一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；P

【技术实现步骤摘要】
一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及到一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]氮化镓属于第三代半导体材料之一，具有高的击穿电场、高的饱和电子迁移率、较高的热导率等性能，是一种宽禁带半导体材料。因此，在氮化镓衬底上制备的电力电子器件被广泛应用于能源、航空航天、交通运输等诸多领域，在制备高频和高压大功率器件方面有较大优势。氮化镓基肖特基二极管属于氮化镓功率器件的一种，目前报道的GaNSBD相较于传统硅基SBD在击穿电压、开启电压、反向漏电等方面有很大提升，但距离GaN材料3.4MV/cm的临界击穿电场的理论极限还有一定距离，因此在器件的击穿电压、反向漏电等方面还有很大提升空间。
[0003]为了提升GaN基SBD的反向性能，目前一般采用设置P
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GaN帽层的方式改善峰值电场的分布，将峰值电场移出肖特基边缘，进而提升器件击穿电压、减小反向漏电。但是，P
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GaN的存在会使其下方的二维电子气会因为部分耗尽导致迁移率降低，二维电子气浓度降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双终端氮化镓基二极管，其特征在于，包括：衬底以及依次设置于所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；所述沟道层和所述势垒层之间形成二维电子气；P
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GaN双终端层，设置于所述势垒层上的除阴极位置区域和阳极位置区域以外的区域；所述P
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GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端，所述第一区域为P
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GaN双终端层的靠近所述阳极位置区域的端部中的部分区域，所述第二区域为所述P
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GaN双终端层上除所述第一区域以外的其他区域；所述第二终端为对所述第二区域的P
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GaN材料进行等离子体处理后得到；阴电极，设置于所述势垒层上的所述阴极位置区域；阳电极，设置于所述势垒层上的所述阳极位置区域，并与所述第一终端和所述第二终端均电接触。2.根据权利要求1所述的双终端氮化镓基二极管，其特征在于，所述第一终端为两个或者两个以上，两个或者两个以上的所述第一终端沿所述P
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GaN双终端层靠近所述阳极位置区域的端部间隔设置。3.根据权利要求1或2所述的双终端氮化镓基二极管，其特征在于，所述阳电极还延伸于所述P
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GaN双终端层上，且所述阳电极延伸于所述P
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GaN双终端层上的部分的宽度小于所述第一终端的宽度。4.根据权利要求3所述的双终端氮化镓基二极管，其特征在于，还包括：钝化层，设置于所述P
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GaN双终端层上。5.一种双终端氮化镓基二极管的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永，王亦飞，王东，宁静，陈兴，万坤，杨旭豪，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：