一种金属氧化物靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种金属氧化物靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将金属氧化物、溶剂和粘结剂进行混合，得到混合料，将所述混合料进行压坯，得到生坯；将所述生胚进行加热脱脂，得到脱脂后坯；将所述脱脂后坯进行装模和真空热压烧结，得到所述金属氧化物靶材；其中，所述真空热压烧结包括依次进行的抽真空、一次升温、二次升温和三次升温，所述一次升温至第一温度时开始加压；所述制备方法通过步骤的相互配合，制备得到了致密度≥97％的高纯氧化物靶材，并且靶材不仅微观均匀致密，均匀无气孔，同时溅射性能优良。同时溅射性能优良。

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物靶材及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于溅射靶材
，涉及一种金属氧化物靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]目前市场对异形靶材的需求量大幅增长，目前现有技术中无法稳定生产高纯氧化钨环靶，且生产出的样品密度低，微观不均匀，成材率低，无法满足高端电子行业对于靶材质量的要求，仅仅部分用于低端产品中，因此，需要研发高密度、微观均匀、靶坯成材率高以及成本低的靶材。
[0003]CN 106977202A公开了一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺，其制备步骤包括：1)压块：将氧化钨原料粉体以模压机或冷等静压机压制成板状块体；2)煅烧：将步骤1)中制得块体置于氧气氛炉中进行煅烧处理；3)破碎：对步骤2)中经煅烧后的块体进行破碎处理，且破碎后的粉料过50
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200目筛；4)造粒压坯：向步骤3)中经破碎处理后的粉料中加入成型剂，混合均匀后放入模具中利用模压机压制得到素坯；5)烧结：将步骤4)中得到的素坯放入氧气氛烧结炉中进行烧结处理得到所述的氧化钨靶材；但是其制备的氧化钨靶材的相对密度较低，仅在50本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将金属氧化物、溶剂和粘结剂进行混合，得到混合料，将所述混合料进行压坯，得到生坯；(2)将步骤(1)所述生胚进行加热脱脂，得到脱脂后坯；(3)将步骤(2)所述脱脂后坯进行装模和真空热压烧结，得到所述金属氧化物靶材；其中，步骤(3)所述真空热压烧结包括依次进行的抽真空、一次升温、二次升温和三次升温，所述一次升温至第一温度时开始加压。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加压的速率为0.1
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0.25MPa/min；优选地，所述加压至压力为20
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30MPa时结束加压，加压结束后进行保压。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述一次升温的升温速率大于二次升温的升温速率，且所述二次升温的升温速率大于三次升温的升温速率；优选地，所述抽真空至真空度在50Pa以下；优选地，所述一次升温的升温速率为3
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7℃/min；优选地，所述第一温度为600
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800℃，保持所述第一温度的时间为1
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3h。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述二次升温的升温速率为2
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5℃/min；优选地，所述二次升温至第二温度，所述第二温度为900
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1000℃，保持所述第二温度的时间为0.5
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2h；优选地，所述三次升温的升温速率为0.5
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2℃/min；优选地，所述三次升温至第三温度，所述第三温度为1100
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1200℃，保持所述第三温度的时间为5
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8h；优选地，所述第三温度保温结束后，进行泄压，随炉冷却至温度＜100℃。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述装模前先对脱脂后坯进行加工，所述加工采用非油性切削液进行加工；优选地，步骤(3)所述装模的模具与脱脂后坯之间由耐高温玻璃棉和/或石墨纸隔开。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述加热脱脂的温度为200
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400℃，时间为12h以上；优选地，步骤(2)所述加热脱脂在流通的空气气氛下进行；优选地，步骤(1)所述压坯包括将步骤(1)所述混合料装入模具中进行冷等静压；优选地，所述冷等静压使用的模具为环形模具；优选地，所述冷等静压的压力为150
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280MPa，时间为5
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15min。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，杨慧珍，廖培君，周友平，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：