嵌体、部件承载件以及制造嵌体和部件承载件的方法技术

描述了一种用于部件承载件(100)的嵌体(150)，该嵌体(150)包括以下各者或由以下各者构成：i)气体可渗透的多孔层结构(110)；ii)上部层结构(120)，该上部层结构被布置在气体可渗透的多孔层结构(110)上，其中，该上部层结构(120)包括腔(125)，该腔被构造成使得气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露；以及iii)上部金属层结构(130)，该上部金属层结构被布置在上部层结构(120)上。此外，还描述了一种包括嵌体的部件承载件以及一种制造嵌体和部件承载件的方法。部件承载件的方法。部件承载件的方法。

【技术实现步骤摘要】
嵌体、部件承载件以及制造嵌体和部件承载件的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于部件承载件的嵌体，该嵌体具有气体可渗透的多孔层结构，特别地该嵌体具有被层结构和金属层结构至少部分地覆盖的多孔层结构。此外，本专利技术还涉及一种包括该嵌体的部件承载件。本专利技术还涉及一种制造该嵌体的方法，以及一种制造具有该嵌体的部件承载件的方法。
[0002]因此，本专利技术可以涉及部件承载件的
，该部件承载件诸如为印刷电路板或集成电路(integrated circuit，IC)基板及其制造方法。

技术介绍

[0003]在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增加、这样的电子部件日益小型化以及安装在部件承载件诸如印刷电路板上的电子部件的数量不断增加的情况下，具有多个电子部件的越来越强大的阵列式部件或封装件被采用，这些部件或封装件具有多个接触部或连接部，这些接触部之间的间距越来越小。在操作期间，移除由这些电子部件和部件承载件本身产生的热成为越来越大的问题。此外，对电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)的有效保护也成为越来越大的问题。同时，部件承载件应在机械上鲁棒，并且在电气和磁性上可靠，以便即使在恶劣条件下也能操作。
[0004]特别地，在部件承载件内提供特定的功能可能被认为是具有挑战的。EP 3 820 258A1描述了一种具有暴露层的部件承载件，由此暴露层与部件承载件一起在同一个过程中制造。

