防护薄膜组件的剥离方法以及用于该方法中的剥离装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种防护薄膜组件的剥离方法以及用于该方法中的剥离装置，其能够轻易从曝光原版将使用过的防护薄膜组件剥离，并防止粘接剂残渣再次污染剥离后的曝光原版。为达成上述目的，本发明专利技术是一种防护薄膜组件的剥离方法，其从曝光原版将平版印刷用防护薄膜组件剥离，该防护薄膜组件在防护薄膜框架的一端面上涂布防护薄膜接合剂以张设防护薄膜，并在另一端面上设置曝光原版粘接层，该剥离方法的特征为：包含对该粘接层照射紫外光的步骤；本发明专利技术更是一种剥离装置，其具备对该粘接层照射紫外光的光源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种平版印刷用防护薄膜组件的剥离方法以及用于该方法中的剥离装置，该防护薄膜组件在制造LSI、超LSI等半导体装置或是液 晶显示板时作为平版印刷用光罩的防尘器使用。
技术介绍
在制造LSI、超LSI半导体或是液晶显示板等产品时，是用光照射半导 体晶圆或液晶用原版以形成图案，惟若此时所使用的曝光原版有灰尘附着 的话，由于该灰尘会吸收光线，或折射光线，故除了让转印的图案变形、 边缘变粗糙之外，还会使基底污黑，并对尺寸、品质、外观等造成影响。 又，在本专利技术中，「曝光原版」是平版印刷用光罩或初缩遮罩的总称。该等作业通常是在无尘室内进行，然而即使是在无尘室内进行，想要 经常保持曝光原版清洁仍是相当困难，故吾人遂在曝光原版表面贴合透光 性良好的防护薄膜组件作为防尘器使用。此时，异物并非直接附着于曝光原版的表面上，而是附着于防护薄膜 上，故只要在平版印刷时将焦点对准曝光原版的图案，防护薄膜上的异物 就不会对转印造成影响。防护薄膜组件的基本构造，是由防护薄膜框架以及张设于其上的防护薄膜所构成。防护薄膜，是由硝化纤维素、醋酸纤维素或氟类聚合物等物 质所构成的，其对曝光用光线(g线、i线、248nm、 193nm、 157nm等)具 备良好的透光性。防护薄膜框架，是由符合日本工业规格(Japanese Industrial Standards; JIS)A7075、 A6061、 A5052的铝合金、不4秀钢、聚乙烯等材料所 构成的，其经过黑色氧皮铝处理。在防护薄膜框架上部涂布防护薄膜的良 好溶剂，让防护薄膜风干并接合于该防护薄膜框架上部，或是用丙烯酸树 脂、环氧树脂或氟树脂等接合剂接合。接着，为了在防护薄膜框架下部张 设曝光原版，遂设置由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂以及 硅氧树脂等物质所构成的粘接层，以及用来保护粘接层的初缩遮罩粘接剂保护用垫片。防护薄膜组件会覆盖曝光原版表面的图案区域。防护薄膜组件是用来 防止异物附着于曝光原版上而设置的构件，故能隔离该图案区域与防护薄 膜组件外部，防止防护薄膜组件外部灰尘附着于图案表面上。近年来，LSI的布局规则向0.25微米以下微细化进展，随之曝光光源 也向短波长化进展，亦即，逐渐>夂人原为主流的水4艮灯的g线(436nm)、 i 线(365nm),转而使用KrF准分子雷射(248nm )、 ArF准分子雷射(193nm)、 F2雷射(157nm)等雷射光。曝光像这样朝短波长化发展，曝光光线所包 含的能量当然也会变高。比起现有的g线或i线的光线而言，使用准分子雷 射等高能量光线更可能让曝光环境中所存在的气体状物质发生反应而在曝 光原版上产生异物。于是，吾人遂采取若干对策因应，例如尽量减少无 尘室内的气体状物质、彻底洗净初缩遮罩，或从防护薄膜组件构成物质中 排除会发散气体的物质。特别是防护薄膜组件，由于其是直接贴附于曝光原版上使用的物件， 故防护薄膜组件的构成材料，亦即由有机材料所构成的初缩遮罩接合剂、 膜层接合剂、内壁涂布剂等物质，其气体发散率宜降低，以改善情况。其 中为了提高初缩遮罩接合剂的低释气性、耐UV性、耐药性，有使用硅氧树 脂者。硅氧树脂的化学稳定性优异，其将防护薄膜组件固定于初缩遮罩上， 即使长期间也不会发生变化。然而当为了替换防护薄膜组件而从初缩遮罩 将防护薄膜组件剥离时，想要剥离情况良好而不会在初缩遮罩上留下残渣 是很困难的。专利文献1提出一种先加热剥离防护薄膜组件的基板再进行 剥离的方法，作为使用硅氧接合剂的防护薄膜组件的剥离方法。专利文献1日本特开2000-305252号公才艮 然而，即使利用加热方法，贴合到初缩遮罩上的防护薄膜组件经过ArF 一段时间的照射，其硅氧树脂一部分被氧化，变得非常难以剥离。又，KrF 照射几乎不会使粘接剂发生变化，故其并未对剥离造成阻碍。剥离后残留在曝光原版上的硅氧树脂粘接剂残渣，比起一般丙烯酸接 合剂、SEBS类接合剂而言，耐酸性非常高，故想要清除干净是非常困难的
