一种基盘加热系统及半导体设备技术方案

本申请提供一种基盘加热系统及半导体设备，涉及气相沉积技术领域。该基盘加热系统包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热承载面，第二加热组件用于对第一加热组件加热。该基盘加热系统，在旋转的基盘内分别设置第一加热组件和第二加热组件，通过至少两级加热，提高了基盘温度的稳定性，从而提高了衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，能够得到高质量的薄膜。得到高质量的薄膜。得到高质量的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种基盘加热系统及半导体设备


[0001]本申请涉及气相沉积
，具体而言，涉及一种基盘加热系统及半导体设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)工艺室通常用于半导体工业中，以将薄膜沉积到CVD工艺室中的晶圆载盘上的衬底晶片表面。CVD工艺腔室可以采用等离子体技术来实现具有可流动的CVD间隙填充工艺。然而，随着衬底晶片表面上的特征尺寸继续减小，现有的晶圆载盘很难在CVD间隙填充工艺中使衬底晶片表面获得均匀性较高的薄膜。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种基盘加热系统及半导体设备，其能够提高衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，得到高质量的薄膜。
[0004]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0005]本申请实施例的一方面，提供一种基盘加热系统，包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热基盘，第二加热组件用于对第一加热组件加热。<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基盘加热系统，其特征在于，包括：基座(110)和转动设置在所述基座(110)上的基盘(120)，所述基盘(120)内设有第一加热组件(130)和第二加热组件(140)，所述第一加热组件(130)位于所述基盘(120)的承载面(121)和所述第二加热组件(140)之间，所述第一加热组件(130)用于加热所述基盘(120)，所述第二加热组件(140)用于对所述第一加热组件(130)加热。2.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，所述第一加热组件(130)包括加热通道，所述加热通道内循环通入加热介质，所述第二加热组件(140)包括加热板(141)，所述加热板(141)的加热面朝向所述加热通道。3.如权利要求2所述的基盘加热系统，其特征在于，所述加热通道包括多个呈环形的子加热通道(131)，多个所述子加热通道(131)同心设置并通过跨接加热通道相互连通。4.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，所述基盘(120)的承载面(121)上设有真空吸附槽(122)，所述真空吸附槽(122)的底部设有真空孔(123)，所述真空吸附槽(122)通过所述真空孔(123)与抽真空装置连通，所述真空吸附槽(122)用于将衬底晶片吸附固定在所述承载面(121)上。5.如权利要求4所述的基盘加热系统，其特征在于，所述真空吸附槽(122)包括多个呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳娟，尹艳超，谭华强，张佳琦，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：