技术实现思路

[0005]可能需要以可靠且设计灵活的方式在部件承载件内提供特定的功能。
[0006]提供了一种嵌体、一种部件承载件、一种制造嵌体的方法和一种制造部件承载件的方法。
[0007]根据本专利技术的一方面，描述了一种用于部件承载件的嵌体，该嵌体包括下述各者或由下述各者构成：
[0008]i)气体(特别地空气)可渗透的多孔层结构(例如聚四氟乙烯(PTFE)层)；
[0009]ii)上部层结构(特别地介电层结构)，该上部层结构被布置在(特别地被直接地布置在)气体可渗透的多孔层结构上，
[0010]其中，上部层结构包括腔，该腔被构造成(例如，被构造为盲孔)使得气体可渗透的多孔层结构的上部部分被暴露；以及
[0011]iii)上部金属层结构(特别地铜层)，该上部金属层结构被布置在(特别地被直接地布置在)上部层结构上。
[0012]根据本专利技术的另一方面，描述了一种部件承载件，该部件承载件包括：
[0013]i)叠置件，该叠置件包括至少一个电传导层结构和至少一个电绝缘层结构；以及
[0014]ii)嵌体(如上所描述的)，其中嵌体被组装至叠置件，特别地，嵌体被嵌入叠置件
dielectric，PID)材料，并被构造为粘合膜。在该示例中，腔可以通过光刻技术有效地形成(另外和/或替代性地，可以应用剥离和/或钻孔工艺来形成)。尽管在一个示例中，层结构完全暴露了下方的多孔层结构的特定区域，但在另一示例中，层结构可以被图形化，从而使暴露的区域被图形化的层结构材料部分地覆盖。层结构可以附接至多孔层结构(膜)，并例如通过UV辐射和显影的方式被图形化。层结构可以对在特定区域上受保护的多孔层结构进行保护，而其他区域则可以接触到周围环境。层结构材料可以用于保护多孔层结构免受潮湿、氧化和其他(机械)影响，例如压力。通过这种设计，气流可以在指定区域中穿过多孔层结构。在实施方式中，层结构还可以包括粘合特性。
[0029]在本文的上下文中，术语“金属层结构”可以指连续或不连续的金属层，例如箔，该金属层被布置在上部/下部层结构上/下方。金属层结构可以具有与层结构相同的尺寸/形状，或者金属层结构可以包括不同的尺寸/形状特性。在示例中，金属层结构(部分地)覆盖腔。在另一示例中，金属层包括金属腔以使多孔层结构完全暴露。
[0030]在本文的上下文中，术语“嵌体(inlay)”可以指在嵌体制造过程中制造的单独部件/元件，该嵌体制造过程(基本上)独立于部件承载件制造过程。嵌体可以被构造为表面安装在所述部件承载件上或嵌入所述部件承载件中。然而，嵌体可以以完全独立于部件承载件地方式被生产、销售和运输。然而，在实施方式中，嵌体和部件承载件的制造过程可以交织在一起。嵌体也可以被称为独立构件，并且可以在部件承载件技术的基础上形成，特别地在印刷电路板(printed circuit board，PCB)技术的基础上形成，并且嵌体可以表面安装至单独形成的部件承载件或嵌入单独形成的部件承载件，所述单独形成的部件承载件为诸如PCB。然而，嵌体部件也可以与非部件承载件应用结合起来使用。
[0031]嵌体可以基本上被成形为板，也就是说，嵌体包括两个方向：沿X轴和Y轴的主要延伸方向(就像主表面)以及沿Z轴的相对较短的延伸方向。因此，在这种情况下，术语“水平”可以指“与主延伸方向平行地定向”，而术语“竖向”可以指“与主延伸方向垂直地定向”。因此，即使嵌体被翻转，术语“竖向”和“水平”总是具有相同的含义。此外，嵌体可以包括不同的形状，例如圆形、矩形、多边形中的一种。
[0032]根据示例性实施方式，本专利技术可以基于以下构思：当气体可渗透的多孔层结构(其可以实现多种功能)以嵌体的形式布置在上部层结构和金属层结构上(特别地夹置在上部层结构与金属层结构中间)时，可以以可靠且设计灵活的方式提供部件承载件内的特定功能。这样的嵌体可以独立于部件承载件(层叠置件)来生产和处理。因此，功能嵌体的制造和设计更加灵活，并且可以有利地适应特定的应用。许多有利的结构能够实现相对于部件承载件层叠置件进行表面安装或嵌入的嵌体，特别地，部件承载件层叠置件包括一个或更多个另外的电子部件。
[0033]通过提供上部/下部层结构，可以调节/调整多孔层结构的具体特性(例如，气流性能、防潮/抗氧化等)。部件承载件独立制造过程可以实现若干优点，例如，避免去污和机械材料移除过程，多孔层结构上的异物残留较少，材料移除过程较干净，前后偏移比机械材料移除后更少，以及对周围材料的损坏较小。
[0034]如下文中将变得明显的，可以存在多个有利的架构，该有利的架构可以通过部件承载件中的嵌体来实现。尽管嵌体可以与部件承载件分开制造，但既定的部件承载件过程可以应用于生产嵌体，从而能够在现有的部件承载件生产线中直接实施。
[0035]示例性实施方式
[0036]在下文中，将解释嵌体、部件承载件和方法的另外的示例性实施方式。
[0037]根据实施方式，下部层结构被布置在气体可渗透的多孔层结构的下方，其中下部层结构包括另外的腔，该另外的腔被构造成使得气体可渗透的多孔层结构的下部部分被暴露。在这种构造中，气体可渗透的多孔层结构可以被夹置在两个(介电)层结构之间。因此，气体可渗透的多孔层结构的上部主表面和下部主表面可以被暴露。暴露区域可以完全彼此相对，或者可以相对于水平方向移位。
