一种微波介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种微波介质材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷领域。为解决现有Ba(Mg

【技术实现步骤摘要】
一种微波介质材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种微波介质材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷领域。

技术介绍

[0002]微波介质陶瓷是用于制造微波谐振器和滤波器等器件的核心材料，凭借着中高相对介电常数、较低的微波损耗、温度系数小等优点，很好地满足了微波设备小型化、高通量、高稳定性的要求，被广泛用于雷达、卫星导航、微波传输以及移动通讯等领域。近年来，随着5G通讯、物联网等的快速发展，人们对高性能微波介质陶瓷的需求越发迫切，而Ba(Mg
1/3
Ta
2/3
)O3介质陶瓷性能十分优异，是目前卫星通讯等高频领域所用的主要介质材料。
[0003]但是该材料存在烧结温度较高(1650℃)、高温下组分挥发易产生第二相(造成性能下降)、烧结制度复杂(为提高Q
·
f值需长时间保温退火)等问题，限制了高性能Ba(Mg
1/3
Ta
2/3
)O3(BMT)陶瓷的快速生产制备。BMT的制备也一般存在两种常用方法，第一种是一步法，直接将氧化物原料混合煅烧合成BMT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波介质材料的制备方法，其特征在于，包括：（1）按化学组成Ba(Mg
1/3
Ta
2/3
)O3+x mol%PbTiO3，称量PbTiO3粉体、Ba源、Mg源和Ta源并混合，得到混合粉体，其中0＜x≤1.0；（2）将所得混合粉体在1150～1300℃下煅烧，得到煅烧粉体；（3）将所得煅烧粉体制成坯体后，在1600～1700℃下烧结2～6小时，得到所述微波介质材料；所述微波介质材料的Q
·
f值为130000～137000GHz；所述微波介质材料的相对介电常数为24.83～25.13；所述微波介质材料的抗弯强度为130.6 MPa～149.8MPa；所述微波介质材料的导热系数为4.803 W
·
m
‑1·
K
‑1～5.023 W
·
m
‑1·
K
‑1。2.根据权利要求1所述的微波介质材料的制备方法，其特征在于，当0＜x≤0.5，所述烧结的温度为1650℃～1700℃；当0.5＜x≤0.8，所述烧结的温度为1600～1700℃；当0.8＜x≤1.0，所述烧结的温度为1600～1650℃。3.根据权利要求1所述的微波介质材料的制备方法，其特征在于，所述Ba源为BaCO3粉体；所述Mg源为MgO粉体...

【专利技术属性】
技术研发人员：林慧兴，杨俊杰，姜少虎，赵相毓，姚晓刚，彭海益，任海深，谢天翼，何飞，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：