硅材料加工工艺制造技术

本申请涉及硅材料技术领域，具体公开了硅材料加工工艺。本申请的硅材料加工工艺，包括以下步骤：先采用切削液#3对原材料进行粗磨加工，采用切削液#1对硅材料进行第一次研磨，并进行外径加工；采用切削液#2对硅材料进行打孔加工，再采用酸液对硅材料进行酸性孔蚀刻，采用切削液#1对硅材料进行两次研磨后，进行外段径加工；最后采用切削液#1对硅材料进行第四次研磨后，得成品；在加工过程中，对研磨和打孔的硅材料进行超声清洗，且采用接触式和非接触式相结合方式进行测量，保证加工余量合理；经本申请加工工艺，所得硅材料的打孔效果优异，具有广阔的市场前景。有广阔的市场前景。

【技术实现步骤摘要】
硅材料加工工艺


[0001]本申请涉及硅材料
，更具体地说，它涉及硅材料加工工艺。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，硅材料行业的需求也在不断增加。由于硅材料具有单方向导电性、热敏特性、光电特性以及掺杂特性等优良性能，可以生长为大尺寸高纯度晶体，故而被广泛应用于电子和电子产品、电力、航空航天、能源、汽车、通信等多个领域。
[0003]硅材料上的孔可以用于安装相应的支架、支撑结构或者固定装置，也可以用于制作过滤器、反应器等器械。目前硅材料的打孔技术，常导致截面刀痕粗糙，破碎层、损伤层深，残余应力大，碎片、崩边、断根等问题，增大了研磨、抛光等工序加工量，既浪费材料又降低了加工效率和成品率；且由于切屑和新切断面表面能的作用，切屑和表面会产生强烈的吸附作用，切屑不易剥离而被切削液带走，同时还阻碍了切削速度，出现孔斜、孔径误差较大的不良现象；尤其是在硅材料上面打阶梯孔，加工难度增大，打孔效果更加不理想。因此，亟需解决现有硅材料的打孔效果较差的问题，进一步扩大硅材料的应用市场。

技术实现思路

[0004]为了解决现有硅材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅材料加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、检查原材料外观有无破损划痕，采用切削液#3对原材料进行粗磨加工，对粗磨后的硅材料平面进行测量是否合格；S2、采用切削液#1对硅材料进行第一次研磨，并对研磨后的硅材料进行厚度测量是否合格；S3、采用切削液#1对硅材料进行外径加工，测量硅材料加工后的外径是否合格；S4、采用切削液#2对硅材料进行键孔打孔，随后进行超声波清洗，并对硅材料的键孔进行测量；S5、采用切削液#2对硅材料进行打孔加工，打孔完成的硅材料进行超声清洗，对打孔后的材料进行非接触式孔测量；S6、用酸液对硅材料进行酸性孔蚀刻，蚀刻后对硅材料表面进行外观检查有无破碎划痕；S7、采用切削液#1对硅材料进行第二次研磨，研磨后进行超声波清洗，并对硅材料进行接触式厚度测量；S8、采用切削液#1对硅材料进行第三次研磨，研磨后进行超声波清洗，并对硅材料进行接触式厚度测量；S9、采用切削液#1对硅材料进行外段径加工，对硅材料进行超声波清洗，对硅材料进行接触式外段径测量；S10、采用切削液#1对硅材料进行第四次研磨后，分别采用去离子水和清洗剂进行超声波清洗，并对硅材料进行非接触式形状测量；S11、对硅材料进行接触式整体测量，并将成品放入包装袋中并注入去离子水封口打包出库。2.根据权利要求1所述的硅材料加工工艺，其特征在于，所述切削液#1由质量比为1000:1
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5的去离子水和Hysol X切削油混合而得。3.根据权利要求1所述的硅材料加工工艺，其特征在于，所述切削液#2由质量比为1000:2
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7的去离子水和M COOL S
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3900切削油混合而得。4.根据权利要求1所述的硅材料加工工艺，其特征在于，所述切削液#3由质量比为3
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4:1: 0.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：辛长林，王宇，陈浩，崔金石，
申请(专利权)人：安徽高芯众科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：