多态存储单元结构的制作方法及存储器技术

本发明专利技术涉及一种多态存储单元结构的制作方法及存储器，该多态存储单元结构的制作方法包括：在底电极上制作磁隧道结与磁性掩模层，磁性掩模层设置于磁隧道结上；沉积介质掩模层并进行平坦化处理；在介质掩模层涂覆光刻胶层并进行曝光、显影；对光刻胶层进行烘焙处理以使光刻胶回流；对回流后的光刻胶层进行刻蚀，以根据需求尺寸修正光刻胶层上的图形；以带有修正图形的光刻胶层为掩膜进行刻蚀，形成穿透磁性掩模层的微孔；对微孔进行金属填充形成金属塞，以连接金属导线。本发明专利技术改善了纳米微缩工艺，有利于器件集成密度和存储效率的提高。磁性掩模层上较小尺寸的微孔可以形成高密度的偏置磁场，从而辅助自由层形成中间态，进一步提高了存储效率。步提高了存储效率。步提高了存储效率。

【技术实现步骤摘要】
多态存储单元结构的制作方法及存储器


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种多态存储单元结构的制作方法及存储器。

技术介绍

[0002]磁阻随机存取存储器 (MRAM)由纳米磁体组成，其中“低态”和“高态”状态通常代表磁隧道结（MTJ）中的“0”和“1”位。写入这些位有两种主要方法：电流相关方法和电场相关方法。当使用自旋转移矩（STT）写入时，电流相关方法通常会导致高能量耗散和器件寿命缩短，使用自旋轨道扭矩（SOT）会延长器件寿命。但是，SOT
‑
MRAM会提高能耗，且一般为三端器件，会导致器件集成密度降低，降低存储效率。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种可提高集成密度，以及提高存储效率的多态存储单元结构的制作方法及存储器。
[0004]本专利技术提供的一种多态存储单元结构的制作方法，包括：在底电极上制作磁隧道结与磁性掩模层，所述磁性掩模层设置于所述磁隧道结上；沉积介质掩模层并进行平坦化处理；在所述介质掩模层涂覆光刻胶层并进行曝光、显影；对所述光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多态存储单元结构的制作方法，其特征在于，包括：在底电极上制作磁隧道结与磁性掩模层，所述磁性掩模层设置于所述磁隧道结上；沉积介质掩模层并进行平坦化处理；在所述介质掩模层涂覆光刻胶层并进行曝光、显影；对所述光刻胶层进行烘焙处理以使光刻胶回流；对回流后的光刻胶层进行刻蚀，以根据需求尺寸修正光刻胶层上的图形；以带有修正图形的光刻胶层为掩膜进行刻蚀，形成穿透所述磁性掩模层的微孔；对所述微孔进行金属填充形成金属塞，以连接金属导线。2.根据权利要求1所述的多态存储单元结构的制作方法，其特征在于，所述沉积介质掩模层并进行平坦化处理，包括：在所述磁性掩模层上方依次沉积第一介质掩模层与第二介质掩模层；对所述第二介质掩模层进行CMP平坦化处理。3.根据权利要求2所述的多态存储单元结构的制作方法，其特征在于，所述对所述第二介质掩模层进行CMP平坦化处理，之后包括：在平坦化处理后的第二介质掩模层上沉积第三介质掩模层。4.根据权利要求3所述的多态存储单元结构的制作方法，其特征在于，所述以带有修正图形的光刻胶层为掩膜进行刻蚀，形成穿透所述磁性掩模层微孔，包括：利用光刻胶层作为掩膜对所述第三介质掩模层进行刻蚀、去胶处理，将图形传递至第三介质掩模层；基于所述第三介质掩模层上的图形刻蚀第二介质掩模层与第一介质掩模层，直至磁性掩模层；刻蚀穿透磁性掩模层。5.根据权利要求4所述的多态存储单元结构的制作方法，其特征在于，所述对所述微孔进行金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉毅，李云鹏，郭宗夏，张丛，刘宏喜，曹凯华，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：