【技术实现步骤摘要】
一种提升P型4H
‑
SiC同质外延薄膜生长质量的方法
[0001]本专利技术属于功率器件
，具体涉及一种提升P型4H
‑
SiC同质外延薄膜生长质量的方法。
技术介绍
[0002]碳化硅作为极具潜力的第三代宽禁带半导体材料，在高功率和高频电力电子器件领域拥有较好的市场前景，其具有大的禁带宽度、高击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速率等优点是制备高端功率器件的关键材料，相对于传统的硅和砷化镓材料，碳化硅具有更好的热导率和临界击穿场强，但由于SiC材料不同堆垛层间形成能差距较小，已形成不同晶型的SiC材料，迄今为止，已报道250多种SiC单晶的同素异构体，其中较为常见的是3C、6H和4H等结构，相对于其他几种结构，4H
‑
SiC具有更高的电子迁移率和更低的开关速度，所以，4H
‑
SiC更适合功率器件的发展。
[0003]目前4H
‑
SiC外延生长主要选择偏向<11
‑
20>方向4
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提升P型4H
‑
SiC同质外延薄膜生长质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选用一种偏<11
‑
20>方向4
°
的6寸4H
‑
SiC衬底，对衬底进行标准清洗后放入托盘中；S2、通入氢气，对反应腔内的碳化硅衬底进行10～15min刻蚀；S3、升温；S4、进行Buffer层生长；S5、进行P
‑
SiC外延层生长；S6、关闭反应源和掺杂源，降温至室温进行吹扫，获得P型掺杂的碳化硅外延片。2.根据权利要求1所述的一种提升P型4H
‑
SiC同质外延薄膜生长质量的方法，其特征在于：所述S3中从温度900～920℃逐渐升高至1630～165...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩理想，刘志远，张梦龙，王小周，李京波，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。