【技术实现步骤摘要】
异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法。
技术介绍
[0002]异质结双极型晶体管(Hetero
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junction Bipolar Transistor，简称HBT)是由发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collect)组成的晶体管，发射区采用轻掺杂的宽带隙，基区采用重掺杂的窄带隙，发射效率由禁带能差决定，主要功能为电流增益，如增益集电区电流或增益基区电流，异质结双极型晶体管器件有性能稳定、高速度及高频率等特点。异质结双极型晶体管技术已成为RF集成电路市场的主流技术之一，并对现代通信技术的发展产生了深远的影响。
[0003]然而，现有的异质结双极型晶体管的形成过程还有待改善。
技术实现思路
[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法，以改善异质结双极型晶体管的形成过程。
[0005]为解决上述技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种异质结双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于所述衬底上的集电层；位于所述第一区和第二区的集电层上的基层；位于所述第一区的基层上的发射层；导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层及第三导电层,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的结构及厚度相同；其中，所述第三导电层位于所述第三区，与所述集电层电性连接；所述第二导电层位于所述第二区，与所述基层电性连接；所述第一导电层位于所述第一区，与所述发射层电性连接。2.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述导电结构还包括集电极层，位于所述集电层与所述第三导电层之间。3.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述导电结构还包括基电极层，位于所述基层与所述第二导电层之间。4.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述导电结构还包括发射电极层，位于所述发射层与所述第一导电层之间。5.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层和第三导电层的材料相同。6.如权利要求5所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层和第三导电层包括多层金属膜，相邻两层金属膜的材料不同，所述金属膜的材料包括钛、铂或金。7.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层和第三导电层具有第一厚度，所述基层具有第二厚度，所述发射层具有第三厚度，所述第一厚度为所述第二厚度和第三厚度之和的2倍至5倍。8.如权利要求7所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述第一厚度的范围为：10纳米至12纳米。9.如权利要求4所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述发射电极层和第一导电层的材料不同；所述发射电极层包括多层金属膜，相邻两层金属膜的材料不同，所述金属膜的材料包括钛或铂。10.如权利要求3所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述基电极层和第二导电层的材料层不同；所述基电极层包括多层金属膜，相邻两层金属膜的材料不同，所述金属膜的材料包括铂、钛或金。11.如权利要求2所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述集电极层和第三导电层的材料不同；所述集电极层包括多层金属膜，相邻两层金属膜的材料不同，所述金属膜的材料包括金锗合金、镍或金。12.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，还包括：钝化层，位于所述集电层、所述基层及所述发射层的部分表面，所述钝化层暴露出所述导电结构的顶部表面。13.一种异质结双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；形成位于所述衬底上的集电层；形成位于所述第一区和第二区的集电层上的基层；形成位于所述第一区的基层上的发射层；形成导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层及第三导电层,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的结构及厚度相同；其中，所述第三导电层位于所述第三区，与所述集电层电性连接；所述第二导电层位于所述第二区，与所述基层电性连接；所述第一导电层位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜清华，赵亚楠，丁帼君，吴炫聪，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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