一种用于溅射用的异型银靶的制造方法技术

本发明专利技术涉及金属材料加工方法技术领域，具体涉及一种用于溅射用的异型银靶的制造方法，包括以下操作步骤：将高纯阴极银原料经过水平连铸

【技术实现步骤摘要】
一种用于溅射用的异型银靶的制造方法


[0001]本专利技术涉及金属材料加工方法
，尤其涉及一种用于溅射用的异型银靶的制造方法
。

技术介绍

[0002]物理气相沉积
(PVD)
被广泛地应用在光学
、
电子
、
信息等高端产业中，例如：集成电路
、
液晶显示器
、
工业玻璃
、
照相机镜头
、
信息存储
、
船舶
、
化工等
。PVD
中使用的金属靶材则是集成电路
、
液晶显示器等制造过程中最重要的原材料之一
。
随着
PVD
技术的不断发展，对金属靶材需求量及质量要求日益提高，金属靶材的晶粒越细，成分组织越均匀，其表面粗糙度越小，通过
PVD
在硅片上形成的薄膜就越均匀
。
此外，形成的薄膜的纯度与金属靶材的纯度也密切相关，故
PVD
后薄膜质量的好坏主要取决于金属靶材的纯度<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于溅射用的异型银靶的制造方法，其特征在于，包括以下操作步骤：将高纯阴极银原料经过水平连铸
、
连续挤压和分切得到截面光滑平整无氧化
、
晶粒为完全动态再结晶的异型银排
。2.
一种用于溅射用的异型银靶的制造方法，其特征在于，具体操作步骤为：步骤
S1、
水平连铸：将高纯阴极银原料预热烘干，通过熔炉加热熔化，其中在熔炼过程充入氩气防止氧化，最后用牵引机引出银杆；步骤
S2、
连续挤压：牵引出的银杆使用挤压机进行连续挤压，制备出异型银排坯料；步骤
S3、
分切：对制备出的异型银排坯料进行分切
。3.
根据权利要求1所述的用于溅射用的异型银靶的制造方法，其特征在于，所述步骤
S1
中的原料银含量
&gt;99.99
％，氧含量
&lt;50
％
。4.
根据权利要求2所述的用于溅射用的异型银靶的制造方法，其特征在于，所述步骤
S3
中分切出的银排银含量
&gt;99.99
％，氧含量
&lt;50
％，晶粒尺寸
&lt;90
μ
m。5.
根据权利要求2所述的用于溅射用的异型银靶的制造方法，其特征在于，所述步骤
S1
中的熔炼温度为
1150℃。6.
根据权利要求2所述的用于溅射用的异型银靶的制造方法，其特征在于，所述步骤
S1
中的连铸速度为
1m/min
‑
2m/min。7.
根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张信征，曾墩风，马建保，王志强，刘明，石煜，
申请(专利权)人：芜湖映日科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：