监测半导体存储设备可靠性的方法及其装置制造方法及图纸

本申请提供了一种监测半导体存储设备可靠性的方法及装置，并提供了一种监测半导体存储设备可靠性的ＳＭＡＲＴ方法。其中，半导体存储设备包括半导体存储介质，监测半导体存储设备可靠性的ＳＭＡＲＴ方法包括：执行ＳＭＡＲＴ命令，获取半导体存储介质的擦写信息；将擦写信息与预设的寿命阈值进行比较；以及根据比较的结果，确定半导体存储设备的可靠性。通过监测擦写信息，能够有效监测半导体存储设备的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及信息存储
，更具体地说，涉及半导体存储设备的可靠性监测。
技术介绍
随着计算机行业的迅速发展，存储设备(例如硬盘等)的容量不断提升，存储设备 的损坏将带来巨大的损失，因此，需要提供一种监测存储设备的可靠性以确保存储设备能 够安全、可靠地工作的方法。现有的存储设备监测技术主要是针对传统的机械式硬盘而提出的，其主要对机械 式硬盘的磁头、磁盘、马达、电路等机械部分进行监测。然而，对于目前流行的半导体存储设 备(电子式硬盘)，传统监测技术则不能有效监测半导体存储设备的可靠性。
技术实现思路
本申请旨在提供一种监测半导体存储设备尤其是半导体存储设备可靠性的方法， 能有效监测半导体存储设备的可靠性。根据本专利技术的一个方面提供了一种监测半导体存储设备可靠性的SMART方法，其 中，半导体存储设备包括半导体存储介质，该方法包括执行SMART命令，获取半导体存储 介质的擦写信息；将擦写信息与预设的寿命阈值进行比较；以及根据比较的结果，确定半 导体存储设备的可靠性。根据一种实施方式，半导体存储介质包括多个物理块，擦写信息可以包括半导体 存储介质的各个物理块的擦写次数中的最大值或平均值，并且擦写信息记录在SMART日志 中。根据另一种实施方式，寿命阈值可以包括物理块的最大可擦写次数阈值或平均可 擦写次数阈值，并且寿命阈值可以预先存储在SMART日志中。根据另一种实施方式，当对一物理块执行擦写操作后，可以更新该物理块的擦写 次数，并将更新的擦写次数写入SMART日志。根据另一种实施方式，寿命阈值可以包括至少一个级别的阈值，其中，可以根据擦 写信息与至少一个级别的阈值分别进行比较的结果，确定半导体存储设备的报警状态等 级。根据另一种实施方式，监测方法进一步包括根据半导体存储设备的报警状态等 级，通过SMART命令输出报警状态。根据本专利技术的另一个方面提供了一种监测半导体存储设备可靠性的方法，半导体 存储设备包括半导体存储介质，该方法包括获取半导体存储介质的擦写信息；将擦写信 息与预设的寿命阈值进行比较；以及根据比较的结果，确定半导体存储设备的可靠性。根据一种实施方式，寿命阈值可以包括至少一个级别的阈值，其中，根据擦写信息 与至少一个级别的阈值分别进行比较的结果，确定半导体存储设备的报警状态等级。根据另一种实施方式，半导体存储介质包括多个物理块，擦写信息可以包括半导体存储介质的各个物理块的擦写次数中的最大值或平均值，寿命阈值可以包括物理块的最大可擦写次数阈值或平均可擦写次数阈值。根据本专利技术的另一个方面提供了一种半导体存储设备，该半导体存储设备包括半 导体存储介质和控制模块，该控制模块包括获取模块，其获取半导体存储介质的擦写信 息；比较模块，其将擦写信息与预设的寿命阈值进行比较；确定模块，其根据比较的结果， 确定半导体存储设备的可靠性。由于现有的用于机械式硬盘的可靠性监测技术并不涉及物理块擦写次数的监测 和判断，因此不能根据半导体存储介质中的物理块的擦写次数提供半导体存储设备的可靠 性的监测信息。在本申请中，通过将擦写次数引入可靠性监测技术，则能有效监测半导体存 储设备的可靠性。附图说明图1示出了根据本申请的一个方面的第一实施方式的半导体存储设备的方框图；图2示出了根据本申请的一个方面的第二实施方式的半导体存储设备的方框图；图3示出了根据本申请的另一个方面的第一实施方式的监测半导体存储设备可 靠性的方法流程图；图4示出了根据本申请的另一个方面的第二实施方式的监测半导体存储设备可 靠性的方法流程图；图5示出了根据本申请的另一个方面的监测半导体存储设备可靠性的方法的第 三实施方式的流程图；图6示出了通过改进的SMART技术来实现本申请所提出的监测半导体存储设备可 靠性的方法的应用系统；图7是根据本申请的改进的SMART技术的一个实施例中的SMART日志的示意图；图8是根据本申请的改进的SMART技术的另一个实施例中的SMART日志的示意 图；图9是根据本申请的改进的SMART技术的一个实施例中的SMART状态返回命令的 示意图；以及图10是图9中的SMART状态返回结果的示意图。 