一种提升晶圆良率的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了一种提升晶圆良率的方法，包括以下步骤：S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；S5、高压喷水打开，清洗研磨垫及晶圆，此时，晶圆随研磨头压在研磨垫上做清洗，清洗完成后，晶圆随研磨头升起来；S6、研磨垫调整器清理研磨垫结束，归位到初始位置；本发明专利技术提供的一种提升晶圆良率的方法，解决了现有方法对研磨垫沟槽内残留物的清理效果欠佳，从而影响产品良率的问题。品良率的问题。品良率的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种提升晶圆良率的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种提升晶圆良率的方法。

技术介绍

[0002]CMP(Chemical Mechanical Planarization)中pad conditioner(研磨垫调整器)是通过金刚石研磨盘的作用在于对研磨垫表面聚氨酯进行调整而保持粗糙度，研磨液均匀性的分布于研磨垫表面，以及去除研磨液副产物；而这些作用对于晶圆的表面平整度，也就是轮廓的好坏，晶圆的缺陷等都起着至关重要的作用。
[0003]现有的化学机械研磨方法基本固定于一定研磨时间，一定研磨液流量，一定的研磨步骤下，通过研磨垫调整器的作用对于固定的研磨液输出做一定调整与分布。我们知道，CMP各种工艺在研磨后会产生各种副产物，一方面它们积累于研磨垫沟槽中，另一方面，它们积累于金刚石磨盘上，这些因素既导致了晶圆出现产品缺陷的可能性，降低了产品良率；又降低了研磨垫及金刚石研磨盘的使用寿命；一般情况下，如图1所示，化学机械研磨方法分为以下几种步骤，晶圆转至研磨垫上方，研磨液预流，晶圆做研磨，研磨垫调整器同时做调整动作，研磨完调整器回位，高压喷水打开清理研磨垫，晶圆研磨结束。晶圆在研磨头的压力作用下压于研磨垫之上，并做高速旋转，同时金刚石研磨盘及研磨平台做同向高速运转，加以研磨液的输出及反应，大量的研磨液副产物不时的排出，影响到了整体晶圆的清洁度，而现有方法仅仅在晶圆研磨结束后通过高压喷水对研磨垫进行清理，此种方法对研磨垫沟槽内残留物的清理效果欠佳，从而影响产品良率。

