偏压电路制造技术

一种偏压电路，包括电压供应单元、电流产生单元以及电流汲取单元。电压供应单元用于依据电源电压的变动来调整参考电压的准位，并据以输出参考电压。电流产生单元操作在电源电压下，并通过参考电压的驱动而据以产生稳定电流。电流汲取单元电连接电流产生单元，以配合电流产生单元的操作来汲取稳定电流。其中，偏压电路通过电源电压与参考电压之间的电压差来产生稳定电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种偏压电路，且特别涉及一种利用会随电源电压产生变动的参考电 压来抵消电源电压的变动的偏压电路。
技术介绍
图1为公知的一种偏压电路的电路架构图。参照图1，公知偏压电路100是将栅 极端相互耦接的两P型晶体管MP11 MP12与两N型晶体管丽11 丽12相互迭接，以形 成直流电压VB11与VB12。在此，来自电源电压VDD1的噪声会造成P型晶体管MP12的源 栅极电压VSG12的变动，进而导致公知偏压电路100不仅无法提供稳定的直流电压VB11与 VB12，也将致使公知偏压电路100所产生的偏压电流II随着电源电压VDD1的变动而产生 变化。一般来说，如图2所示，公知偏压电路200可通过增加晶体管的迭接级数，来降低 电源电压VDD2对直流电压VB21 VB24的影响。然而，随着晶体管的迭接级数的增加，往 往会造成公知偏压电路无法应用在较低的电源电压中。因为，较低的电源电压可能无法同 时驱动多个相互串接的晶体管。换而言之，如何在提升偏压电路的电源拒斥比(power supply reiection ratio, PSRR)的情况下，同时利用低电压工艺技术来加以实现，已是偏压电路在设计上所面临的一大课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种偏压电路，具有良好的电源拒斥比，并可利用低电压工艺技术来 加以实现。本专利技术提出一种偏压电路，包括电压供应单元、电流产生单元以及电流汲取单元。 电压供应单元用于依据电源电压的变动来调整参考电压的准位，并据以输出参考电压。电 流产生单元操作在电源电压下，并通过参考电压的驱动而据以产生稳定电流。电流汲取单 元电连接电流产生单元，以配合电流产生单元的操作来汲取稳定电流。其中，偏压电路通过 电源电压与参考电压之间的电压差来产生稳定电压。在本专利技术的一实施例中，上述的电压供应单元包括电阻以及第一 N型晶体管。其 中，电阻的第一端电连接至电源电压，且电阻的第二端用于产生参考电压。第一 N型晶体管 的漏极端电连接至电阻的第二端，其源极端电连接至接地电压，且其栅极端用于接收固定 电压。在本专利技术的一实施例中，上述的电流产生单元包括第一 P型晶体管与第二 P型晶 体管。其中，第一 P型晶体管与第二 P型晶体管的源极端电连接至电源电压，第一 P型晶体 管与第二 P型晶体管的栅极端彼此电连接。再者，第一 P型晶体管与第二 P型晶体管分别 在参考电压的驱动下，而各自通过其漏极端输出稳定电流。基于上述，本专利技术是通过电压供应单元来产生一个会随电源电压产生变动的参考4电压。另一方面，电流产生单元将可利用参考电压的驱动，来抵消掉电源电压对其所造成的 影响，进而产生一个不会随电源电压产生变动的稳定电流。相对地，本专利技术的偏压电路还通 过电源电压与参考电压之间的电压差来产生稳定电压。因此，与公知技术相比，本专利技术的偏 压电路除了具有良好的电源拒斥比，还可利用低电压工艺技术来加以实现。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并结合附图作详 细说明如下。附图说明图1为公知的一种偏压电路的电路架构图；图2为公知的另一种偏压电路的电路架构图；图3示出依据本专利技术实施例的偏压电路的电路架构图；图4示出了电流产生单元320的另一电路架构图；图5示出了电流汲取单元330的另一电路架构图。具体实施例方式图3示出依据本专利技术实施例的偏压电路的电路架构图。参照图3，偏压电路300包 括电压供应单元310、电流产生单元320以及电流汲取单元330。其中，电压供应单元310 电连接至电流产生单元320，且电流产生单元320电连接至电流汲取单元330。更进一步来看，电压供应单元310包括电阻R31以及第一 N型晶体管丽31。