一种聚合物刷及其制备方法和在有机薄膜晶体管中的应用技术

本发明专利技术属于有机薄膜晶体管领域，具体公开了一种聚合物刷及其制备方法和在有机薄膜晶体管中的应用。所述聚合物刷的制备方法为：对带有栅介质层的衬底进行羟基化处理，然后置于7

【技术实现步骤摘要】
一种聚合物刷及其制备方法和在有机薄膜晶体管中的应用


[0001]本专利技术属于有机薄膜晶体管领域，具体涉及一种聚合物刷及其制备方法和在有机薄膜晶体管中的应用。

技术介绍

[0002]有机薄膜晶体管是一种压控有机电子器件，通过调控栅极电压的大小，控制源漏极之间沟道的开启关闭，从而实现源漏极之间电流的控制。传统的有机薄膜晶体管一般使用底栅顶接触结构，即直接在绝缘层（作为栅极电介质）表面生长有机半导体（OSC）薄膜，OSC薄膜作为源极和漏极之间的沟道，再使用热蒸镀等方法制备源漏极。SiO2绝缘层将沟道与栅极分开，栅极的电压调制电荷载流子密度，在绝缘层（作为栅极电介质）/高掺杂p硅晶圆（作为栅极）上图案化的测试器件通常用于表征OSC中的电荷传输。有机薄膜晶体管（OTFT）是低维器件，其中电荷载流子积聚在距离栅极电介质几纳米（即相当于1
‑
3个分子层）内的通道中。载流子迁移率和阈值电压对栅极电介质的表面化学性质极其敏感。
[0003]栅极电介质中带电（pH依赖性）和氧化还原反应位点的存在会影响电荷载流子的密度，进而影响器件性能。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种聚合物刷的制备方法，其特征在于，对带有栅介质层的衬底进行羟基化处理，然后置于7
‑
辛烯基三甲氧基硅烷溶液中加热，得到修饰后的栅介质层；将所述修饰后的栅介质层置于聚苯乙烯硫醇封端溶液中，光照30～60 min，即在栅介质层上形成了聚合物刷。2.根据权利要求1所述的聚合物刷的制备方法，其特征在于，所述聚苯乙烯硫醇封端的分子量为5000～10000。3.一种由权利要求1或2所述制备方法得到的聚合物刷。4.权利要求1或2所述制备方法得到的聚合物刷或者权利要求3所述的聚合物刷在有机薄膜晶体管中的应用。5.一种有机薄膜晶体管，从下到上依次包括：衬底、栅电极、栅介质层、聚合物刷和源
‑
漏电极层，其特征在于，所述聚合物刷为权利要求3所述的聚合物刷。6.权利要求5所述有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将带有栅介质层的衬底先进行羟基化处理，再浸泡在7
‑
辛烯基三甲氧基硅烷溶液中加热，得到修饰后的栅介质层；（2）将所述修饰后的栅介质层浸泡在聚苯乙烯硫醇封端溶液中，光照3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭影，崔铭宇，贾晗钰，孙晴晴，房磊，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：