基板保持装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板保持装置，其能够不损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能地顺利排出辅助气体。基板保持装置(SH)具备：基座(6)，其突出设置有与被处理基板(Sw)的外周边部抵接的第一环状壁(61)和配置在该第一环状壁内侧的第二环状壁(62)；面压施加机构(51)，其朝向第一和第二的各环状壁对分别与第一和第二的各环状壁抵接的被处理基板施加面压；以及气体导入机构(71、72、71a、72a)，其向由被处理基板与第一和第二的各环状壁划分的基座内的外侧空间(63)、由被处理基板与第二环状壁划分的基座内的内侧空间(64)中导入规定的气体，使外侧空间和内侧空间分别呈气体气氛。在第二环状壁上形成有连通外侧空间和内侧空间的连通路径(62a)，其具有能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的流导值。和内侧空间的气体气氛分离的流导值。和内侧空间的气体气氛分离的流导值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板保持装置


[0001]本专利技术涉及在实施规定的真空处理的真空气氛中的真空室内保持被处理基板的基板保持装置。

技术介绍

[0002]作为这种基板保持装置，一般已知的是在真空气氛中的真空处理期间，为了吸附保持玻璃基板或硅晶片这类被处理基板而具备静电卡盘的装置(例如，参照专利文献1)。其具有：组装有卡盘用电极和加热冷却机构的基台；以及设置在基台上表面的作为基座的卡板。卡板由基底板部、突出设置在基底板部的外周边部的环状壁(肋部)以及竖立在比环状壁靠内侧的基底板部的上表面部分上的多个支撑片构成。而且，在将被处理基板设置成其外周边部与环状壁的上表面抵接后，通过向卡盘用电极供电而产生的静电力，朝向环状壁对外周边部施加面压，将被处理基板(吸附)保持在卡板上。
[0003]再有，在上述现有例的基板保持装置中，形成有连通基台与卡板的气体通道，通过气体通道将氩气或氦气这类的辅助气体(规定的气体)导入由被处理基板的背面、底板部的上表面和环状壁划分的空间内，可以使该空间呈规定压力的气体气氛。由此，能够降低被处理基板和基台之间的热阻，高效地加热或冷却被处理基板。通常，在被处理基板的外周边部与环状壁的上表面之间没有设置任何O形环等密封部件。因此，即使在施加面压使被处理基板的外周边部在其整周上与环状壁的上表面面接触(吸附)的保持状态下，辅助气体也会因与真空处理时的真空室内的压力的差压而泄漏。这在被处理基板是不能作用较高吸附力的玻璃基板的情况下更为显著。
[0004]因此，已知的是以与被处理基板的外周边部抵接的环状壁为第一环状壁，在该第一环状壁的内侧突出设置有至少一个与被处理基板的部分进一步抵接的第二环状壁的装置(例如，参照专利文献2)。而且，在真空气氛中的真空处理期间，在由被处理基板与第一和第二各环状壁划分的卡板内的外侧空间、由被处理基板与第二环状壁划分的卡板内的内侧空间中分别导入辅助气体，将外侧空间和内侧空间设置为同等压力范围的气体气氛。由此，由于外侧空间和内侧空间之间几乎没有压力差，特别是抑制了辅助气体从内侧空间的泄漏，能够尽量减少辅助气体的泄漏量(换言之，被处理基板对卡板的密封性提高)。
[0005]然而，如果采用上述现有例那样的结构，则在真空气氛中的真空处理完成后，即使停止向外侧空间和内侧空间导入辅助气体，也会导致残留在内侧空间中的辅助气体不能顺畅地排出的问题。在这种情况下，即使放开施加在被处理基板上的面压，卡板也会粘贴在被处理基板上，在从卡板卸下被处理基板时(例如，用提升销抬起时)，被处理基板会振动或破损。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]【专利文献1】日本专利公开2010
‑
123810号公报
[0009]【专利文献2】日本专利公表2020
‑
512692号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的技术问题
[0011]鉴于以上情况，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种基板保持装置，其能够不损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能地顺利排出导入的辅助气体。
[0012]解决技术问题的手段
