一种拼接式闪烁屏及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种拼接式闪烁屏及其制备方法，制备方法包括：提供多个镀膜基板；用悬挂镀膜法在每个镀膜基板上设置闪烁体膜层；切割镀膜基板拼接侧图像区以外的预设切割部分，使闪烁体膜层侧面与下方镀膜基板拼接侧齐平；镀膜基板沿切割后的拼接侧进行拼接；拼接后镀膜基板与预设尺寸的基底耦合；于闪烁体膜层上设置第一膜层，用于防止闪烁体膜层潮解。本发明专利技术通过将镀膜基板拼接侧非图像区的部分切割，避免拼接侧两侧的闪烁体膜层断层过大；同时通过将镀膜基板设置在一大尺寸基底上，降低制备成本，避免搬运过程中闪烁屏受损；另外，通过设置防水薄膜避免闪烁体拼接时潮解；最后，设置第一膜层，提高反射率和器件可靠性。提高反射率和器件可靠性。提高反射率和器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种拼接式闪烁屏及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造
，特别是涉及一种拼接式闪烁屏及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前，随着医疗市场的扩大，探测器的应用领域也越来越广泛，其尺寸需求也随之多样化。但是尺寸越大，相应基板设计和镀膜设备的成本就越高昂，甚至部分基板都无法达到客户需要的尺寸，如CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)中的晶圆(常见晶圆尺寸仅为6～12英寸，无法满足CMOS需要的晶圆尺寸)。因此，通过拼接制备大尺寸探测器是一种有效手段。
[0003]但是，对于涉及由多个TFT(ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管)、PD(PhotoDiode，光电二极管)或CMOS拼接而成的基板镀膜方案，其拼接缝是制约镀膜成功的主要因素。若拼接缝过大，会使得图像会出现明显的断层，导致医师误判；若拼接缝小于像素尺寸，而闪烁体较厚，则拼接缝两侧的闪烁体将会粘结在一起，甚至在闪烁体成膜过程中，因为基板的热胀冷缩而发生龟裂。
[0004]因此，多个镀膜后的基板进行拼接是目前的最优方案，它不会出现上述拼接缝等问题。但是现有技术中，闪烁体镀膜常采用的方法为悬挂镀膜法，即将产品镀膜面朝下放置于悬挂装夹，四边均有支撑，那么镀膜后基板四边因为遮挡而无法沉积闪烁体。因此，通过此方案拼接成的闪烁屏，其拼接缝两侧闪烁体之间的距离会非常大，图像断层非常严重。所以如何使得拼接处两侧闪烁体之间间隙足够小是非常重要的。
>[0005]另外，拼接涉及对位、耦合等过程，需要耗费的时间较长，而部分闪烁体(如碘化铯)是吸湿性材料，会在短时间内吸收空气中的水分而潮解；同时拼接后大尺寸闪烁屏在搬运时，拼接缝处容易弯曲导致闪烁屏受损，这也是大尺寸闪烁屏制备中不可忽视的问题。
[0006]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的，不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0007]鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种拼接式闪烁屏及其制备方法，用于解决现有技术中拼接式闪烁屏闪烁体距离大、易受损的问题。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供一种拼接式闪烁屏的制备方法，所述制备方法包括：
[0009]提供多个镀膜基板，每个所述镀膜基板上设置有图像区，所述图像区为用于采集图像的电路，每个所述镀膜基板设置有拼接侧，所述拼接侧为拼接所述镀膜基板时相邻的两个所述镀膜基板之间接触的侧面；
[0010]用悬挂镀膜法在每个所述镀膜基板上设置闪烁体膜层；
[0011]切割每个所述镀膜基板的所述拼接侧除所述图像区以外的预设切割部分及所述
预设切割部分上方对应的所述闪烁体膜层，使每个镀膜基板上的所述闪烁体膜层的侧面与下方对应的所述镀膜基板的所述拼接侧齐平；
[0012]将多个所述镀膜基板沿被切割后的所述拼接侧进行拼接；
[0013]拼接后的所述镀膜基板远离所述闪烁体膜层的一面与一预设尺寸的基底进行耦合；
[0014]于所述闪烁体膜层上设置第一膜层，所述第一膜层用于防止所述闪烁体膜层发生潮解。
[0015]可选地，所述闪烁体膜层的材料为碘化铯。
[0016]可选地，所述闪烁体膜层中掺杂铊离子。
[0017]可选地，在设置所述第一膜层前，所述镀膜基板与所述基底耦合；或在设置所述第一膜层后，所述镀膜基板与所述基底耦合。
[0018]可选地，所述基底为碳板、金属板或玻璃板中的一种。
[0019]可选地，设置所述第一膜层前，于拼接前的所述镀膜基板上的所述闪烁体膜层上设置防水薄膜，所述第一膜层设置在所述防水薄膜上。
[0020]可选地，所述防水薄膜的厚度为1微米
‑
