【技术实现步骤摘要】
一种大面积室温铁磁性钴掺杂二硫化钼薄膜的制备方法
[0001]本专利技术涉及二维磁性材料制备领域，具体是一种大面积室温铁磁性钴掺杂二硫化钼薄膜的制备方法。
技术介绍
[0002]作为一种二维材料，二硫化钼具有优异的电学、光学和力学性质，有望用于制备高性能的电子器件、传感器、光电器件等。然而，由于其自然状态下缺乏磁性，限制了其在磁性学及相关领域的应用。如果能够制备大面积磁性二硫化钼薄膜材料，将大大扩展其应用领域，例如实现磁性储存、磁性传感器和磁性自旋电子学等。目前已经有很多方法能够赋予二硫化钼的室温铁磁性，例如引入应力，缺陷，掺杂磁性离子等。其中离子掺杂被认为是制备稳定磁性二硫化钼的一种最简单可靠的方法。然而，提高二维磁性材料的制备面积是目前制约其得到广泛应用的一个重要瓶颈。发展新的可以制备面积更大且具有较高质量的二维铁磁性二硫化钼薄膜，目前应用最广泛的制备二硫化钼薄膜的方法是化学气相沉积法，但是这个方法存在制备工艺复杂，成本昂贵，可重复性低，制备面积较小，缺乏可扩展性等缺点。
技术实现思路
[0003]本专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大面积室温铁磁性钴掺杂二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：具体包括有以下步骤：(1)、将硅衬底在食人鱼溶液中浸泡，清洗掉硅衬底表面的有机污渍，然后在75
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85℃下干燥10
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15min后，备用；(2)、将高纯(NH4)2MoS4和钴盐溶入N,N
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二甲基甲酰胺和乙二醇的混合溶剂中，进行超声处理，得混合溶液；(3)、使用旋涂法将混合溶液旋涂至清洗干燥后的硅衬底上，然后在75
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85℃下干燥25
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35min，形成具有薄膜结构的硅片；(4)、将具有薄膜结构的硅片放入管式炉中，在还原性气氛中，将炉腔温度升至450
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550℃后，将具有薄膜结构的硅片推入炉腔反应区，在450
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550℃下反应50
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70min，完成第一步退火操作，使薄膜成型；然后将硅片移至管式炉的冷却区，将炉腔反应区的温度升至800
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850℃，将还原性气氛切换至惰性气氛，并进行通硫操作，当通硫区温度升至160
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180℃、炉腔反应区温度升至800
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850℃时，将硅片再次推入炉腔反应区内，在800
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850℃下反应25
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35min，完成第二步退火操作，反...
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