一种制作半导体元件的方法技术

本发明专利技术公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于该MTJ上，形成一金属间介电层环绕该MTJ以及该SOT层，形成一第一硬掩模于该金属间介电层上，形成一半导体层于该第一硬掩模上，再图案化该第一硬掩模。一硬掩模。一硬掩模。

【技术实现步骤摘要】
一种制作半导体元件的方法


[0001]本专利技术涉及一种制作半导体元件，尤其是涉及一种制作磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)元件的方法。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上；形成自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于该磁性隧穿结上；形成金属间介电层环绕该磁性隧穿结以及该自旋轨道转矩式层；形成第一硬掩模于该金属间介电层上；形成半导体层于该第一硬掩模上；以及图案化该第一硬掩模。2.如权利要求1所述的方法，还包含：形成间隙壁于该磁性隧穿结以及该自旋轨道转矩式层旁；形成该金属间介电层环绕该间隙壁；形成该半导体层于该第一硬掩模上；形成第二硬掩模于该半导体层上；图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宏益，吴家荣，林毓翔，陈奕文，杨坤昇，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：