一种基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料制造技术

本发明专利技术涉及一种基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其结构通式为其中R为烷基，苄基，取代苄基，芳基或取代芳基，X为O或S。本发明专利技术的N型光敏场效应晶体管材料具有高迁移率和强光响应性能，光敏性良好，为光敏传感器的研究及应用提供了材料基础。及应用提供了材料基础。

【技术实现步骤摘要】
一种基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料


[0001]本专利技术属于晶体管材料
，具体涉及一种基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料。

技术介绍

[0002]自上个世纪七十年代，美国物理学家Alan J.Heeger、美国化学家Alan G.MacDiarmid和日本化学家Hideki Shirakawa首次发现碘掺杂的聚乙炔具有金属特性，打破有机化合物不导电的传统观念，从此拉开有机半导体材料研究的序幕。在过去的几十年中，有机半导体材料在电子领域已经得到广泛应用，基于有机半导体材料的有机场效应晶体管(OFETs)，由于具有诸多不同于无机晶体管的特性，特别是在柔性电子器件中的潜在应用前景，使其成为目前分子材料研究的热点之一。有机半导体材料为有源层的晶体管器件，和传统无机半导体器件相比，具有成本低、可大面积加工、可与柔性基底集成等优点，在世界范围内引起广泛关注。经过二十几年的发展，有机半导体材料的研究已取得重大进展，晶体管最重要的性能指标迁移率已达到或超过非晶硅(Q
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Si：H)晶体管器件的水平，在有机电子器件领域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其结构通式如下：其中R为烷基、苄基、取代苄基、芳基或取代芳基，X为O或S。2.按照权利要求1所述的基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其中R1是碳数为1～20的烷基。3.按照权利要求1所述的基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其中R1为苯基。4.按照权利要求1所述的基于萘四酰二亚胺的N型光敏场效应晶体管材料，其中R1的结构式为其中n为5～10...

【专利技术属性】
技术研发人员：张董伟，周立国，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：