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本发明公开了一种压力传感器及其制备方法，属于半导体技术与制造领域。本发明的压力传感器，由下往上依次包括：硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上有栅极、源极和漏极；硅衬底包括：基底，基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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