50微米。
[0021]可选地，所述第一膜层还用于提高所述拼接式闪烁屏的反射率。
[0022]可选地，所述第一膜层为金属复合胶膜。
[0023]本专利技术还提供一种拼接式闪烁屏，所述拼接式闪烁屏采用上述任意一种拼接式闪烁屏的制备方法得到，
[0024]如上，本专利技术的拼接式闪烁屏及其制备方法，具有以下有益效果：
[0025]本专利技术通过将将镀膜基板拼接侧非图像区的部分切割，避免拼接侧两侧的闪烁体膜层断层过大；
[0026]本专利技术通过将镀膜基板设置在一大尺寸基底上，降低制备成本，避免搬运过程中闪烁屏受损；
[0027]本专利技术通过设置防水薄膜避免闪烁体拼接时潮解；
[0028]本专利技术设置第一膜层，提高反射率和器件可靠性。
附图说明
[0029]图1显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤1中提供镀膜基板所呈现的正视图结构示意图。
[0030]图2显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤1中提供镀膜基板所呈现的俯视图结构示意图。
[0031]图3显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤2中设置闪烁体膜层所呈现的正视图结构示意图。
[0032]图4显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤2中设置闪烁体膜层所呈现的俯视图结构示意图。
[0033]图5显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤3中切割预设切割部分所呈现的正视图结构示意图。
[0034]图6显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤3中切割预设切割
部分所呈现的俯视图结构示意图。
[0035]图7显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤5中基底耦合所呈现的正视图结构示意图。
[0036]图8显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤5中基底耦合所呈现的俯视图结构示意图。
[0037]图9显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤6中设置第一膜层所呈现的正视图结构示意图。
[0038]图10显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤6中设置第一膜层所呈现的俯视图结构示意图。
[0039]图11显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤6可选示例中设置防水薄膜所呈现的正视图结构示意图。
[0040]图12显示为本专利技术实施例一中拼接式闪烁屏的制备方法的步骤6可选示例中设置防水薄膜所呈现的俯视图结构示意图。
[0041]元件标号说明
[0042]1、镀膜基板；11、预设切割部分；12、切割线；13、覆晶薄膜；2、闪烁体膜层；3、防水薄膜；4、基底；41、耦合层；5、第一膜层。
具体实施方式
[0043]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拼接式闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供多个镀膜基板，每个所述镀膜基板上设置有图像区，所述图像区为用于采集图像的电路，每个所述镀膜基板设置有拼接侧，所述拼接侧为拼接所述镀膜基板时相邻的两个所述镀膜基板之间接触的侧面；用悬挂镀膜法在每个所述镀膜基板上设置闪烁体膜层；切割每个所述镀膜基板的所述拼接侧除所述图像区以外的预设切割部分及所述预设切割部分上方对应的所述闪烁体膜层，使每个镀膜基板上的所述闪烁体膜层的侧面与下方对应的所述镀膜基板的所述拼接侧齐平；将多个所述镀膜基板沿被切割后的所述拼接侧进行拼接；拼接后的所述镀膜基板远离所述闪烁体膜层的一面与一预设尺寸的基底进行耦合；于所述闪烁体膜层上设置第一膜层，所述第一膜层用于防止所述闪烁体膜层发生潮解。2.根据权利要求1所述的拼接式闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述闪烁体膜层的材料为碘化铯。3.根据权利要求2所述的拼接式闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述闪烁体膜层中掺杂铊离子。4.根据权利要求1所述的拼接式闪烁屏的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨炯灿，程丙勋，金利波，
申请(专利权)人：奕瑞影像科技太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：