晶片导通片组件及集成电路结构制造技术

本实用新型专利技术提了一种晶片导通片组件及集成电路结构。晶片导通片组件包含有第一导通片以及第二导通片。第一导通片包含有第一电极连接部以及多个第一信号传输部，第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域、第一凹陷区域、第二突出区域以及第二凹陷区域。第一突出区域用于接触第一电极，而第二突出区域用于接触第一扩充电极。第二导通片与第一导通片电性隔绝，第二导通片包含有第二电极连接部以及第二信号传输部，第二电极连接部的相对二表面分别设有第三突出区域以及第三凹陷区域，第三突出区域用于接触第二电极，以改良的晶片封装结构。结构。结构。

【技术实现步骤摘要】
晶片导通片组件及集成电路结构


[0001]本技术关于一种晶片导通片组件及集成电路结构，特别是一种具有两个导通片的晶片导通片组件。

技术介绍

[0002]随着近年来电子产品的需求日益增长，各类晶片也日益的开发生产。
[0003]晶片的封装结构对于其效能来说至关重要。一般来说，晶片自晶圆切割下来之后需要对其进行封装工艺，以保护晶片免于各种物理损坏或化学腐蚀。同时还设置对应的电性接脚，以让使用者可以便利地通过封装结构来使用晶片或对其进行测试。
[0004]目前常见的作法为将晶片设置于基座上后，再以打线的方式布线于晶片与基座上，让导线连接于晶片的电极与基座的电性接点之间。但是由于导线的线宽有其限制而使得以导线形成的传输结构的阻抗较大之外，当界接结构没有特别设计的话，也有可能因为电性连接不够确实而造成阻抗过大。当阻抗过大时，将无法降低传输损耗。此外打线的方式也造成封装的不便。
[0005]有鉴于此，目前的确有需要一种改良的晶片封装结构，以便改善上述的缺点。

