本发明专利技术以低成本提供了一种用于抑制涌流的出现的设置有电源电路的装置，该装置包括：电源电路，其生成用于驱动所述负载的电压；电容器，其与用于从所述电源电路向所述负载供给电力的供给线路相连接，所述电容器用于稳定所述负载的电位；充电／放电电路，其将比所述预定量小的量的电力供给至所述电容器，并从所述电容器释放所述比所述预定量小的量的电力；充电电路，其将比所述预定量大的量的电力供给至所述电容器；以及开关电路，其使所述充电／放电电路和所述充电电路各自工作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括电源电路的装置。
技术介绍
记录装置将通过使用设置在记录头中的电热转换部件将电 能转换为热能，并且通过使用热能将墨喷出到纸张的表面上。日本特开2003-145892公开了 一种用于在维持稳定电压值的同 时向电热转换部件供电的电容器(例如，电解电容器)。用于向 记录头供电的电源电路包括半导体开关(诸如场效应晶体管 (FET)),并且在必要时接通和/或关断半导体开关。电源电路包 括放电电路，以在记录装置不进行记录操作时将累积在电容器 中的电荷释放到地。然而，当在启动记录装置之时和/或在记录装置启动记录操 作之前从电源向记录装置供电时，出现具有大电流值的涌流 (inrush current)。这是因为由于在电容器中累积了小量电荷， 导致在电容器和电源的之间存在大的电位差。然而，当提供了 用于减小电流值的电路时，增大了电源电路的大小和成本。
技术实现思路
因此，本专利技术提供用于以低成本来减少出现具有大电流值 的涌流的记录装置。根据本专利技术的一方面，提供一种装置，其被配置为具有施 加至所述装置的负载，其中所述负载每单位时间消耗预定量的 电力，所述装置包括电源电路，其生成用于驱动所述负载的 电压；电容器，其与用于从所述电源电路向所述负载供给电力的供给线路相连接，所述电容器用于稳定所述负载的电位；充 电/放电电路，其将比所述预定量小的量的电力供给至所述电容 器，并从所述电容器释放所述比所述预定量小的量的电力；充 电电路，其将比所述预定量大的量的电力供给至所述电容器； 以及开关电路，其4吏所述充电/放电电3各和所述充电电3各各自工 作。根据下面参考附图对示例性实施例的说明，本专利技术的其它 特征及方面将变得清楚。附图说明图l是根据本专利技术的第 一 实施例的电源电路的示意图。图2是根据第 一 实施例的时序图。图3是根据本专利技术第二实施例的电源电路的示意图。图4是根据第二实施例的时序图。图5是根据本专利技术的实施例的记录设备的透视图。图6是根据本专利技术的实施例的记录系统的控制结构的示意图。具体实施例方式在下文中，将参考附图详细说明本专利技术的实施例。在下面 的实施例中，将记录头作为负载的示例来进行说明，并且将记 录装置作为装置的示例来进行说明。图l示出根据本专利技术的第一实施例的电源电路(电源装置) 100。电源电^各100包括记录头H1，用于喷出墨滴；电容器Cl, 设置在记录头H1附近，以使记录头H1的电位稳定；场效应晶体 管(FET)Q1;电阻器R1和R2，用于向FET Ql施加驱动电压；以 及开关SWl,用于基于信号Hon来接通和/或关断FET Ql。如图1所示，晶体管Q3和Q4的基极彼此连接，以提供电流 镜电路(current mirror circuit)。电阻器R6连接至两个晶体管Q3 和Q4中的一个，以确定电流镜电路的基准电流。当接通/关断晶体管Q2时，在工作状态和停止状态之间切换 电流镜电路。晶体管Q2连接在电阻器R6和晶体管Q3之间。电 阻器R6用于确定流至晶体管Q4的电流的值。二极管D1连接在 两个晶体管中的另 一 个即晶体管Q4的集电极端(collector terminal)、电阻器R6与晶体管Q2之间。上述二极管D1用于进行 限流，以使得没有电流从晶体管Q 3流至记录头H1和电容器C1 。电阻器R3和R4以及开关SW2均用于接通/关断晶体管Q2。 电阻器R3和R4、开关SW2以及晶体管Q2包括在用于在工作状态 和停止状态之间来回切换电流镜电3各的切换电^各中。发送信号PreCHG,以4妄通/关断电流4竟电^各的工作。发送 信号Hon，以接通/关断FET。发送信号Ht，以*接通/关断记录头 Hl的驱动。上述电流镜电路和FET均用于发送在电源电路中生成的电 压VH。此外，将电流镜电路和FET连接至记录头和/或电容器。 