一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片技术

本发明专利技术属于半导体晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片；于第二工作面（120），即与工件（600）核心图形所在第一工作面（110）相背对之另一面制备平衡层，亦即第三补偿层（300），来抵消、削弱工件（600）失衡的应力分布SD（Stress Distribution），确保工件（600）满足相关设备对翘曲度的限制，提升有效工作时间；其中，可结合工件（600）结构、材料特征，通过实验测量或仿真获取其第三补偿层（300）的第七厚度值（777），并可通过背面模板沉积机台制备其平衡层；其实施例还公开了平衡层可选的介质材料和优化方案，为缓解工件（600）马鞍形翘曲提供了有效的解决方案，适用于功率器件或电源（POWER）产品制备。于功率器件或电源（POWER）产品制备。于功率器件或电源（POWER）产品制备。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片


[0001]本专利技术属于半导体晶圆加工
，尤其涉及一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片。

技术介绍

[0002]如图1所示，晶圆001的马鞍形翘曲011可能导致机台无法正常过货；常见的机台，例如Litho、Harp机台，当线内Inline流片或经过热制程处理/干预后，均存在相应的不利倾向；进一步地，则可能导致相关设备，特别是湿法机台，只能单批次（Batch）过货，影响其出货指标TRout（ThRoughout）的达成。
[0003] 如图2所示的Power SGT产品数据，当工作在PreNPlusPH站点666，即CS（Current Stage）状态时，其相关晶圆606的翘曲水平W（Warpage）已经超过了该机台能够承受的过货极限指，进而可能导致产线停摆。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例公开了一种晶圆形变预防方法，包括第一工作面确认步骤、第二工作面沉积步骤；其中，第一工作面确认步骤中的第一工作面用于沉积和/或容纳工件预设的各功能层，该功能层用于实现工件预设的图形和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆形变预防方法，其特征在于包括：第一工作面确认步骤（100）、第二工作面沉积步骤（200）；其中，所述第一工作面确认步骤（100）中的第一工作面（110）用于沉积和/或容纳工件（600）预设的各功能层（123），所述功能层（123）用于实现所述工件（600）预设的图形和/或线路结构；所述第二工作面沉积步骤（200）中的第二工作面（120）为所述工件（600）所在晶圆上与所述第一工作面（110）相背对的另一面；确认沉积预设厚度的第三补偿层（300）于所述第二工作面（120）之上，并进入后续的制程工艺步骤。2.如权利要求1所述的晶圆形变预防方法，其中：所述工件（600）处于流片制程，用于为预设的芯片图样和/或芯片（800）进行测试或为量产所述芯片（800）反馈/优化工艺参数。3.如权利要求1或2所述的晶圆形变预防方法，其中：所述第三补偿层（300）采用沉积方法获得，所述第三补偿层（300）的材料包括氧化硅、氮化硅至少之一。4.如权利要求1或2所述的晶圆形变预防方法，其中：所述第三补偿层（300）采用应力参数高于预设第四阈值的材料。5.如权利要求3所述的晶圆形变预防方法，其中：所述工件（600）用于制造功率器件、电源器件或POWER产品/芯片（800）。6.如权利要求1、2或5中任一项所述的晶圆形变预防方法，其中：所述第三补偿层（300）由背面模板沉积机台制备。7.如权利要求6所述的晶圆形变预防方法，其中：根据所述工件（600）不加入所述第三补偿层（300）时的翘曲度确定所述第三补偿层（300）沉积的第七厚度值（777）；所述翘曲度由预设的测试工件经由工艺测试/仿真步骤获得。8.如权利要求7所述的晶圆形变预防方法，其中，所述第七厚度值（777）调整范围介于500
Å
到50K
Å
之间。9.一种膜结构，包括第一工作面（110）和第二工作面（120）；其中，所述第一工作面（110）用于沉积和/或容纳工件（600）预设的各功能层（123），所述功能层（123）用于实现所述工件（600）的预设的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：张蕾，金立培，陈思彤，齐笑，潘嘉，杨继业，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：