一种金锡合金靶材及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体芯片的溅射靶材，由重量百分比Au75

【技术实现步骤摘要】
一种金锡合金靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及含锡量20
‑
25％的金锡AuSn
20
‑
25
合金材料靶材的制备方法，该合金材料主要用作制造半导体芯片的磁控溅射靶材。

技术介绍

[0002]AuSn
20
‑
25
合金具有极好的化学稳定性、低电阻、低电迁移性、易形成膜、与半导体基体好的附着性、特别是具有与化合物半导体芯片形成金属
‑
半导体(M
‑
S)欧姆接触的优良性能，是制备半导体芯片过程中形成欧姆接触层的重要材料；AuSn
20
‑
25
合金通常加工成规则颗粒蒸发材料或溅射靶材形状，使用真空蒸发或溅射工艺沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜，是制造半导体芯片的关键基础材料，大量应用于制造发光二极管(LED)，军用和民用微波通信器件，航天、航空用高转化率半导体化合物(多p
‑
n结GaAs芯片等)芯片太阳能电池等。
[0003]作为蒸发材料，AuSn...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金锡合金靶材，其特征在于：该金锡合金成分含量中，Sn的重量百分比为20
‑
25，余量为Au，Au、Sn的纯度≥99.999％，金锡合金靶材尺寸为圆形靶材或长方形靶材，圆形靶材厚度3
‑
6毫米，直径50.8毫米至203.2毫米，长方形靶材厚度3
‑
6毫米，长度100
‑
200毫米，宽度50
‑
120毫米，合金靶材纯度达到99.999％，杂质含量≤0.001％。2.一种金锡合金靶材的制备方法，其特征在于含有以下工艺步骤：
⑴
合金原料：纯度≥99.999％Au、Sn；
⑵
配料：按AuSn
20
‑
25
合金名义重量百分比配料；
⑶
熔炼：用高纯石墨坩埚和铸模，在中频感应电炉上进行真空充氩熔炼和浇铸，得到AuSn20
‑
25合金扁锭；
⑷
铸造靶材坯料：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王广丰，
申请(专利权)人：深圳市稀研靶材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：