氧化锡掺杂靶材、提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，在真空、烧结温度为1300

【技术实现步骤摘要】
氧化锡掺杂靶材、提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种氧化锡掺杂靶材、提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法。

技术介绍

[0002]靶材是磁控溅射过程中的基本耗材，不仅使用量大，而且靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用。靶材应用领域比较广泛，主要包括光学靶材、显示薄膜用靶材、半导体领域用靶材、记录介质用靶材、超导靶材等。其中半导体领域用靶材、显示用靶材和记录介质用靶材是当前使用最为广泛的三大靶材。为提升薄膜制备速率和保证薄膜的生长质量，溅射靶材要达到一定的指标要求。近年来，液晶显示、有源有机发光二极管显示以及柔性显示等平板显示技术迅猛发展，作为核心部件的薄膜晶体管(TFT)的重要性不言而喻。其中，基于氧化物半导体的TFT以其较高的迁移率、良好的电学均匀性、高的可见光透过性、较低的制备温度、以及较低的成本等优势受到广泛的关注。
[0003]二氧化锡是一种具有直接带隙的宽带金属氧化物半导体材料，二氧化锡陶瓷材料一直都是人们研究的热点，在气敏件、液晶显示、光探测器、太阳能电池、光催本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，其特征在于，在真空、烧结温度为1300
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1600℃条件下，将氧化锡掺杂靶材前驱体、单质钛置于同一环境中，保温一段时间得到氧化锡掺杂靶材；所述氧化锡掺杂靶材前驱体中的金属氧化物为氧化锡和掺杂金属氧化物，所述掺杂金属氧化物的用量为金属氧化物总摩尔量的1％
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3％。2.根据权利要求1所述的提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，其特征在于，所述掺杂金属氧化物的用量为金属氧化物总摩尔量的2％
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3％。3.根据权利要求2所述的提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，其特征在于，所述掺杂金属氧化物为氧化钼或氧化钨。4.根据权利要求1所述的提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，其特征在于，所述方法具体为：在烧结设备内，放入石英舟和氧化锡掺杂靶材前驱体，石英舟内盛放有粉末状态的单质钛；对烧结设备抽真空并升温，升温速率为0.1
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0.5/min，升温到设定温度后保温8
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12h。5.根据权利要求4所述的提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，其特征在于，在烧结设备内铺上氧化锡粉末，以提高导热性和防止氧化锡掺杂靶材前驱体粘结在烧结设备内。6.根据权利要求2所述的提高氧化锡掺杂靶材表面氧空位的方法，其特征在于，所述氧化锡掺杂靶材前驱体通过如下方法制备：步骤1：将氧化锡、掺杂金属氧化物、分散剂、粘结剂、水混合、研磨得到浆液；步骤2：将浆液喷粉造粒得到粉末；步骤3：对粉末进行成型；步骤4：对步骤3得到的产品进行脱脂加热得到氧化锡掺杂靶材前驱体。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗斯诗，李开杰，邵学亮，顾德盛，张兴宇，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：