一种CoFeB合金靶材及其制备方法技术

本申请属于靶材制备领域，公开了一种CoFeB合金靶材的制备方法，包括以下步骤，按CoFeB合金靶材中铁钴硼的配比将硼颗粒投入熔炼坩埚，随后将钴片、铁片投入熔炼坩埚内并覆盖在硼颗粒表面，盖上设备炉盖，进行抽真空、升温加热及雾化操作，待设备冷却后将收集的合金粉末过筛，得到粒径＜150um的CoFeB合金原料；将制得的CoFeB合金原料放入包套内进行热等静压烧结，将烧结后的CoFeB合金材料机加工，得到CoFeB合金靶材；通过上述操作，使得熔炼过程中硼的流失情况得到抑制，进而使得生成的CoFeB合金靶材中各组分的含量得到精准的控制。合金靶材中各组分的含量得到精准的控制。合金靶材中各组分的含量得到精准的控制。

【技术实现步骤摘要】
一种CoFeB合金靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及靶材制备领域，尤其涉及一种CoFeB合金靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]我们生活在信息爆炸的时代，尤其是伴随着人工智能、云计算等技术的推动，全球数据量正在呈现出爆炸式扩展和增加。当代存储器技术主要以电子计算机为核心，基于当前计算机信息技术，根据信息存储介质和方法可分为半导体存储、磁性存储和光存储，其中磁性存储因其存储密度高，不易丢失的特点而得到广泛应用。CoFeB作为自旋电子学中非常重要的一种合金材料，它被广泛地应用于磁隧道结及磁随机存储器(MRAM)之中。
[0003]中国专利申请202211462233.4公开了一种CoFeB合金靶材。本专利技术所述CoFeB合金靶材，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素15
‑
35％，铁元素50
‑
60％，硼元素15
‑
30％；
[0004]并且公开了CoFeB合金靶材的制备方法，包括以下步骤：
[0005](1)配料：按所述CoFeB合金靶材中的元素组分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CoFeB合金靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按CoFeB合金靶材中铁钴硼的配比将硼颗粒投入熔炼坩埚，随后将钴片、铁片投入熔炼坩埚内并覆盖在硼颗粒表面，将装有硼源、铁源、钴源的熔炼坩埚升温加热、雾化、过筛，得到粒径＜150um的CoFeB合金原料；步骤2：将步骤1制得的CoFeB合金原料放入包套内进行热等静压烧结，将烧结后的CoFeB合金材料机加工，得到CoFeB合金靶材；所述硼颗粒的粒径为6
‑
12mm。2.根据权利要求1所述的CoFeB合金靶材的制备方法，其特征在于，所述CoFeB合金靶材中钴元素的质量百分含量为20％
‑
30％，铁元素的质量百分含量为60％
‑
75％，硼元素的质量百分含量为3％
‑
8％。3.根据权利要求2所述的CoFeB合金靶材的制备方法，其特征在于，所述CoFeB合金靶材中钴元素的质量百分含量为22％
‑
26％，铁元素的质量百分含量为68％
‑
72％，硼元素的质量百分含量为5％
‑
8％。4.根据权利要求1所述的CoFeB合金靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体为：将CoFeB合金靶材中铁钴硼的配比将硼颗粒投入熔炼坩埚内，随后将钴片、铁片投入熔炼坩埚内并覆盖在硼颗粒表面，在气压为2
‑
5KPa的氮气气氛内将硼源、铁源、钴源加热熔化，熔炼温度为1450
‑
1550℃，随后将其转移至温...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧海玲，马国成，童培云，张壮壮，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：