一种堆叠式功率器件及封装方法技术

本发明专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种堆叠式功率器件及封装方法，将焊盘呈轴对称分布的两个完全相同的芯片进行正面的面对面垂向叠合，利用铜片将焊盘引导至引脚框架上进行电性连接，本发明专利技术相比于现有技术，利用了焊盘轴对称的图形特性，采用堆叠式的封装方式，把芯片进行正面的垂向叠合，在前一层芯片封装的基础上进行下一层芯片的堆叠封装，在空间上节约了尺寸，有利于芯片产品的小型化，具有显著的有益效果。具有显著的有益效果。具有显著的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠式功率器件及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种堆叠式功率器件及封装方法。

技术介绍

[0002]功率器件的焊盘分布区在水平面上总是呈现轴对称的分布，芯片正面叠合后可保持焊盘的重合，因此在封装上可以采取堆叠式封装；目前，现有技术依然采用单芯封装的形式，即对于每一个芯片进行单独封装，从尺寸上占用面积较多，不利于产品的小型化。
[0003]因此，现有技术仍需要改进。

技术实现思路

[0004]本方案采用堆叠式的封装方式，把芯片进行正面的垂向叠合，在前一层芯片封装的基础上进行下一层芯片的堆叠封装，在空间上节约了尺寸，有利于芯片产品的小型化。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：本专利技术提供一种堆叠式功率器件的封装方法，包括下列步骤：提供结构相同的第一芯片和第二芯片，其第一面设有栅极焊盘和源极焊盘，其第二面设有漏极焊盘；提供一引脚框架，引脚框架包括栅极框架、源极框架及漏极框架；将第一芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接；将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接；将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接；将第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架以及第一芯片第一面上的源极焊盘分别电性连接；将第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架以及第一芯片第一面上的栅极焊盘分别电性连接；将第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接。
[0006]进一步的，将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架之间连接栅极铜片。
[0007]进一步的，将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架之间连接源极铜片。
[0008]进一步的，将第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架以及第一芯片第一面上的栅极焊盘分别电性连接，包括：所述第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极铜片电性连接。
[0009]进一步的，将第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架以及第一芯片第一面上的源极焊盘分别电性连接，包括：所述第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极铜片电
性连接。
[0010]进一步的，将第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接，包括：在第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架之间连接漏极铜片。
[0011]本专利技术还提供一种堆叠式功率器件，其系采用上述的封装方法制作而成。
附图说明
[0012]图1是本专利技术提供的芯片的第一面的焊盘布局示意图；图2是本专利技术提供的芯片的第二面的焊盘布局示意图；图3是单芯封装的俯视结构示意图；图4是单芯封装的侧视结构示意图；图5是本专利技术提供的堆叠封装的侧视结构示意图；图6是本专利技术提供的堆叠封装的俯视结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0014]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0015]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0016]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0017]本专利技术提供一种堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，包括下列步骤：提供结构相同的两个芯片1，如图1所示，其第一面设有栅极焊盘2和源极焊盘3，如图2所示，其第二面设有漏极焊盘4，在本实施例中，其第二面为金属，其整面均可视作漏极焊盘4；如图3所示，提供一引脚框架，引脚框架包括栅极框架12、源极框架13及漏极框架14；将第一芯片第二面上的漏极焊盘4与所述漏极框架14电性连接；
将第一芯片第一面上的栅极焊盘2与所述栅极框架12电性连接；将第一芯片第一面上的源极焊盘3与所述源极框架13电性连接；将第二芯片第一面上的源极焊盘3与所述源极框架13以及第一芯片第一面上的源极焊盘3分别电性连接；将第二芯片第一面上的栅极焊盘2与所述栅极框架12以及第一芯片第一面上的栅极焊盘2分别电性连接；将第二芯片第二面上的漏极焊盘4与所述漏极框架14电性连接。
[0018]如图3所示，在本实施例中，将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接，采用如下手段：在第一芯片第一面上的栅极焊盘2与所述栅极框架12之间连接铜片5，以完成电性连接；将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接，采用如下手段：在第一芯片第一面上的源极焊盘3与所述源极框架13之间连接铜片5，以完成电性连接。
[0019]如图5及图6所示，在本实施例中提供的堆叠方式具体为：在图3示出的单芯封装结构的的基础上，将与第一芯片完全相同的第二芯片，以面对面的方式贴合在第一芯片上，即：第二芯片的栅极焊盘2与第一芯片的栅极焊盘2位置对应，并且均与该位置处的铜片5电性连接，第二芯片的源极焊盘3与第一芯片的源极焊盘3位置对应，并且均与该位置处的铜片5电性连接。
[0020]如图6所示，将第二芯片第二面上的漏极焊盘4与所述漏极框架14电性连接，包括：在第二芯片第二面上的漏极焊盘4与所述漏极框架14之间连接铜片5。
[0021]采用如上的方法，即可制作得到堆叠式的功率器件，其结构如图5、图6所示，相比于现有的单芯封装技术，本专利技术利用了功率器件芯片的焊盘区域的轴对称性（栅极焊盘、源极焊盘、漏极焊盘中均在水平方向上关于芯片的一个轴呈轴对称分布），因此叠合后其焊盘位置依然能够保持重合，从而能够把芯片进行正面的垂向叠合，在前一层芯片封装的基础上进行下一层芯片的堆叠封装，在空间上节约了尺寸，有利于芯片产品的小型化。
[0022]注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，包括下列步骤：提供结构相同的第一芯片和第二芯片，其第一面设有栅极焊盘和源极焊盘，其第二面设有漏极焊盘；提供一引脚框架，引脚框架包括栅极框架、源极框架及漏极框架；将第一芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接；将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接；将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接；将第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架以及第一芯片第一面上的源极焊盘分别电性连接；将第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架以及第一芯片第一面上的栅极焊盘分别电性连接；将第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接。2.根据权利要求1所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架之间连接栅极铜片。3.根据权利要求1所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：高学，柴展，罗杰馨，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：