一种晶片导通片组件，晶片导通片组件包括第一导通片以及第二导通片，第一导通片的第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域，第一突出区域用于接触第一电极，第一电极连接部具有第一侧以及第二侧，第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且与第二侧具有间距；第二导通片与第一导通片电性隔绝，第二导通片的第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域，第二突出区域用于接触第二电极，第二电极连接部具有第一侧边以及第二侧边，而第二凹陷区域由第一侧边朝向第二侧边延伸且与第二侧边具有间距。本实用新型专利技术大幅降低了传输阻抗，且简化晶片了的封装制程。晶片了的封装制程。晶片了的封装制程。
【技术实现步骤摘要】
晶片导通片组件及集成电路结构
[0001]本技术涉及一种晶片导通片组件及集成电路结构，特别是一种具有两个导通片的晶片导通片组件及集成电路结构。
技术介绍
[0002]晶片的封装结构对于其效能来说至关重要。一般来说，晶片自晶圆切割下来之后需要对其进行封装制程，以保护晶片免于各种物理损坏或化学腐蚀。同时更设置对应的电性接脚，以让使用者可以便利地藉由封装结构来使用晶片或对其进行测试。
[0003]目前常见的作法系将晶片设置于基座上后，再以打线的方式布线于晶片与基座上，让导线连接于晶片的电极与基座的电性接点之间。但是由于导线的线宽有其限制而使得以导线形成的传输结构的阻抗较大之外，若界接结构没有特别设计的话，也有可能因为电性连接不够确实而造成阻抗过大。当阻抗过大时，将无法降低传输损耗。此外打线的方式也造成封装的不便。
[0004]有鉴于此，目前的确需要一种改良的晶片封装结构，以便改善上述的缺点。
技术实现思路
[0005]本技术在于提供一种晶片导通片组件及集成电路结构，以取代以往用打线方式连接晶片的电极。
[0006]本技术所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的：
[0007]本技术的一实施例揭露一种晶片导通片组件，用以连接于晶片的第一电极以及第二电极。晶片导通片组件包括第一导通片以及第二导通片，第一导通片包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部，第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域，第一突出区域用于接触该第一电极，第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧，第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且与第二侧具有第一间距，而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝且包含第二电极连接部以及第二讯号传输部，第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域，第二突出区域用于接触该第二电极，该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距，而该第二讯号传输部连接于第一侧边。
[0008]本技术的一实施例揭露一种集成电路结构，包含晶片导通片组件及晶片，晶片导通片组件包含第一导通片及第二导通片，而晶片设有第一电极以及第二电极。第一导通片包含第一电极连接部以及多个第一讯号传输部，第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域，第一突出区域接触于第一电极，第一电极连接部具有相对的第一侧以及第二侧，第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且与第二侧具有第一间距，而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧。第二导通片与第一导通片电性隔绝且第二导通片包含第二电极连接部以及第二讯号传输部，第二电极连接部的
相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域，第二突出区域接触于该第二电极，该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距，而该第二讯号传输部连接于第一侧边。
[0009]换句话说，本技术提供一种晶片导通片组件，用以连接于一晶片的一第一电极以及一第二电极，该晶片导通片组件包括：
[0010]一第一导通片，包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部，该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域，该第一突出区域用于接触该第一电极，该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧，该第一凹陷区域由该第一侧朝向该第二侧延伸且与该第二侧具有一第一间距，而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧；以及
[0011]一第二导通片，与该第一导通片电性隔绝，该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部，该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域，该第二突出区域用于接触该第二电极，该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距，而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。