技术实现思路

[0006]
技术实现思路
旨在提供本
技术实现思路
的简化摘要，以使阅读者对本
技术实现思路
具备基本的理解。此
技术实现思路
并非本
技术实现思路
的完整概述，且其用意并非在指出本技术实施例的重要/关键组件或界定本技术的范围。
[0007]本
技术实现思路
的一目的是在提供一种晶片导通片组件及集成电路结构，以取代以往用打线方式连接晶片的电极。
[0008]为达上述目的，本
技术实现思路
的一技术态样关于一种晶片导通片组件，用以连接于晶片的第一电极、第二电极以及第一扩充电极。晶片导通片组件包含有第一导通片以及第二导通片。第一导通片包含有第一电极连接部以及多个第一信号传输部，第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域、第一凹陷区域、第二突出区域以及第二凹陷区域。第一突出区域用于接触第一电极，而第二突出区域用于接触第一扩充电极。此外，第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧，第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且第二凹陷区域位于第一凹陷区域以及第二侧之间，而第一信号传输部彼此相互间隔且分别连接于第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝，第二导通片包含有第二电极连接部以及第二信号传输部，第二电极连接部的相对二表面分别设有第三突出区域以及第三凹陷区域，第三突出区域用于接触第二电极，第二电极连接部具有相对的第一侧边以及第二侧边，第三凹陷区域由第一侧边朝向第二侧边延伸，而第二信号传输部连接于第一侧边。
[0009]在一些实施例中，第一导通片还包含有开口，贯穿于第一电极连接部，并位于第一凹陷区域以及第二凹陷区域之间。
[0010]在一些实施例中，第一导通片的第一信号传输部，分别包含多个弯折部，且弯折部
用以密封于壳体之中，而第一信号传输部部分外露于壳体。
[0011]在一些实施例中，第二导通片的第二信号传输部，包含多个弯折部，以密封于壳体之中，且第二信号传输部部分外露于壳体。
[0012]根据本技术的另一实施态样，揭露一种集成电路结构，其包含有晶片以及上述的晶片导通片组件。此外，晶片包含有上述的第一电极、第二电极以及第一扩充电极。
[0013]因此，本技术提供了一种晶片导通片组件及集成电路结构，晶片导通片组件经由相互电性绝缘的第一导通片与第二导通片分别直接接触于晶片的两个电极。本技术所提供的晶片导通片组件相较于以往用打线方式连接晶片的电极，除了大幅降低了传输阻抗之外，由于省略了于晶片与基座之间进行打线的麻烦，得以简化晶片的封装工艺。通过扩充的第二突出区域，以连接第一扩充电极，更有效地提升晶片导通片组件及集成电路结构的电器特性。此外，通过信号传输部的弯折部还能与壳体密合，有效地提升产品的使用寿命以及可靠度。而第一电极连接部的开口还能便于排气，进而提升电极连接部以及电极之间的电性连接质量。
[0014]以上的关于本
技术实现思路
的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本技术的精神与原理，并且提供本技术的专利申请范围更进一步的解释。
附图说明
[0015]为让本技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
[0016]图1为本技术第一实施例的集成电路结构的立体分解图。
[0017]图2为图1的集成电路结构经封装后的立体图。
[0018]图3为图1的晶片导通片组件、晶片以及承载座的俯视图。
[0019]图4A为图3沿着4A线的剖视图。
[0020]图4B为图3沿着4B线的剖视图。
具体实施方式
[0021]下文举实施例配合所附附图进行详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本技术所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由组件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本技术所涵盖的范围。另外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同组件或相似组件将以相同的符号标示来说明。
[0022]另外，在全篇说明书与权利要求所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本技术的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本技术的描述上额外的引导。
[0023]于实施方式与权利要求中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则“一”与“该”可泛指单一个或多个。而步骤中所使用的编号仅用来标示步骤以便于说明，而非用来限制前后顺序及实施方式。
[0024]其次，在本文中所使用的用词“包含”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即
意指包含但不限于。
[0025]以下在实施方式中详细叙述本技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、权利要求及附图，任何本领域技术人员可轻易地理解本技术相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本技术的观点，但非以任何观点限制本技术的范畴。
[0026]图1为根据本技术第一实施例的集成电路结构的立体分解图，其中集成电路结构100包含晶片导通片组件1、晶片2以及承载座3，晶片导通片组件1包含相互电性绝缘的第一导通片11以及第二导通片12，其中第一导通片11包含第一电极连接部111以及多个第一信号传输部112，而第一信号传输部112彼此相互间隔地连接于第一电极连接部111的一侧。第二导通片12包含第二电极连接部121以及第二信号传输部122，而第二信号传输部122连接于第二电极连接部121的一侧。晶片2的上表面设有相互间隔的第一电极21(例如源极电极)以及第二电极22(例如栅极电极)，而晶片2的下表面设有第三电极(例如漏极电极，未绘示)。承载座3由导体材料(例如铜材)所制成，而晶片2设置于晶片导通片组件1与承载座3之间。
[0027]在一些实施例中，第一导通片11的第一信号传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片导通片组件，用以连接于晶片的第一电极、第二电极以及第一扩充电极，其特征在于，所述晶片导通片组件包含：第一导通片，包含第一电极连接部以及多个第一信号传输部，所述第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域、第一凹陷区域、第二突出区域以及第二凹陷区域，所述第一突出区域用于接触所述第一电极，而所述第二突出区域用于接触所述第一扩充电极，所述第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧，所述第一凹陷区域由所述第一侧朝向所述第二侧延伸且所述第二凹陷区域位于所述第一凹陷区域以及所述第二侧之间，而所述多个第一信号传输部彼此相互间隔且分别连接于所述第一侧；以及第二导通片，与所述第一导通片电性隔绝，所述第二导通片包含第二电极连接部以及第二信号传输部，所述第二电极连接部的相对二表面分别设有第三突出区域以及第三凹陷区域，所述第三突出区域用于接触所述第二电极，所述第二电极连接部具有相对的第一侧边以及第二侧边，所述第三凹陷区域由所述第一侧边朝向所述第二侧边延伸，而所述第二信号传输部连接于所述第一侧边。2.根据权利要求1所述的晶片导通片组件，其特征在于，所述第一导通片，还包含开口，贯穿于所述第一电极连接部，并位于所述第一凹陷区域以及所述第二凹陷区域之间。3.根据权利要求1所述的晶片导通片组件，其特征在于，所述第一导通片的所述多个第一信号传输部，分别包含多个弯折部。4.根据权利要求3所述的晶片导通片组件，其特征在于，所述多个弯折部，用以密封于壳体之中，且所述多个第一信号传输部部分外露于所述壳体。5.根据权利要求1所述的晶片导通片组件，其特征在于，所述第二导通片的所述第二信号传输部，包含多个弯折部，以密封于壳体之中，且所述第二信号传输部部分外露于所述壳体。6.一种集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆田，林孟辉，
申请(专利权)人：富鼎先进电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：