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一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法技术
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文档序号:39035195
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本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法,其中的器件包括:衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层;P
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该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。
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