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决上述问题。亦即，为了解决上述问题，本 专利技术提供一种防护薄膜组件的剥离方法以及用于该方法中的剥离装置，让 吾人能够很容易地从曝光原版将使用过的防护薄膜组件剥离，而剥离后残 留在曝光原版上的粘接剂也不会再次污染曝光原版。上述问题，可用以下本专利技术的第(1)项方法以及第(6)项方法解决之。(1) 一种防护薄膜组件的剥离方法，其从曝光原版将平版印刷用防护 薄膜组件剥离，该防护薄膜组件在防护薄膜框架的一端面上涂布防护薄膜 接合剂以张设防护薄膜，并在另一端面上设置曝光原版粘接层，该剥离方法的特征为包含对该粘接层照射紫外光的步骤；(2) 如(1 )所记载的防护薄膜组件的剥离方法，其中，该紫外光具 有波长200nm以下的频镨能量；(3) 如(1)或(2)所记载的防护薄膜组件的剥离方法，其中，该粘 接层是由硅氧粘接剂所构成；(4) 如(1) ~ (3)其中任一项所记载的防护薄膜组件的剥离方法， 其中，包含对粘接层所粘接的曝光原版及/或防护薄膜框架加热的步骤；(5) 如(4)所记载的防护薄膜组件的剥离方法，其中，粘接层的加 热温度在60。C以上120。C以下；(6) 如(1) ~ (5)其中任一项所记载的防护薄膜组件的剥离方法， 其中， 一边朝剥离曝光原版与防护薄膜框架的方向施加重量， 一边照射紫 外光；(7) —种剥离装置，其使用在(1)所记载的剥离方法中，具备对曝 光原版粘接层照射紫外光的光源，以及，对粘接层所粘接的曝光原版及/ 或防护薄膜框架加热的机构；(8) 如(7)所记载的剥离装置，其中，更具备朝剥离曝光原版与防 护薄膜框架的方向施加重量的机构。对曝光原版粘接层照射UY光以剥离防护薄膜组件的方法，由于不会对 防护薄膜组件或曝光原版施加物理力量，故对该等构件造成破损的危险性 极低。而且在剥离防护薄膜组件后也几乎没有粘接剂残渣扩散而污染曝光原版表面等情况的危险性。'特别是当曝光原版粘接层为硅氧接合剂时，推 定初缩遮罩上的接合剂残渣会被UV光所完全氧化，变成无机物。残渣形状 也会变成无色透明且非常薄的薄膜状，故不用勉强将其去除干净，也能在 相同的部位上再次贴合防护薄膜组件。又，本专利技术的剥离装置可有效地使用于防护薄膜组件的上述剥离方法中。附图说明图l是概念图，表示本专利技术所使用的防护薄膜组件的基本构造。图2是红外线吸收光谱图，表示随UV照射所产生的变化，并显示出 C-H结合附近的吸收作用的变化。 附图标记说明 1防护薄膜 .2接合层3防护薄膜框架 4粘接层 5曝光原版6气压调整用孔(通气口 )7除尘用过滤器10防护薄膜组件11未对硅氧初缩遮罩粘接层照射UV光的红外线光谱 12硅氧初缩遮罩粘接层照射UV光落下后的红外线光谱具体实施例方式本专利技术的防护薄膜组件的剥离方法，是从曝光原版将平版印刷用防护 薄膜组件剥离的方法，该防护薄膜组件在防护薄膜框架一端面上涂布防护 薄膜接合剂以张设防护薄膜，并在另一端面上设置曝光原版粘接层，其特 征为包含对该粘接层照射紫外光的步骤。对本专利技术所使用的防护薄膜组件概略说明之后，以下就防护薄膜組件 的剥离方法详细说明。首先参照图1说明本专利技术所使用的防护薄膜组件的基本构造。6如图1所示的，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防护薄膜组件的剥离方法，其从曝光原版将平版印刷用防护薄膜组件剥离，该防护薄膜组件在防护薄膜框架的一端面上利用防护薄膜接合剂张设防护薄膜，并在另一端面上设置曝光原版粘接层，该剥离方法的特征为：　包含对该粘接层照射紫外光的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：滨田裕一，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]