沟槽式半导体组件制造方法技术

一种沟槽式半导体组件制造方法包含有下列步骤，首先，先形成磊晶层于基材上，然后形成沟槽于磊晶层中，以及形成栅极结构于沟槽之中，其中栅极结构包含有上方栅极、下方栅极以及中间绝缘部，且中间绝缘部位于上方栅极之中。因此，有效地改善了栅极电容特性，并提升栅极的反应速度。极的反应速度。极的反应速度。

【技术实现步骤摘要】
沟槽式半导体组件制造方法


[0001]本专利技术有关于一种半导体组件制造方法。特别是有关于一种沟槽式半导体组件制造方法。

技术介绍

[0002]功率金氧半场效晶体管(Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；Power MOSFET)，简称为功率晶体管，目前以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。功率金氧半场效晶体管具有非常低的导通电阻，且具有切换速度非常快的优点，所以，目前已成为功率组件的主流。
[0003]功率金氧半场效晶体管的构造，可以根据电流流通路径分类，电流在组件表面平行流通的称为水平式，电流为垂直流通的称为垂直式。垂直式功率金氧半场效晶体管的汲极端都是做在组件下端，因此，单位芯片面积的电阻可以减少。
[0004]此外，沟槽式栅极功率金氧半场效晶体管可以降低导通电阻，成为高频低压的功率组件主流。对电子电力而言，降低导通电阻以与门极电容，有助于提升功率组件的反应速度以及提升产品的质量。

技术实现思路

[0005]
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式半导体组件制造方法，其特征在于，包含：形成磊晶层于基材上；形成沟槽，于该磊晶层中；以及形成栅极结构于该沟槽之中，其中该栅极结构包含，上方栅极、下方栅极以及中间绝缘部，且该中间绝缘部位于该上方栅极之中。2.如权利要求1所述的沟槽式半导体组件制造方法，还包含：沉积第一氧化层于该沟槽之中；以及沉积第一多晶硅层于该第一氧化层之上以及该沟槽之中。3.如权利要求2所述的沟槽式半导体组件制造方法，其中该第一氧化层的厚度为5000埃到10000埃之间，且该第一多晶硅层为6000埃到10000埃之间，并填满该沟槽。4.如权利要求3所述的沟槽式半导体组件制造方法，还包含：回蚀该第一多晶硅层至该第一氧化层的上表面的下方1.5微米至2微米的位置。5.如权利要求4所述的沟槽式半导体组件制造方法，还包含：氧化该第一多晶硅层的表面，以形成第二氧化层，并利用该第二氧化层与该第一氧化层包覆该下方栅极。6.如权利要求5所述的沟槽式半导体组件制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昭言，
申请(专利权)人：富鼎先进电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：