含有久洛利定取代的苯并咪唑n型掺杂剂及其制备方法、应用技术

本发明专利技术涉及一种含有久洛利定取代的苯并咪唑n型掺杂剂及其制备方法、应用。该掺杂剂的分子结构如下所示：其中R1、R2、R3选自氢、取代或未取代的C1

【技术实现步骤摘要】
含有久洛利定取代的苯并咪唑n型掺杂剂及其制备方法、应用


[0001]本专利技术涉及功能材料及有机半导体器件
，具体涉及一种含有久洛利定取代的苯并咪唑n型掺杂剂及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]有机半导体器件，包括有机热电器件、有机发光二极管、有机光伏电池、有机场效应晶体管、有机激光器和有机生物传感器等，因具有质轻便携、柔性、易于以溶液方式加工进行大规模生产等优点，得到了广泛的发展与应用。但是与无机半导体材料相比，有机半导体材料因受到材料本征性质的制约，在电导率等电学性质方面的性能相对较低，限制了有机半导体器件性能的进一步提升，如何提升有机半导体材料的性能成为了当前有机半导体器件发展的痛点。
[0003]对有机半导体材料进行掺杂是一种有效调控其能级结构、电导率等电学性质的方法。掺杂后有机半导体材料中能产生额外的载流子(空穴或电子)，可以显著提升有机半导体材料中的载流子浓度和电导，并且降低了掺杂后的有机半导体层与其他界面(如金属电极层、钙钛矿层等)处的欧姆损失，使有机半导体器件的性能得到显著提升。
>[0004]在有机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含有久洛利定取代的苯并咪唑n型掺杂剂，其特征在于该掺杂剂的分子结构如下所示：其中R1、R2、R3选自氢、取代或未取代的C1
‑
C10直链烷基、取代或未取代的C3
‑
C20支链烷基中的至少一种。2.如权利要求1所述的掺杂剂，其特征在于：当R1、R2、R3选自取代直链烷基或支链烷基时，被取代基团具体为一个或者多个不相邻的亚甲基
‑
CH2‑
，取代基团选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
NH
‑
、
‑
CO
‑
、
‑
COO
‑
、
‑
COOH
‑
、
‑
OCO
‑
、
‑
OCO
‑
O
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
S
‑
CO
‑
、
‑
CO
‑
S
‑
、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
C≡C
‑
、芳基、杂芳基中的至少一种。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖生强，王维，李成龙，詹春，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：