一种基盘加热系统及半导体设备技术方案

本申请提供一种基盘加热系统及半导体设备，涉及气相沉积技术领域。该基盘加热系统包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热承载面，第二加热组件用于对第一加热组件加热。该基盘加热系统，在旋转的基盘内分别设置第一加热组件和第二加热组件，通过至少两级加热，提高了基盘温度的稳定性，从而提高了衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，能够得到高质量的薄膜。得到高质量的薄膜。得到高质量的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种基盘加热系统及半导体设备


[0001]本申请涉及气相沉积
，具体而言，涉及一种基盘加热系统及半导体设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)工艺室通常用于半导体工业中，以将薄膜沉积到CVD工艺室中的晶圆载盘上的衬底晶片表面。CVD工艺腔室可以采用等离子体技术来实现具有可流动的CVD间隙填充工艺。然而，随着衬底晶片表面上的特征尺寸继续减小，现有的晶圆载盘很难在CVD间隙填充工艺中使衬底晶片表面获得均匀性较高的薄膜。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种基盘加热系统及半导体设备，其能够提高衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，得到高质量的薄膜。
[0004]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0005]本申请实施例的一方面，提供一种基盘加热系统，包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热基盘，第二加热组件用于对第一加热组件加热。
[0006]可选地，第一加热组件包括加热通道，加热通道内循环通入加热介质，第二加热组件包括加热板，加热板的加热面朝向加热通道。
[0007]可选地，加热通道包括多个呈环形的子加热通道，多个子加热通道同心设置并通过跨接加热通道相互连通。
[0008]可选地，基盘的承载面上设有真空吸附槽，真空吸附槽的底部设有真空孔，真空吸附槽通过真空孔与抽真空装置连通，真空吸附槽用于将衬底晶片吸附固定在承载面上。
[0009]可选地，真空吸附槽包括多个呈环形的子吸附槽，多个子吸附槽同心设置并通过多个跨接吸附槽相互连通。
[0010]可选地，多个跨接吸附通道相对于基座的旋转中心呈放射性分布。
[0011]可选地，还包括设置在基座上的旋转驱动装置，旋转驱动装置与基盘驱动连接，基盘与旋转驱动装置之间设有至少两个密封圈，至少两个密封圈沿基座的旋转轴线方向间隔分布。
[0012]可选地，还包括水银滑环，水银滑环的一端与基座连接、另一端与基盘连接。
[0013]可选地，加热通道的入口处和出口处分别设有第一通道和第二通道，第一通道和第二通道垂直于基盘的承载面，第一通道的另一端与介质源连通，介质源内的加热介质通过第一通道进入加热通道并通过第二通道离开加热通道。
[0014]本申请实施例的另一方面，提供一种半导体设备，包括如上任一项的基盘加热系统。
[0015]本申请的有益效果包括：
[0016]本申请提供了一种基盘加热系统，包括：基座和转动设置在基座上的基盘，基盘内
设有第一加热组件和第二加热组件，第一加热组件位于基盘的承载面和第二加热组件之间，第一加热组件用于加热承载面，第二加热组件用于对第一加热组件加热。该基盘加热系统，在旋转的基盘内分别设置第一加热组件和第二加热组件，通过至少两级加热，提高了基盘温度的稳定性，从而提高了衬底晶片表面薄膜沉积的均匀性，能够得到高质量的薄膜。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0018]图1为本申请实施例提供的基盘加热系统的剖视图；
[0019]图2为本申请实施例提供的基盘加热系统中基盘的剖视图；
[0020]图3为本申请实施例提供的基盘加热系统中基盘的结构示意图；
[0021]图4为本申请实施例提供的基盘加热系统的局部剖视图；
[0022]图5为本申请实施例提供的基盘加热系统中水银滑环的安装示意图。
[0023]图标：100
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基盘加热系统；110
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基座；120
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基盘；121
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承载面；122
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真空吸附槽；123
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真空孔；124
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真空通道；125
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子吸附槽；126
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跨接吸附槽；130
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第一加热组件；131
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子加热通道；132
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第一通道；133
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第二通道；140
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第二加热组件；141
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加热板；150
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旋转驱动装置；160
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密封圈；170
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水银滑环。
具体实施方式
[0024]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0025]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的各个特征可以相互结合，结合后的实施例依然在本申请的保护范围内。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0027]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一
体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0029]本申请实施例的一方面，参照图1和图2，提供一种基盘加热系统100，包括：基座110和转动设置在基座110上的基盘120，基盘120内设有第一加热组件130和第二加热组件140，第一加热组件130位于基盘120的承载面121和第二加热组件140之间，第一加热组件130用于加热基盘120，第二加热组件140用于对第一加热组件130加热。
[0030]基盘120的承载面12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基盘加热系统，其特征在于，包括：基座(110)和转动设置在所述基座(110)上的基盘(120)，所述基盘(120)内设有第一加热组件(130)和第二加热组件(140)，所述第一加热组件(130)位于所述基盘(120)的承载面(121)和所述第二加热组件(140)之间，所述第一加热组件(130)用于加热所述基盘(120)，所述第二加热组件(140)用于对所述第一加热组件(130)加热。2.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，所述第一加热组件(130)包括加热通道，所述加热通道内循环通入加热介质，所述第二加热组件(140)包括加热板(141)，所述加热板(141)的加热面朝向所述加热通道。3.如权利要求2所述的基盘加热系统，其特征在于，所述加热通道包括多个呈环形的子加热通道(131)，多个所述子加热通道(131)同心设置并通过跨接加热通道相互连通。4.如权利要求1所述的基盘加热系统，其特征在于，所述基盘(120)的承载面(121)上设有真空吸附槽(122)，所述真空吸附槽(122)的底部设有真空孔(123)，所述真空吸附槽(122)通过所述真空孔(123)与抽真空装置连通，所述真空吸附槽(122)用于将衬底晶片吸附固定在所述承载面(121)上。5.如权利要求4所述的基盘加热系统，其特征在于，所述真空吸附槽(122)包括多个呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳娟，尹艳超，谭华强，张佳琦，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：