一种在高L-Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法技术

本发明专利技术公开了一种在高L

【技术实现步骤摘要】
一种在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法


[0001]本专利技术涉及硅外延片生长
，具体涉及一种在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法。

技术介绍

[0002]硅片的外延生长工艺是半导体芯片制造过程中的一个重要工艺，该工艺是指在一定条件下，在经抛光的硅片上再生长一层具有相同晶体取向的单晶硅薄膜，即外延层，从而获得外延硅片。外延硅片因为其良好的晶体结构、更低的缺陷密度和优秀的导电性能，广泛应用于高性能半导体器件的生产制造。
[0003]为了降低串联电阻，制备节能高效的先进器件，超重掺衬底(如电阻率低于0.001ohm.cm的超重掺磷衬底)被开发用于硅外延片的生产加工，而作为衬底的硅单晶抛光片的表面质量对获得高质量外延层是至关重要的。
[0004]目前业内采用的硅单晶衬底片绝大多数是采用直拉法(Czochralski method，CZ)生长获得的。然而，单晶硅生长过程中不可避免会引入一些微量杂质，同时，由于单晶生长的特殊性，会导致原生微缺陷的产生。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将高L
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Pits硅单晶衬底置于外延炉中，升温至1200～1250℃，通入HCl气体去除硅单晶衬底近表面L
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Pits聚集物；(2)降温至800～1100℃，降温速率为15～50℃/s，继续通入HCl气体清洁硅单晶衬底表面，得到预处理衬底；(3)调节温度至外延生长工艺温度，在预处理衬底上生长外延层，制得低密度缺陷外延片。2.如权利要求1所述的在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中，HCl气体流量为0.5～1slm，处理时间为30～60s。3.如权利要求1所述的在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，其特征在于，步骤(1)中，升温速率为15～50℃/s。4.如权利要求3所述的在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，其特征在于，步骤(1)中，升温速率20℃/s，升温至1220℃；步骤(2)中，降温速率20℃/s，降温至1090℃。5.如权利要求1所述的在高L
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Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，其特征在于，在进行步骤(3)之前，升温...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慎重，马向阳，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：