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本发明属于半导体晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片；于第二工作面（120），即与工件（600）核心图形所在第一工作面（110）相背对之另一面制备平衡层，亦即第三补偿层（300），来抵消、削弱工件（600）失衡的应力...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明属于半导体晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆形变预防方法、膜结构及芯片；于第二工作面（120），即与工件（600）核心图形所在第一工作面（110）相背对之另一面制备平衡层，亦即第三补偿层（300），来抵消、削弱工件（600）失衡的应力...