[0012]该第一突出区域设有一第一突块，该第一突块的面积小于该第一突出区域，该第一突块用于接触该第一电极。
[0013]该第二突出区域设有一第二突块，该第二突块的面积小于该第二突出区域，而该第二突块用于接触该第二电极。
[0014]该第一电极连接部更具有相对的一第三侧以及一第四侧，该第三侧以及该第四侧连接于该第一侧以及该第二侧，该第四侧与该第二电极连接部的距离小于该第三侧与该第二电极连接部的距离，该第一突出区域设有一第一突块，该第一突块的面积小于该第一突出区域，该第一突块连接于该第四侧。
[0015]本技术还提供一种集成电路结构，包含：
[0016]一晶片，设有一第一电极以及一第二电极；以及
[0017]一晶片导通片组件，该晶片导通片组件包含:
[0018]一第一导通片，包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部，该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域，该第一突出区域接触于该第一电极，该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧，该第一凹陷区域由该第一侧朝向该第二侧延伸且与该第二侧具有一第一间距，而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧；及
[0019]一第二导通片，与该第一导通片电性隔绝，该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部，该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域，该第二突出区域接触于该第二电极，该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距，而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。
[0020]该第一突出区域设有一第一突块，该第一突块的面积小于该第一突出区域，而该第一突块接触该第一电极。
[0021]该第二突出区域设有一第二突块，该第二突块的面积小于该第二突出区域，而该第二突块接触该第二电极。
[0022]该第一电极连接部更具有相对的一第三侧以及一第四侧，该第三侧以及该第四侧连接于该第一侧以及该第二侧，该第四侧与该第二电极连接部的距离小于该第三侧与该第二电极连接部的距离，该第一突出区域设有一第一突块，该第一突块的面积小于该第一突出区域，该第一突块连接于该第四侧。
[0023]该第一突出区域覆盖该第一电极的一部份，以及该第二突出区域覆盖该第二电极的一部份。
[0024]综合以上所述，本技术提供了一种晶片导通片组件及集成电路结构，经由相互电性绝缘的第一导通片与第二导通片分别直接接触于晶片的两个电极。相较于以往用打线方式连接晶片的电极，本技术所提供的晶片导通片组件除了大幅降低了传输阻抗之外，由于避免了于晶片与基座之间进行打线的麻烦，简化了晶片的封装制程。
[0025]以上的关于本
技术实现思路
的说明及以下的实施方式的说明系用以示范与解释本实用新本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片导通片组件，用以连接于一晶片的一第一电极以及一第二电极，其特征在于，该晶片导通片组件包括：一第一导通片，包含一第一电极连接部以及多个第一讯号传输部，该第一电极连接部的相对二表面分别设有一第一突出区域以及一第一凹陷区域，该第一突出区域用于接触该第一电极，该第一电极连接部具有相对的一第一侧以及一第二侧，该第一凹陷区域由该第一侧朝向该第二侧延伸且与该第二侧具有一第一间距，而该多个第一讯号传输部彼此相互间隔且分别连接于该第一侧；以及一第二导通片，与该第一导通片电性隔绝，该第二导通片包含一第二电极连接部以及一第二讯号传输部，该第二电极连接部的相对二表面分别设有一第二突出区域以及一第二凹陷区域，该第二突出区域用于接触该第二电极，该第二电极连接部具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，该第二凹陷区域由该第一侧边朝向该第二侧边延伸且与该第二侧边具有一第二间距，而该第二讯号传输部连接于该第一侧边。2.如权利要求1所述的晶片导通片组件，其特征在于，该第一突出区域设有一第一突块，该第一突块的面积小于该第一突出区域，该第一突块用于接触该第一电极。3.如权利要求1所述的晶片导通片组件，其特征在于，该第二突出区域设有一第二突块，该第二突块的面积小于该第二突出区域，而该第二突块用于接触该第二电极。4.如权利要求1所述的晶片导通片组件，其特征在于，该第一电极连接部更具有相对的一第三侧以及一第四侧，该第三侧以及该第四侧连接于该第一侧以及该第二侧，该第四侧与该第二电极连接部的距离小于该第三侧与该第二电极连接部的距离，该第一突出区域设有一第一突块，该第一突块的面积小于该第一突出区域，该第一突块连接于该第四侧。5.一种集成电路结构，其特征在于，包含：一晶片，设有一第一电极以及一第二电极；...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈秋讚，林孟辉，
申请(专利权)人：富鼎先进电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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