因此，电流4竟电^各和FET与用于/人电源电^各向i己录头供电的电 源线路并联。图2是示出图l所示电路的工作的时序图。根据图2，记录装 置的电源处于接通状态。首先，当在时间tl使信号PreCHG进入使能(enable)状态(高 电平状态)时，开关SW2进入接通状态，并且晶体管Q2由于由电 阻器R3和R4所确定的基才及电流而进入々包和驱动状态。确定电阻 器R3和R4的电阻值，以使得该基极电流足以使晶体管Q2转移至 饱和范围。由于晶体管Q2转移至了饱和范围，晶体管Q3进入激活状态。基于从电源供应的电压V H减去晶体管Q 3的基极发射极间 (base-to-emitter)电压Vbe所获得的电压和基于电阻器R6的电阻 值所确定的电流的j直，电流Io经过。与上述电流I。相等的电流^ 从晶体管Q4流至电容器C1和记录头H1。因此，电容器C1的电 压Vc逐渐增大。由于以恒定电流对电容器C1进行充电，因而电 压Vc的增大也为常量。当电压V c在时间12达到电位V1 (比电压V H低晶体管Q 4的 电压Vbe的电压)时，电流L的电流量突然减小。这是因为晶体 管Q4的发射极电位和集电极电位(在图1中所示的点A处获得的 电位)之间的差减小了 。当在时间t3使信号Hon进入使能状态(高电平状态)，以通过 使用记录头H1来进行记录操作时，FET Ql进入接通状态(饱和 驱动状态)。当FET Ql进入接通状态时，由于电源和电容器的 电位之间的电^f立差(Vbe)而生成了电流12。由于电流12,电压Vc 从电位V1增大至电源电压VH。因此，电压VH电平上的电荷能 够累积在电容器C1中。此外，由于电容器C1充满了电荷(电源和电容器的电位之间 的差减小了 )，电流12的值在相当短的时期内变为0。然后，当信号H o n的状态在时间14从使能状态(高电平状态) 变为失效(disable)状态(低电平状态)时，电位Vc的值降低到电位 Vl的值。上述电位V1对应于晶体管Q2的集电极的电位与二极 管Dl的电压Vf之和。在这种情况下，累积在电容器C1的电荷经 由二极管D1和电阻器R6释放到地，从而使得电位降低到电位 VI。然后，信号PreCHG的状态在时间t5从使能状态变为失效状 态，并且开关SW2关断。因此，晶体管Q2关断，并且晶体管Q3 和/或晶体管Q4的工作停止。因此，开始经由二极管D1和电阻器R6从电容器C1释放电荷。电流13与电荷的释放相对应。此外， 由于电容器C1中剩下与二极管D1的电位差V f相对应的电荷。因 此，电位Vc变为电位V2。在此，通过控制单元来控制信号 PreCHG和/或信号Hon的状态。因此，控制信号PreCHG,从而可以对电容器Cl进行预充 电处理和放电处理。电阻器R6具有两个角色(功能)，包括对所 生成的用以使电容器Cl充电的电流进行限制的功能以及对所 生成的用以从电容器C1释放电荷的电流进行限制的功能。图3是根据本专利技术第二实施例的电源电路(电源装置)100的 图。通过相同的附图标记来表示用于执行与由图l中所示的组件 所执行的操作相同的操作的组件。此外，省略了对与图l所示的 相同的那些组件或电路部分的说明。将说明与图l所示的不同的 那些组件。晶体管Q5和Q6的发射极彼此连接，从而提供推挽j (push-pull)电路。开关SW2接通/关断推挽电路。电阻器R7将经 过推挽电路的电流耗散(dissip本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种装置，其被配置为具有施加至所述装置的负载，其中所述负载每单位时间消耗预定量的电力，所述装置包括： 电源电路，其生成用于驱动所述负载的电压； 电容器，其与用于从所述电源电路向所述负载供给电力的供给线路相连接，所述电容器用于稳定 所述负载的电位； 充电／放电电路，其将比所述预定量小的量的电力供给至所述电容器，并从所述电容器释放所述比所述预定量小的量的电力； 充电电路，其将比所述预定量大的量的电力供给至所述电容器；以及 开关电路，其使所述充电／放电电 路和所述充电电路各自工作。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边昌彦，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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