[0013]为了解决上述技术问题，本专利技术的基板保持装置，其在实施规定真空处理的真空气氛中的真空室内保持被处理基板，其特征在于，具备：基座，其突出设置有与被处理基板的外周边部抵接的第一环状壁和配置在该第一环状壁内侧的第二环状壁；面压施加机构，其朝向第一和第二的各环状壁对分别与第一和第二的各环状壁抵接的被处理基板施加面压；以及气体导入机构，其向由被处理基板与第一和第二的各环状壁划分的基座内的外侧空间、由被处理基板与第二环状壁划分的基座内的内侧空间中导入辅助气体，使外侧空间和内侧空间分别呈气体气氛；在第二环状壁上形成有连通外侧空间和内侧空间的连通路径，其具有能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的流导值。
[0014]根据上述方式，在将被处理基板设置为被处理基板的外周边部与第一环状壁的上表面抵接且位于其内侧的被处理基板的部分与第二环状壁的上表面抵接的姿态后，朝向第一和第二的各环状壁对被处理基板施加面压，从而使被处理基板保持在基座上。在真空气氛中的真空处理中，通过气体导入机构向外侧空间和内侧空间导入辅助气体，形成外侧空间和内侧空间呈彼此同等的压力范围的气体气氛。此时，由于与真空室内的压力的差压，不能完全防止导入外侧空间的辅助气体向真空室内的泄漏，因此继续导入辅助气体，以使该外侧空间维持在规定的压力范围。另一方面，当外侧空间和内侧空间呈彼此气氛分离的同等压力范围的气体气氛时，由于几乎抑制了辅助气体从内侧空间的泄漏，所以可停止向内侧空间导入气体。然后，在真空气氛中的真空处理结束后，停止向外侧空间(有时为内侧空间)导入辅助气体。于是，在与真空室内压力的差压下，残留在外侧空间中的气体被排出，随之，外侧空间内的压力降低，从而外侧空间和内侧空间之间的压力差使残留在内侧空间中的气体通过连通路径积极地向外侧空间排出。
[0015]这样，在本专利技术中，通过在第二环状壁上设置连通外侧空间和内侧空间的连通路径，能够顺畅地排出残留在内侧空间中的气体，能够消除放开对被处理基板施加的面压时的被处理基板的粘贴这类问题。而且，由于将连通路径的流导值设置为能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的值，因此不会损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能。
[0016]在本专利技术中，如果采用在与所述被处理基板抵接的所述第二环状壁的上表面形成凹槽，并由该凹槽形成连通路径的结构的话，则能够实现具有能够使外侧空间和内侧空间气体气氛分离的流导值的连通路径。在此情况下，所述凹槽的内侧面也可以构成为使凹凸以非接触的方式啮合而具有迷宫式结构。由此，通过能够将连通路径设置得较长，例如可增大连通路径的宽度(截面积)，能够更顺畅地排出残留在内侧空间中的气体，是有利的。另一方面，也可以采用与所述被处理基板抵接的所述第二环状壁的至少上端部分具有多根支柱，其竖立在具有规定宽度的环状区域内，由彼此相邻的支柱间的间隙形成连通路径的结构、与所述被处理基板抵接的所述第二环状壁的上表面具有比使述第一环状壁的上表面粗糙的表面粗糙度，由第二环状壁的上表面和与其抵接的被处理基板的部分之间的间隙形成
连通路经的结构。
[0017]再有，在本专利技术中，如果采用多个支撑片以与所述第一和第二的各环状壁同等以下的高度竖立在分别面对所述外侧空间和所述内侧空间的所述基座的表面部分上的结构的话，则使导入到外侧空间和内侧空间的气体扩散，能够在被处理基板的整个面上大致均等地加热或冷却被处理基板，是有利的。
附图说明
[0018]图1是具备本实施方式的基板保持装置的溅射装置的剖视示意图。
[0019]图2是图1中点划线所示的放大部的俯视图。
[0020]图3是示出变形例涉及的连通路径的与图2对应的俯视图。
[0021]图4的(a)和(b)是另一变形例涉及的连通路径的剖视图和俯视图。
具体实施方式
[0022]以下，参照附图，以具有矩形轮廓的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板保持装置，其在实施规定真空处理的真空气氛中的真空室内保持被处理基板，其特征在于，具备：基座，其突出设置有与被处理基板的外周边部抵接的第一环状壁和配置在该第一环状壁内侧的第二环状壁；面压施加机构，其朝向第一和第二的各环状壁对分别与第一和第二的各环状壁抵接的被处理基板施加面压；以及气体导入机构，其向由被处理基板与第一和第二的各环状壁划分的基座内的外侧空间、由被处理基板与第二环状壁划分的基座内的内侧空间中导入规定的气体，使外侧空间和内侧空间分别呈气体气氛；在第二环状壁上形成有连通外侧空间和内侧空间的连通路径，其具有能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的流导值。2.根据权利要求1所述的基板保持装置，其特征在于：在与所述被处理基板抵接的所述第二环状壁的上表面形成凹槽，由该凹槽形成连通路径...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥铁兵，阪上弘敏，前平谦，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：