【技术实现步骤摘要】
一种高精度硅压阻压力传感器芯片
[0001]本专利技术涉及力学传感器
，特别涉及一种高精度硅压阻压力传感器芯片。
技术介绍
[0002]硅压阻压力芯片在使用时需要进行封装，硅压阻压力芯片与封装外壳的连接方式为粘胶，如图1a所示。图1a为一种典型的硅压阻压力芯片TO8封装，主要包含基座、压力芯片、盖帽以及粘接胶四部分，为了降低温度传感器的影响，基座一般选用可伐合金材料，因为可伐合金与硅的热膨胀系数匹配度较高。
[0003]硅压阻压力芯片与基座固定的方式为粘接，粘接一般使用硅橡胶，硅橡胶在长期使用的过程中天然的存在蠕变和老化效应，因此会造成硅压阻压力芯片的外部应力环境缓慢变化，硅压阻压力芯片属于应力敏感器件，这种胶的蠕变和迟滞长时间积累，会造成压力芯片输出的缓慢飘移。目前工业界为了解决硅压阻压力传感器的缓慢漂移问题，采取了一些列的手段和措施：
[0004]1、增加硅压阻压力芯片玻璃基底的厚度。如图1b所示，硅压阻压力芯片一般由两层结构组成，上层为硅，下层为玻璃。一般为了隔离粘接来带的应力，生产厂家会增厚玻璃...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度硅压阻压力传感器芯片，其特征在于，包括基底层，所述基底层的上端设置压力敏感层，所述压力敏感层上设置压力敏感膜，所述压力敏感膜上设置有压敏电阻，所述压力敏感层上对应所述压敏电阻设置有芯片电极，所述芯片电极用于压敏电阻与外部导线进行连接的中介，在所述基底层上设置有芯片粘接区域。2.如权利要求1所述的高精度硅压阻压力传感器芯片，其特征在于，所述基底层为玻璃基底层。3.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：王淞立，赵虎，申建武，徐林鹏，董奎，刘泽庆，
申请(专利权)人：西安思微传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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