一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构，包括真空腔体、支腿、第一进气管、第二进气管和排气管，所述真空腔体的顶部固定安装有第一电机，所述真空腔体的内部设置有搅拌装置，所述搅拌装置包括安装箱，所述安装箱的内部设置有丝杆，所述安装箱的外部设置有减速机，所述减速机分别与第一电机和丝杆相连，所述丝杆的外侧螺纹连接有螺纹套，所述螺纹套的底部固定连接有滑块，所述滑块的外侧设置有导轨，且滑块的底部固定连接有连接件，所述连接件的底部固定连接有外壳，所述外壳的内部固定安装有第二电机。该基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构，使得气体之间的反应更加充分，进一步增强了气体的反应效率，具有良好的实用性。的实用性。的实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构


[0001]本技术涉及光伏配件加工
，具体为一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构。

技术介绍

[0002]光伏发电主要通过光伏板或者光伏薄膜的光伏效应来将光能转化为电能，瑞迪能源科技有限公司首创非晶硅光伏管，通过该公司的管内镀膜技术，直接在玻璃管内壁形成光伏反应薄膜，而为了防止在自然环境中水汽对光伏薄膜的侵害，光伏管的两端应进行水密型封装，而目前在光伏管密封中普遍使用铝闷头腔盖，腔盖在加工时需要用到金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）工艺金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
[0003]在金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）中需要使用到真空反应腔体供不同气体之间进行反应，但是现有技术中气体通入真空反应腔体之间的混合往往不均匀，从而影响了气体的反应效率，实用性较低，故而提出一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构来解决上述中所提出的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构，包括真空腔体（1）、支腿（2）、第一进气管（3）、第二进气管（4）和排气管（5），其特征在于：所述真空腔体（1）的顶部固定安装有第一电机（6），所述真空腔体（1）的内部设置有搅拌装置；所述搅拌装置包括安装箱（7），所述安装箱（7）的内部设置有丝杆（9），所述安装箱（7）的外部设置有减速机（8），所述减速机（8）分别与第一电机（6）和丝杆（9）相连，所述丝杆（9）的外侧螺纹连接有螺纹套（10），所述螺纹套（10）的底部固定连接有滑块（12），所述滑块（12）的外侧设置有导轨（11），且滑块（12）的底部固定连接有连接件（13），所述连接件（13）的底部固定连接有外壳（14），所述外壳（14）的内部固定安装有第二电机（15），所述第二电机（15）的输出轴上固定安装有主杆（16），所述主杆（16）的外壁上固定安装有搅拌叶（17）。2.根据权利要求1所述的一种基于气相沉淀技术的真空反应腔体结构，其特征在于：所述第一进气管（3）和第二进气管（4）均固定安装至真空腔体（1）的侧壁上，所述支腿（2）和排气管（5）均固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：高松，陈红霞，陈东，
申请(专利权)人：靖江新恒和半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：