一种金锗合金靶材及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体芯片的溅射靶材及其制造方法，由重量百分比

【技术实现步骤摘要】
一种金锗合金靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及金锗合金材料靶材，特别是涉及含锗量
12
％的金锗
AuGe
12
合金材料靶材的制备方法
。

技术介绍

[0002]AuGe
12
合金具有极好的化学稳定性
、
低电阻
、
低电迁移性
、
易形成膜
、
与半导体基体好的附着性
、
特别是具有与化合物半导体芯片形成金属
‑
半导体
(M
‑
S)
欧姆接触的优良性能，是制备半导体芯片过程中形成欧姆接触层的重要材料；
AuGe
12
合金通常加工成规则颗粒蒸发材料或溅射靶材形状，使用真空蒸发或溅射工艺沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜，是制造半导体芯片的关键基础材料，大量应用于制造发光二极管
(LED)
，军用和民用微波通信器件，航天
、
航空用高转化率半导体化合物
(
多...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种金锗合金靶材，其特征在于：该金锗合金成分含量中，
Ge
的重量百分比为
12
％，余量为
Au
，
Au、Ge
的纯度
≥99.999
％，金锗合金靶材尺寸为圆形靶材或长方形靶材，圆形靶材厚度3‑6毫米，直径
50.8
毫米至
152.4
毫米，长方形靶材厚度3‑6毫米，长度
100
‑
200
毫米，宽度
50
‑
120
毫米，合金靶材纯度达到
99.999
％，杂质含量
≤0.001
％
。2.
一种金锗合金靶材的制备方法，其特征在于含有以下工艺步骤：
(1)
合金原料：纯度
≥99.999
％
Au、Ge
；
(2)
配料：按
AuGe
12
合金名义重量百分比配料，并且补加
0.05
％的
Ge
；
(3)
熔炼：用高纯石墨坩埚和铸模，在中频感应加热炉上进行真空充氩熔炼和浇铸，得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：王广丰，
申请(专利权)人：深圳市稀研靶材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：