尺寸相对应的钢环。3.根据权利要求1所述用于半导体晶圆的激光开槽装置,其特征在于,所述料仓装置包括伺服电机一,所述伺服电机一垂直安装在料仓底座上,料仓固定架、检测抽屉组装在伺服电机滑...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈小龙邵西河
申请(专利权)人:江苏莱普激光技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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