[0038]根据另一实施方式，上部层结构和/或下部层结构包括可光成像材料(例如，PID材料，或纳米压印光刻(na本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于部件承载件(100)的嵌体(150)，所述嵌体(150)包括下述各者或由下述各者构成：气体可渗透的多孔层结构(110)；上部层结构(120)，所述上部层结构被布置在所述气体可渗透的多孔层结构(110)上，其中，所述上部层结构(120)包括腔(125)，所述腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的上部部分暴露；以及上部金属层结构(130)，所述上部金属层结构被布置在所述上部层结构(120)上。2.根据权利要求1所述的嵌体(150)，所述嵌体还包括：下部层结构(121)，所述下部层结构被布置在所述气体可渗透的多孔层结构(110)的下方，其中，所述下部层结构(121)包括另外的腔(126)，所述另外的腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的下部部分暴露。3.根据权利要求2所述的嵌体(150)，其中，所述上部层结构(120)和/或所述下部层结构(121)包括可光成像材料和/或纳米压印光刻抗蚀剂。4.根据权利要求3所述的嵌体(150)，其中，所述可光成像材料包括可光成像介电材料，或者所述可光成像材料由可光成像介电材料构成；以及/或者其中，所述可光成像材料包括改进的粘合性能；以及/或者其中，所述可光成像材料包括聚合物或由聚合物构成，特别地所述可光成像材料包括聚合物的混合物或由聚合物的混合物构成；以及/或者其中，所述可光成像材料包括添加剂，特别地所述可光成像材料包括共轭π体系；以及/或者其中，所述可光成像材料被构造为温度稳定性高的材料，特别地所述可光成像材料在达至少250℃的情况下是温度稳定的；以及/或者其中，所述可光成像材料对UV辐射敏感；以及/或者其中，所述可光成像材料包括负性材料或正性材料，或者由负性材料或正性材料构成；以及/或者其中，所述可光成像材料包括200gf/cm或更高的剥离强度，特别地，所述可光成像材料包括在200gf/cm至1500gf/cm的范围内的剥离强度，更特别地，所述可光成像材料包括500gf/cm或更低的剥离强度；和/或其中，可光成像固化温度在100℃至300℃的范围内，特别地，可光成像固化温度在150℃至250℃的范围内。5.根据权利要求1所述的嵌体(150)，所述嵌体还包括至少部分涂层，所述涂层被布置在所述气体可渗透的多孔层结构(110)的至少一个主表面上，特别地，所述嵌体还包括表面处理部(140)。6.根据权利要求2所述的嵌体(150)，其中，所述下部层结构(121)包括与所述上部层结构(120)相比不同的尺寸和/或形状。7.根据权利要求2所述的嵌体(150)，
其中，所述下部层结构(121)包括相对于所述上部层结构(120)的水平偏移；以及/或者其中，所述腔(125)或所述另外的腔(126)包括筒形或平行六面体的形状；以及/或者其中，所述腔(125)包括所述上部层结构(120)的子结构，特别地，所述腔(125)包括所述上部层结构(120)的图形化的子结构(127)；以及/或者其中，所述另外的腔(126)包括所述下部层结构(121)的另外的子结构，特别地，所述另外的腔(126)包括所述下部层结构(121)的另外的图形化子结构。8.根据权利要求2所述的嵌体(150)，所述嵌体还包括：下部金属层结构(131)，所述下部金属层结构被布置在介电的所述下部层结构(121)的下方。9.根据权利要求8所述的嵌体(150)，其中，所述上部金属层(130)和/或所述下部金属层(131)包括金属层腔(135、136)，所述金属层腔被构造成使得所述气体可渗透的多孔层结构(110)的一部分被暴露，特别地，其中，所述金属层腔(135、136)包括渐缩的侧壁；以及/或者其中，所述金属层腔(135、136)比所述腔(125)和/或所述另外的腔(126)更大，特别地所述金属层腔(135、136)与所述腔(125)和/或所述另外的腔(126)相比具有更大的直径。10.根据权利要求2所述的嵌体(150)，其中，所述下部层结构(121)和/或所述上部层结构(120)包括传导连接结构(142)，特别地，所述下部层结构(121)和/或所述上部层结构(120)包括传导垫，特别地其中，电子部件(145)被连接至所述传导连接结构(142)中的至少一个传导连接结构，特别地，所述电子部件是半导体芯片。11.根据权利要求8所述的嵌体(150)，其中，所述上部金属层结构(130)是位于所述腔(125)的上方的连续的层；以及/或者所述下部金属层结构(131)是位于所述另外的腔(126)的下方的连续的层；以及/或者其中，所述腔(125)和/或所述另外的腔(126)包括基本上不渐缩的侧壁。12.根据权利要求1所述的嵌体(150)，其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)被构造为膜；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括非织造材料；和/或其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)被构造为半透明或不透明的；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)是不能渗透水的；以及/或者其中，所述气体可渗透的多孔层结构(110)包括芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬妮，
申请(专利权)人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：