【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法。
技术介绍
[0002]用于制造硅晶片的工艺主要包括用于制作单晶锭的单晶提拉工序和所制作的单晶锭的加工工序。该加工工序通常包括切片工序、研磨(lapping)工序、倒角工序、蚀刻工序、镜面抛光工序、清洗工序等，通过经由这些工序，制造表面经镜面加工的硅晶片。
[0003]在镜面抛光工序中，进行同时抛光硅晶片的两面的两面抛光工序(粗抛工序)、其后对硅晶片的单面进行镜面化的最终抛光工序等多阶段的抛光工序。通常，使用包括表面设置有抛光垫的平台和保持硅晶片的抛光头的抛光单元来进行最终抛光工序。将保持在抛光头的硅晶片的单面按压在抛光垫上，一边向抛光垫供给含有磨粒的碱水溶液即抛光液(抛光浆料)，一边使抛光头和平台同时旋转。由此，硅晶片的单面通过由磨粒的机械抛光作用和由碱水溶液的化学抛光作用结合的化学机械抛光(CMP)来抛光，成为具有优异的平滑性的镜面。
[0004]在此，在最终抛光工序中，进行包括(在一个以上的前段抛光单元...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种硅晶片的抛光方法，其特征在于，包括将以下工序作为最终抛光工序进行的步骤：前段抛光工序，使用包括表面设置有第一抛光垫的第一平台和第一抛光头的前段抛光单元，一边向所述第一抛光垫供给第一抛光液，一边在使由所述第一抛光头保持的硅晶片与所述第一抛光垫接触的状态下使所述第一平台及所述硅晶片旋转，由此抛光所述硅晶片的表面；及精抛光工序，在前段抛光工序之后，使用包括表面设置有第二抛光垫的第二平台和第二抛光头的精抛光单元，一边向所述第二抛光垫供给第二抛光液，一边在使由所述第二抛光头保持的所述硅晶片与所述第二抛光垫接触的状态下使所述第二平台及所述硅晶片旋转，由此进一步抛光所述硅晶片的表面，所述硅晶片的抛光方法中，所述最终抛光工序中的所述精抛光工序包括：精浆料抛光工序，使用磨粒的密度为1
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个/cm3以上的抛光液作为所述第二抛光液；及预抛光工序，在所述精浆料...
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