技术实现思路
<br/>[0004]本专利技术的目的是提供一种提升晶圆良率的方法，用以解决现有技术中存在的至少一个上述问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]一种提升晶圆良率的方法，包括以下步骤：
[0007]S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；
[0008]S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；
[0009]S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；
[0010]S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；
[0011]S5、高压喷水打开，清洗研磨垫及晶圆，此时，晶圆随研磨头压在研磨垫上做清洗，清洗完成后，晶圆随研磨头升起来；
[0012]S6、研磨垫调整器清理研磨垫结束，归位到初始位置；
[0013]在S2中磨垫调整器给研磨垫施压并开始做研磨垫预整理；和/或者，S5完成之后，高压喷水继续清理，同时研磨垫调整器清理盘下降到研磨垫并做出旋转及清扫的清理动作，研磨垫调整器清理盘升起来并回到研磨垫边缘，之后在再继续S6。
[0014]本专利技术提供了一种提升晶圆良率的方法，相对于现有技术，S2中在研磨前做研磨垫的预研磨及预清理动作，作用一：在晶圆研磨前保持研磨垫的整体清洁度；作用二：在研磨垫调整器的作用下让研磨液更均匀的分布于研磨垫表面。如遇到更高的工艺及良率要求，可以在S2中做研磨垫预整理的前提下在S5完成后增加一步高压喷水下的研磨垫整理器清理研磨垫的步骤。综上，通过在晶圆研磨的不同时期和步骤增加预研磨及研磨垫清理的动作，做到了加强及保持研磨垫沟槽内残留物的清理，保证了研磨垫的整体清洁度，从而有效的减少了产品出现各种缺陷的概率，从而提高了产品良率。此外，研磨垫调整器在高压喷水状态下清洁研磨垫的同时，不仅使得研磨垫沟槽内副产物有效的清理，还能一定程度上提高了研磨垫的使用寿命。研磨垫调整器在不同时间段调整研磨垫的同时也能稳定研磨速率。
[0015]进一步的，为了保证研磨液满足具体研磨需求，S1中，研磨液预流时长为3～5秒。
[0016]进一步的，为了达到较好的预研磨及预清理效果，S2中，研磨垫调整器给研磨垫施压5～5.5psi，研磨垫预整理时间为4～6秒。
[0017]进一步的，为了达到较好的研磨垫预整理效果，S2中，研磨垫预整理过程中研磨液流量为190～210ml/min。
[0018]进一步的，为了达到较好的研磨垫整理效果，S3中，研磨液流量为190～210ml/min，研磨垫整理时长为40～45秒。
[0019]进一步的，为了达到较好的清洗效果，S5中，清洗研磨垫及晶圆的研磨液流量为5.5～6L/min，清洗时长为8～10秒。
[0020]进一步的，为了达到较好的清洗效果，S5中，清洗完成后，晶圆在4～6秒时升起来。
[0021]进一步的，为了达到较好的对研磨垫的清理效果，研磨垫调整器清理盘下降到研磨垫并做出旋转及清扫的清理动作5～8秒。
[0022]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种提升晶圆良率的方法，相对于现有技术，S2中在研磨前做研磨垫的预研磨及预清理动作，作用一：在晶圆研磨前保持研磨垫的整体清洁度；作用二：在研磨垫调整器的作用下让研磨液更均匀的分布于研磨垫表面。如遇到更高的工艺及良率要求，可以在S2中做研磨垫预整理的前提下在S5完成后增加一步高压喷水下的研磨垫整理器清理研磨垫的步骤。综上，通过在晶圆研磨的不同时期和步骤增加预研磨及研磨垫清理的动作，做到了加强及保持研磨垫沟槽内残留物的清理，保证了研磨垫的整体清洁度，从而有效的减少了产品出现各种缺陷的概率，从而提高了产品良率。此外，研磨垫调整器在高压喷水状态下清洁研磨垫的同时，不仅使得研磨垫沟槽内副产物有效的清理，还能一定程度上提高了研磨垫的使用寿命。研磨垫调整器在不同时间段调整研磨垫的同时也能稳定研磨速率。
附图说明
[0023]图1为现有技术的结构示意图；
[0024]图2为现有技术的方法步骤图；
[0025]图3为本专利技术中第一种方法的步骤图；
[0026]图4为本专利技术中第二种方法的步骤图；
[0027]图5为本专利技术中第三种方法的步骤图；
[0028]图6为专利技术晶圆表面缺陷经过改进后有效减少的效果示意图。
具体实施方式
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图和实施例或现有技术的描述对本专利技术作简单地介绍，显而易见地，下面关于附图结构的描述仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。
[0030]实施例1：
[0031]如图3
‑
图6所示，本实施例提供一种提升晶圆良率的方法，包括以下步骤：
[0032]S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；
[0033]S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；
[0034]S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；
[0035]S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；
[0036]S5、高压喷水打开，清洗研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升晶圆良率的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、晶圆转至研磨平台上方，研磨液预流；S2、研磨垫调整器移动至研磨垫上方，之后研磨垫调整器下降到研磨垫上并给研磨垫施压；S3、晶圆随着研磨头开始研磨，研磨垫调整器进行研磨垫整理；S4、晶圆研磨结束，研磨垫调整器回到研磨垫边缘并升起来；S5、高压喷水打开，清洗研磨垫及晶圆，此时，晶圆随研磨头压在研磨垫上做清洗，清洗完成后，晶圆随研磨头升起来；S6、研磨垫调整器清理研磨垫结束，归位到初始位置；在S2中磨垫调整器给研磨垫施压并开始做研磨垫预整理；和/或者，S5完成之后，高压喷水继续清理，同时研磨垫调整器清理盘下降到研磨垫并做出旋转及清扫的清理动作，研磨垫调整器清理盘升起来并回到研磨垫边缘，之后在再继续S6。2.根据权利要求1所述的一种提升晶圆良率的方法，其特征在于：S1中，研磨液预流时长为3～5秒。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃锋，
申请(专利权)人：上海沛镁机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：