一种压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种压力传感器及其制备方法，属于半导体技术与制造领域。本发明专利技术的压力传感器，由下往上依次包括：硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上有栅极、源极和漏极；硅衬底包括：基底，基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体和第三支撑体；第二支撑体和第三支撑体的上表面与缓冲层下表面贴合，第二支撑体和第三支撑体之间形成空腔；第一支撑体的高度小于第二支撑体，与缓冲层之间有间隙。本发明专利技术通过受压时漏极内部电流传感通道的电阻发生增加，从而导致电流下降，进而实现压力传感，仿真结果证明，本发明专利技术的压力传感器不仅具备较高的灵敏度，且同时获得了更大的量程。程。程。

【技术实现步骤摘要】
一种压力传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种压力传感器及其制备方法，属于半导体技术与制造领域。

技术介绍

[0002]氮化镓压力传感器的基本原理是利用氮化镓材料的良好的压阻特性，当材料受到外力作用时，会产生电阻值的变化。该变化可以通过外部电路进行测量，并将其转化为压力值。
[0003]具体来说，当氮化镓材料受到压力作用时，会发生晶格畸变，导致电子在材料内部移动的困难程度发生改变，从而导致电阻值的变化。这种电阻值的变化与受到的压力成正比，可以通过外部电路进行测量。
[0004]氮化镓压力传感器可以实现高精度、高速度和长期稳定的压力测量，可以帮助企业及时发现设备或产品中的压力异常情况，避免产品质量问题和安全事故的发生，此外，氮化镓压力传感器具有高精度和高温稳定性等特点，可以减少检测成本和设备维护成本，提高企业的经济效益。
[0005]目前氮化镓压力传感器的灵敏元件通常使用氮化镓薄膜，其厚度通常在几微米到几十微米之间，其形状可以是膜片、梁或者柱状等。当受到外力作用时，氮化镓薄膜会发生微小的形变，从而引起电学性质的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器由下往上依次包括：硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层，所述AlGaN层上有栅极、源极和漏极；所述硅衬底包括：基底，所述基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体和第三支撑体；所述第二支撑体和第三支撑体的上表面与所述缓冲层下表面贴合，所述第二支撑体和第三支撑体之间形成空腔；所述第一支撑体的高度小于所述第二支撑体，与所述缓冲层之间有间隙。2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述硅衬底的厚度为：350
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1000um。3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第一支撑体与所述缓冲层之间的间隙为：10
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130um。4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述缓冲层的厚度为：2
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15um。5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述GaN层的厚度为：1
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5um。6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述AlGaN层的厚度为：10
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20nm。7.一种压力传感方法，其特征在于，所述方法基于权利要求1
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6任一项所述的压力传感器实现，包括：当在源极或者漏极地方施加压力时，所述压力传感器左侧出现弯曲形变，导致源极与漏极之间电流传感通道的电阻发生增加，从而导致电流下降...

【专利技术属性】
技术研发人员：段文哲，李杨，王霄，陈治伟，敖金平，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：