一种用于LOW-K晶圆的片厚测量装置制造方法及图纸

技术编号:40476649 阅读:10 留言:0更新日期:2024-02-26 19:12
本技术涉及一种用于LOW‑K晶圆的片厚测量装置,包括二维平移机构、与二维平移机构相连接的控制器、在二维平移机构和控制器之间进行数据传输的通信模块以及人机交互界面,所述二维平移机构包括二维平移台、通过固定块固定非接触式位移传感器,所述非接触式位移传感器将测量的数据信息通过通信模块传递至控制器,控制器将收到的数据信息与目标数据对比并判断加工是否准确完成;所述人机交互界面与控制器之间进行数据传输。本技术基于PC控制,可广泛应用于激光加工领域,该片厚测量装置可以极大的提高晶圆测量精度,稳定性高,响应快。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种厚度测量装置,该测量装置可以应用于low-k晶圆的的片厚测量。


技术介绍

1、随着芯片集成度的不断提高,线宽越来越小,rc时延、串扰噪声和功耗等越来越成为严重的问题。low-k(低介电常数)技术在这样的背景下产生并逐渐应用到集成电路工艺中。low-k材料代替sio2能够进一步提高芯片的速度;65nm以下集成电路逐渐引入low-k材料;先进封装公司纷纷采购low-k晶圆切割设备,低k电介质绝缘薄膜的使用日益增多,low-k晶圆激光刻槽设备需求增多,以满足先进封装的需求。

2、在封装过程中,传统的机械晶圆切割技术在切割过程产生的碎片,崩边,污染,分层与剥离等不良现象无法满足下一代集成电路的生产需求。激光刻槽正在不断普及。对于所刻槽的深度测量是与激光设备相配套使用的,以加工的提高可靠性。

3、在半导体芯片测试领域,基于ethercat总线控制的测量装置广泛应用于工业生产中,并随着现代化工业的发展,发挥着越来越重要的作用,片厚测量装置是半导体激光刻槽设备的核心部件,该装置的性能直接决定了激光刻槽设备的综合性能,以往的测量装置成本高,测量效率和精度低,响应性也比较慢,因此急需研发一款性价比高的片厚测量装置应用于半导体领域。


技术实现思路

1、本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种用于low-k晶圆的片厚测量装置。

2、包括位置调节机构、与位置调节机构相连接的控制器、进行数据传输的通信模块,所述位置调节机构包括平移台,通过固定块将非接触式位移传感器固定在平移台上,平移台执行控制器的指令调整位置正对low-k晶圆中心基准位置,非接触式位移传感器测量的数据信息通过通信模块传递至控制器,控制器的通信模块再将测量数据信息传送给pc,pc将收到的数据信息与目标数据对比并判断加工是否准确完成。

3、进一步的,所述平移台能够实现x、y两个方向的位置调节,其中x方向使得非接触式位移传感器上下运动,y方向使得非接触式位移传感器前后运动。

4、进一步的,所述非触式位移传感器与通信模块之间通过ethercat总线通信进行数据传输。

5、进一步的,所述非接触式位移传感器通过发射红外激光来实现非接触测量。

6、进一步的,所述控制器中设有用以连续和循环采集数据的变址寄存器。

7、进一步的,所述控制器连接人机交互界面,所述人机交互界面与控制器之间进行数据传输。

8、非接触式位移传感器主要用于完成测量数据的采集,通信模块则负责非接触式位移传感器和控制器之间的数据传输,而控制器通过pc,主要完成数据的分析对比等等。。

9、与现有技术相比,本技术具有以下优点:

10、该测厚装置可以实现位置调整,针对晶圆可以极大的提高系统精度,避免外界干扰,降低成本,增加系统稳定性;

11、本技术通过pc控制,可以广泛应用于激光加工领域,而且操作便捷,人机交互界面美观。

12、(3)本专利技术的测量精度可达纳米级,测量精度高,响应性可达微秒级,且稳定性非常高,不容易受外界干扰,从而保证激光刻槽设备的稳定工作。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于LOW-K晶圆的片厚测量装置,其特征在于,包括位置调节机构、与位置调节机构相连接的控制器、进行数据传输的通信模块,所述位置调节机构包括平移台,通过固定块将非接触式位移传感器固定在平移台上,平移台执行控制器的指令调整位置正对LOW-K晶圆中心基准位置,非接触式位移传感器测量的数据信息通过通信模块传递至控制器,控制器的通信模块再将测量数据信息传送给PC,PC将收到的数据信息与目标数据对比并判断加工是否准确完成。

2.根据权利要求1所述的用于LOW-K晶圆的片厚测量装置,其特征在于:所述平移台能够实现X、Y两个方向的位置调节,其中X方向使得非接触式位移传感器上下运动,Y方向使得非接触式位移传感器前后运动。

3.根据权利要求1所述的用于LOW-K晶圆的片厚测量装置,其特征在于:所述非接触式位移传感器与通信模块之间通过ETHERCAT总线通信进行数据传输。

4.根据权利要求1所述的用于LOW-K晶圆的片厚测量装置,其特征在于:所述非接触式位移传感器通过发射红外激光来实现非接触测量。

5.根据权利要求1所述的用于LOW-K晶圆的片厚测量装置,其特征在于:所述控制器中设有用以连续和循环采集数据的变址寄存器。

6.根据权利要求1所述的用于LOW-K晶圆的片厚测量装置,其特征在于:所述控制器连接人机交互界面,所述人机交互界面与控制器之间进行数据传输。

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【技术特征摘要】

1.一种用于low-k晶圆的片厚测量装置,其特征在于,包括位置调节机构、与位置调节机构相连接的控制器、进行数据传输的通信模块,所述位置调节机构包括平移台,通过固定块将非接触式位移传感器固定在平移台上,平移台执行控制器的指令调整位置正对low-k晶圆中心基准位置,非接触式位移传感器测量的数据信息通过通信模块传递至控制器,控制器的通信模块再将测量数据信息传送给pc,pc将收到的数据信息与目标数据对比并判断加工是否准确完成。

2.根据权利要求1所述的用于low-k晶圆的片厚测量装置,其特征在于:所述平移台能够实现x、y两个方向的位置调节,其中x方向使得非接触式位移传感器上下运动,y方向使得非接触式位...

【专利技术属性】
技术研发人员:邵西河陈小龙张文
申请(专利权)人:江苏莱普激光技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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