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一种沟槽式半导体组件制造方法包含有下列步骤，首先，先形成磊晶层于基材上，然后形成沟槽于磊晶层中，以及形成栅极结构于沟槽之中，其中栅极结构包含有上方栅极、下方栅极以及中间绝缘部，且中间绝缘部位于上方栅极之中。因此，有效地改善了栅极电容特性，并...
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