具体实施例方式下面结合附图具体描述根据本申请的能够监测自身可靠性的半导体存储设备，及 其监测方法。图1示出了根据本申请的一个方面的半导体存储设备的第一实施方式，该半导体 存储设备1包括控制模块11和半导体存储介质12，半导体存储介质12可以包括一片或多 片闪存介质120。其中，每片闪存介质包括多个物理块121。我们把对某个物理块所执行的擦或写的次数称为该物理块的擦写次数，通常，物 理块的使用寿命主要由该物理块的最大可擦写次数来决定。一旦超过了最大可擦写次数， 该物理块的可靠性就会降低。本申请提供的半导体存储设备能够监测自身的半导体存储介 质12中的所有闪存介质120中的各个物理块的擦写次数，从而及时发现并报告出现了超过了最大可擦写次数(使用寿命)的物理块的情况，以便于用户及时备份数据或者更换存储装置如图1所示，根据本申请的半导体存储设备的第一实施方式的控制模块11包括获 取模块111，比较模块112，以及确定模块113。获取模块111能够获取所有闪存介质120中 的各个物理块的擦写信息。根据一个实施例，擦写信息包括各个物理块的擦写次数中的最 大值，其中，最大值是指对半导体存储介质的所有物理块的擦写次数进行比较而得到的最 大数值。根据另一个实施例，擦写信息包括各个物理块的擦写次数的平均值，其中，平均值 是指对半导体存储介质的所有物理块的擦写次数进行平均而得到的平均数值。比较模块112能够将获取的擦写信息与预先设置的寿命阈值进行比较。例如，当 擦写信息包括各个物理块的擦写次数的平均值时，预先设置的寿命阈值可以是物理块的最 大可擦写次数。可选地，当擦写信息包括各个物理块的擦写次数的平均值，预先设置的寿命 阈值可以是平均擦写阈值。其中，平均擦写阈值可以根据实际应用来设定，例如与物理块的 最大可擦写次数成比例。确定模块113通过比较的结果确定半导体存储设备是否可靠。例如，当获取的擦 写信息大于预设寿命阈值时，确定半导体存储设备处于报警状态，否则，确定半导体存储设 备处于可靠状态。可选地，根据本申请的半导体存储设备可以进一步包括提示模块(未示出)，当确 定模块113确定半导体存储介质处于警告状态后，提示模块输出警告信息以提示用户存储 介质的可靠性降低，需要进行数据备份。本领域普通技术人员可以理解，本申请中的半导体存储设备可包括固态硬盘、闪 存盘、闪存卡，例如 SmartMedia (SM卡)、Compact Flash (CF 卡)、MultiMediaCard (MMC 卡)、 Secure Digital (SD 卡)、Memory Stick (记忆棒)等。图2示出了根据本申请的一个方面的半导体存储设备的第二实施方式。如图2所 示，与如图1所示的半导体存储设备相比，根据本实施方式的半导体存储设备中的获取模 块111进一步包括记录模块1111和计算模块1112。记录模块1111可以记录每片闪存介质 中的各个物理块的擦写次数。实现上述记录各物理块擦写次数的方式，例如，可以建立擦写 次数记录表，并设置各个物理块的初始擦写次数为“0”，当对某个物理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监测半导体存储设备可靠性的ＳＭＡＲＴ方法，所述半导体存储设备包括半导体存储介质，其特征在于，所述方法包括：执行ＳＭＡＲＴ命令，获取半导体存储介质的擦写信息；将所述擦写信息与预设的寿命阈值进行比较；以及根据所述比较的结果，确定所述半导体存储设备的可靠性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢赛文，
申请(专利权)人：深圳市朗科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]