其中， 电阻R31的第一端电连接至电源电压VDD3，且其第二端用于产生参考电压VR3。第一 N型 晶体管MN31的漏极端电连接至电阻R31的第二端，其源极端电连接至接地电压，且其栅极 端用于接收来自于如低压差线性稳压器(Low drop-out linear regulator)或Bandgap电 路等稳压电路所提供的固定电压VB3。针对电压供应单元310的具体操作来看。由于固定电压VB3是一个稳定的直流 电压，所以第一 N型晶体管丽31会在固定电压VB3的驱动下，而产生一个不会随电源电压 VDD3的变动而产生变动的预设电流131。相对地，随着预设电流131流经电阻R31所产生 的电压差AV31，也将不会随电源电压VDD3的变动而产生变动。且知，电压供应单元310所产生的参考电压VR3可表示成如式(1)所示VR3 = VDD3-AV31式(1)因此，在电压差AV31不会随着电源电压VDD3的变动而产生变动的情况下，影响 参考电压VR3的变动因子将是由电源电压VDD3所决定。换而言之，在实际操作上，电压供 应单元310是会依据电源电压VDD3的变动来调整参考电压VR3的准位，并据以输出参考电 压VR3至电流产生单元320。针对电流产生单元320的内部构件来看，其包括第一 P型晶体管MP31以及第二 P 型晶体管MP32。其中，第一 P型晶体管MP31的源极端电连接至电源电压VDD3，其栅极端电 连接至第二 P型晶体管MP32的栅极端，且其漏极端电连接至电流汲取单元330。第二 P型 晶体管MP32的源极端电连接至电源电压VDD3，且其漏极端电连接至电流汲取单元330。在整体操作上，第一 P型晶体管MP31与第二 P型晶体管MP32会受到参考电压VR3 的驱动，而各自通过其漏极端输出稳定电流132。值得注意的是，第一 P型晶体管MP31与第5二 P型晶体管MP32在参考电压VR3的驱动下，其源栅极电压VSG31，也就是电源电压VDD3 与参考电压VR3之间的电压差AV32，将可表示成如式(2)所示VSG31 = AV32 = VDD3-VR3 式(2)在此，由于参考电压VR3的准位会随着电源电压VDD3产生变动，因此电源电压 VDD3对源栅极电压VSG31所引发的变动量，将可以被参考电压VR3所抵消。换而言之，操作在电源电压VDD3下的电流产生单元320，将可以在参考电压VR3的 驱动下而据以产生不受电源电压VDD3所影响的稳定电流132。相对地，偏压电路300也可 通过源栅极电压VSG31，也就是电源电压VDD3与参考电压VR3之间的电压差A V32，来产生 稳定电压。另一方面，如图3所示，电流汲取单元330包括第二 N型晶体管丽32与第三N型 晶体管丽33。其中，第二 N型晶体管丽32的漏极端电连接至第一 P型晶体管MP31的漏极 端，其栅极端电连接至第三N型晶体管MN33的栅极端，且其源极端电连接至接地电压。第 三N型晶体管丽33的漏极端电连接至第二 P型晶体管MP32的漏极端，且其源极端电连接 至接地电压。在此，第二 N型晶体管丽32与第三N型晶体管丽33会分别接收来自第一 P 型晶体管MP31与第二 P型晶体管MP32的稳定电流132。换而言之，电流汲取单元330主要 是配合电流产生单元320的操作来汲取稳定电流132。值得一提的是，图3实施例是采用栅极端相互电连接的两晶体管来分别构成电流 产生单元320与电流汲取单元330，也就是说，图3实施例是分别采用单一级的迭接晶体管 来形成电流产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏压电路，包括：电压供应单元，依据电源电压的变动来调整参考电压的准位，并据以输出所述参考电压；电流产生单元，操作在所述电源电压下，并通过所述参考电压的驱动而据以产生稳定电流；以及电流汲取单元，电连接所述电流产生单元，以配合所述电流产生单元的操作来汲取所述稳定电流，其中，所述偏压电路通过所述电源电压与所述参考电压之间的电压差来产生稳定电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志豪，黄国展，
申请(专利权)人：承景科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]