一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡制造技术

本实用新型专利技术涉及非接触智能卡领域，尤其涉及一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其包括激励天线体和微型模块；微型模块包括芯片和第一导电线圈，第一导电线圈与芯片连接；第一导电线圈与激励天线体互感；第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡


[0001]本技术涉及非接触智能卡领域，尤其涉及一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡。

技术介绍

[0002]非接触智能卡在各个领域的应用越来越普遍，其无源和感应通信的特点，使用户的使用和操作非常便利。近年来，手机无线充电技术越来越成熟，充电效率和功率不断提升，非接触智能卡和手机往往会重叠在一起，比如有用户将非接触智能卡直接放在手机背面的保护套里，也有用户误将非接触智能卡(比如汽车钥匙卡)放在汽车的手机无线充电器表面，手机再叠放在卡片之上。当上述情况启动了无线充电器工作，手机与无线充电器之间会产生强大的电场。在强大的电场作用下，夹在手机和无线充电器中间的非接触智能卡，将被手机的金属化或类金属化的后盖影响进而形成涡流。当涡流达到一定的程度，非接触智能卡的天线开始发热，直接作用于智能卡的芯片上，将芯片损坏。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是：提供一种能够减少涡流影响，保护芯片的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，包括激励天线体和微型模块；所述微型模块包括芯片和第一导电线圈，所述第一导电线圈与芯片的两端连接；所述第一导电线圈与激励天线体互感；所述第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。
[0005]进一步地，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的10
‑
100倍。
[0006]进一步地，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的30倍。
[0007]进一步地，所述激励天线体两端为开放式结构；所述激励天线体的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体的两端与绝缘层形成电容器。
[0008]进一步地，所述第一导电线圈由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈为单层平面线圈或多层立体线圈。
[0009]进一步地，所述第一导电线圈由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。
[0010]进一步地，所述激励天线体为多圈环绕结构；所述第一导电线圈设于激励天线体内圈一侧；所述第一导电线圈与激励天线体部分重叠。
[0011]进一步地，所述激励天线体包括顺向绕制的漆包线。
[0012]进一步地，所述激励天线体包括在薄膜上经过减除法或加成法制作的导电材料。
[0013]进一步地，还包括微型发光模块，所述微型发光模块包括发光二极管和第二导电线圈，所述第二导电线圈与发光二极管的两端连接；所述第二导电线圈与激励天线体互感。
[0014]本技术的有益效果在于：由激励天线体与第一导电线圈的互感，当外部阅读
器与激励天线体配合时，由激励天线体为第一导电线圈、芯片提供能量；激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。
附图说明
[0015]图1为非接触式智能卡置于手机和启动的无线充电器之间的磁力线的分布示意图；
[0016]图2为本技术的具体实施方式的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的结构示意图；
[0017]图3为本技术的具体实施方式的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的微型模块的结构示意图；
[0018]图4为本技术的具体实施方式的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的微型发光模块的结构示意图。
[0019]标号说明：
[0020]1、激励天线体；2、微型模块；21、芯片；22、第一导电线圈；3、微型发光模块；31、发光二极管；32、第二导电线圈。
具体实施方式
[0021]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0022]请参照图2至图4所示，一种防止涡流热冲击损伤芯片21的非接触智能卡，包括激励天线体1和微型模块2；所述微型模块2包括芯片21和第一导电线圈22，所述第一导电线圈22与芯片21的两端连接；所述第一导电线圈22与激励天线体1互感；所述第一导电线圈22的截面积小于激励天线体1的截面积。
[0023]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：由激励天线体1与第一导电线圈22的互感，当外部阅读器与激励天线体1配合时，由激励天线体1为第一导电线圈22、芯片21提供能量；激励天线体1和第一导电线圈22的互感设计使得芯片21、第一导电线圈22不会直接与激励天线体1连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片21，减小受涡流影响的第一导电线圈22的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈22截面积设置小于激励天线体1截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片21产生致命的损伤。
[0024]进一步地，所述激励天线体1的截面积为第一导电线圈22的截面积的10
‑
100倍。
[0025]由上述描述可知，通过将第一导电线圈22的截面积设置为远小于激励天线体1的截面积使得产生的涡流热量不足以对芯片21造成致命损伤。
[0026]进一步地，所述激励天线体1的截面积为第一导电线圈22的截面积的30倍。
[0027]由上述描述可知，上述第一导电线圈22的截面积与激励天线体1截面积的1:30设计为最佳比例。
[0028]进一步地，所述激励天线体1两端为开放式结构；所述激励天线体1的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体1的两端与绝缘层形成电容器。
[0029]由上述描述可知，由于激励天线体1两端的开放式结构设计，使得激励天线体1不能形成直流回路，由此在电场作用下无法形成涡流，进而实现对芯片21的保护。
[0030]进一步地，所述第一导电线圈22与激励天线体1之间设有绝缘层。
[0031]由上述描述可知，通过绝缘层来将第一导电线圈22和激励天线体1进行分隔，避免两者之间的导电介质接触使得两者直接连接，影响正常使用。
[0032]进一步地，所述第一导电线圈22由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈22为单层平面线圈或多层立体线圈。
[0033]由上述描述可知，可以根据智能卡的结构设计来对第一导电线圈22的样式进行调整，可选为由漆包线环绕而成的单层平面线圈或多层立体线圈。
[0034]进一步地，所述第一导电线圈22由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。
[0035]由上述描述可知，可以根据智能卡的结构设计来对第一导电线圈22的样式进行调整，可选为导电材料于薄膜上通过减除法或加成法制作而成，其中导电材料可选为单面、双面或多层，多层导电材料层间通过贯孔连接。
[0036]进一步地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，包括激励天线体和微型模块；所述微型模块包括芯片和第一导电线圈，所述第一导电线圈与芯片的两端连接；所述第一导电线圈与激励天线体互感；所述第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。2.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的10
‑
100倍。3.根据权利要求2所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的30倍。4.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体两端为开放式结构；所述激励天线体的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体的两端与绝缘层形成电容器。5.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述第一导电线圈由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈为单层平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨辉峰，林加良，陈建文，
申请(专利权)人：厦门英诺尔电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：