【技术实现步骤摘要】
一种钛铌合金溅射靶材及其制备方法与应用
[0001]本专利技术涉及溅射靶材制备
,具体涉及一种钛铌合金溅射靶材及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]钛铌合金溅射靶材在用于半导体磁控溅射的过程中对靶材的纯度、内部组织结构、力学强度以及外观尺寸的要求极高,同时靶材的成分和制备工艺又对膜层的各项性能起到决定性影响。
[0003]现有技术中的钛铌合金一般是通过熔炼连铸连轧方式生产,但钛铌合金溅射靶材中的铌熔点为2469℃,密度为8.57g/cm3,而活性金属钛的熔点为1670℃,密度为4.50g/cm3,二者熔点和密度存在较大差异,采用真空熔炼生产钛铌合金时容易使得成分不均匀,而粉末冶金烧结法制备靶坯可以提高坯体的致密度与内部均匀性。
[0004]CN 115637412A公开了一种钼合金靶材及其制作工艺,所述钼合金靶材配方各成分的质量百分数为:Mo 55~65%,Ni 15~25%,Ti 15~25%,Re 0.1~5%,W 0.1~2%,Nb 0.1~2%,Mn 0.1~0.2%,Co 0.1~0.2 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钛铌合金溅射靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:(1)球磨混合钛粉与铌粉,得到混合粉;(2)步骤(1)所得混合粉依次经夯实处理、真空脱气处理、预热处理、热等静压处理以及机加工处理,得到所述钛铌合金溅射靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述钛粉的纯度>99.98%;优选地,步骤(1)所述钛粉的平均粒径<75μm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述铌粉的纯度>99.95%;优选地,步骤(1)所述铌粉的平均粒径<10μm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述球磨混合在氩气气氛中进行;优选地,步骤(1)所述球磨混合的料球比为10:(1
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3);优选地,步骤(1)所述球磨混合的混粉球包括硬质锆球和/或氧化锆球;优选地,步骤(1)所述球磨混合的时间≥48h,优选为48
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56h。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述夯实处理在不锈钢包套中进行;优选地,步骤(2)所述真空脱气处理的温度为200
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350℃;优选地,步骤(2)所述真空脱气处理的时间为4
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8h;优...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,廖培君,黄东长,张怡忠,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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