一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域。移区域。移区域。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC半导体装置
[0001]本申请与2021年2月1日在日本特许厅提交的特愿2021
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014602号相对应，该申请的全部公开内容通过引用并入至此。本专利技术涉及SiC半导体装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了包含SiC基板以及形成在SiC基板上的SiC外延层的SiC
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SBD。专利文献2公开了一种半导体装置，其包含SiC基板、以及在SiC基板上、在与SiC基板的厚度方向垂直的方向上交替形成的n型漂移区域和p型柱状区域。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2008/0237608号说明书
[0006]专利文献2：美国专利申请公开第2019/0148485号说明书
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]一实施方式提供能够提高电特性的SiC半导体装置。
[0009]用于解决课题的方法
[0010]一实施方式提供一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域。
[0011]一实施方式提供一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于上述主面的表层部且具有被硼以外的3价元素调整了的杂质浓度的p型漂移区域。
[0012]一实施方式提供一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域、以及以与上述漂移区域形成pn结部的方式形成于上述漂移区域内的p型杂质区域。
[0013]一实施方式提供一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、形成于上述主面的表层部的n型漂移区域、以及以与上述漂移区域形成pn结部的方式形成于上述漂移区域内且具有被硼以外的3价元素调整了的杂质浓度的p型杂质区域。
[0014]一实施方式提供一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、形成于上述主面的表层部且具有被硼以外的3价元素调整了的杂质浓度的p型漂移区域、以及以与上述漂移区域形成pn结部的方式形成于上述漂移区域内且具有被磷和氮以外的5价元素调整了的杂质浓度的n型杂质区域。
[0015]上述以外的其他目的、特征以及效果将会因通过参照附图而说明的实施方式得到明确。
附图说明
[0016][图1]图1是示出第1实施方式的SiC半导体装置的俯视图。
[0017][图2]图2是沿图1所示的II
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II线的截面图。
[0018][图3]图3是示出图2所示的SiC芯片内的杂质浓度的图表。
[0019][图4A]图4A是示出图1所示的SiC半导体装置的制造方法的截面图。
[0020][图4B]图4B是示出图4A之后的工序的截面图。
[0021][图4C]图4C是示出图4B之后的工序的截面图。
[0022][图4D]图4D是示出图4C之后的工序的截面图。
[0023][图5]图5是用于具体说明图4D的工序的截面图。
[0024][图6]图6对应于图2，是示出第2实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0025][图7]图7是示出图6所示的SiC芯片内的杂质浓度的图表。
[0026][图8A]图8A是示出图6所示的SiC半导体装置的制造方法的截面图。
[0027][图8B]图8B是示出图8A之后的工序的截面图。
[0028][图9]图9对应于图2，是示出第3实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0029][图10]图10是示出图9所示的SiC芯片内的杂质浓度的图表。
[0030][图11]图11对应于图9，是示出第4实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0031][图12]图12是示出图11所示的SiC芯片内的杂质浓度的图表。
[0032][图13]图13对应于图2，是示出第5实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0033][图14]图14对应于图2，是示出第6实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0034][图15]图15对应于图2，是示出第7实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0035][图16]图16对应于图2，是示出第8实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0036][图17]图17是示出第9实施方式的SiC半导体装置的俯视图。
[0037][图18]图18是沿图17所示的XVIII
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XVIII线的截面图。
[0038][图19A]图19A是示出图17所示的SiC半导体装置的制造方法的截面图。
[0039][图19B]图19B是示出图19A之后的工序的截面图。
[0040][图20]图20对应于图18，是示出第10实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0041][图21A]图21A是示出图20所示的SiC半导体装置的制造方法的截面图。
[0042][图21B]图21B是示出图21A之后的工序的截面图。
[0043][图22]图22对应于图18，是示出第11实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0044][图23]图23对应于图18，是示出第12实施方式的SiC半导体装置的截面图。
[0045][图24]图24是示出在第1实施方式的SiC半导体装置中应用了第1方式例的功能器件而成的结构的俯视图。
[0046][图25]图25是沿图24所示的XXV
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XXV线的截面图。
[0047][图26]图26是图25所示的SiC芯片的俯视图。
[0048][图27]图27是示出在第10实施方式的SiC半导体装置中应用了第2方式例的功能器件而成的结构的俯视图。
[0049][图28]图28是沿图27所示的XXVIII
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XXVIII线的截面图。
[0050][图29]图29是图28所示的SiC芯片的俯视图。
[0051][图30]图30是示出在第1实施方式的SiC半导体装置中应用了第3方式例的功能器件而成的结构的俯视图。
[0052][图31]图31是沿图30所示的XXXI
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XXXI线的截面图。
[0053][图32]图32是图30所示的区域XXXII的放大图。
[0054][图33]图33是沿图32所示的XXXIII
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XXXIII线的截面图。
[0055][图34]图34是图31所示的区域XXXIV的放大图。
[0056][图35]图35是示出在第10实施方式的SiC半导体装置中应用了第4方式例的功能器件而成的结构的俯视图。
[0057][图36]图36是图35所示的区域XXXVI的放大图。
[0058][图37]图37本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于所述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域。2.根据权利要求1所述的SiC半导体装置，所述漂移区域具有以朝向所述主面上升的方式调整了的杂质浓度。3.根据权利要求1或2所述的SiC半导体装置，所述漂移区域具有被磷以外的5价元素调整了的杂质浓度。4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC半导体装置，所述漂移区域包含作为5价元素的氮以及氮以外的5价元素。5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC半导体装置，所述漂移区域具有起因于作为5价元素的第一杂质的基础浓度以及起因于作为所述第一杂质以外的5价元素的第二杂质的附加浓度。6.根据权利要求5所述的SiC半导体装置，所述第一杂质为磷以外的5价元素，所述第二杂质为磷以外的5价元素。7.根据权利要求6所述的SiC半导体装置，所述第一杂质为氮，所述第二杂质为砷和锑中的至少一种。8.根据权利要求5～7中任一项所述的SiC半导体装置，所述附加浓度具有朝向所述主面上升的浓度分布。9.根据权利要求5～8中任一项所述的SiC半导体装置，所述基础浓度具有在厚度方向上大致恒定的浓度分布。10.一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于所述主面的表层部且具有被硼以外的3价元素调整了的杂质浓度的p型漂移区域。11.根据权利要求10所述的SiC半导体装置，所述漂移区域具有以朝向所述主面上升的方式调...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本兼司，中野佑纪，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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