【技术实现步骤摘要】
芯片测试方法和系统
[0001]本专利技术涉及芯片测试
,尤其是指一种芯片测试方法和系统。
技术介绍
[0002]计算类芯片由于制程的差异,会导致不同晶圆封装厂不同制程生产出来的芯片在性能上的表现存在差异,甚至同一个晶圆封装厂由于批次不同都会存在明显的差异,这就要求芯片测试机可以对芯片性能进行等级划分,而芯片等级的划分,通常是以芯片能够运行的最高频率为依据的。而这类芯片能够运行的最高主频通常跟芯片的温度有很大关系。
[0003]实际上,这类芯片常常会由于提供高速的数学计算的功能,功耗相对比较大,在测试过程中会产生大量热量,且由于普通测试机通常不具备恒温的功能而导致热量无法及时消散,进而造成芯片在测试过程中温度上升。因此环境温度的不同和测试过程中温度的上升,均会造成芯片性能的变化,从而影响了测试结果的准确性和一致性。
[0004]目前,为了解决这个问题,通常的做法是采用可以进行控温的测试机台,通过使用降温装置让芯片在测试过程中尽可能的处在恒温状态,但是这种解决方案的缺点是成本较高,需要额外的恒温系统,而且 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法,其特征在于:包括:提供一基准频率,基于所述基准频率构建一加权频率差值模型;根据芯片测试的工作温度和工作电压,通过所述加权频率差值模型计算加权频率差值,并根据所述加权频率差值划分芯片等级,其中所述工作温度为实测温度经过温度补偿后得到的温度值。2.根据权利要求1所述的一种芯片测试方法,其特征在于:基于所述基准频率构建一加权频率差值模型,包括:根据工作电压、工作温度和基准频率构建加权频率差值模型为:ΔF=m*V/T
work
+c
‑
F
base
式中,ΔF表示加权频率差值,V表示工作电压,T
work
表示工作温度,F
base
表示基准频率,m表示增益,c表示偏置。3.根据权利要求2所述的一种芯片测试方法,其特征在于:在构建所述加权频率差值模型时,其中所述工作温度为实测温度经过温度补偿后得到的温度值,所述温度补偿公式为:T
work
=T0+β*ΔT”式中,T
work
表示工作温度,T0表示基准温度,ΔT表示温升,β表示温升对补偿频率频率的影响系数。4.根据权利要求2或3所述的一种芯片测试方法,其特征在于:在构建所述加权频率差值模型后,使用恒温系统测试多组芯片,求解得到多组候选的增益和偏置,根据多组候选的增益和偏置确定所述加权频率差值模型的增益和偏置。5.根据权利要求4所述的一种芯片测试方法,其特征在于:求解得到多组候选的增益和偏置,包括:将每个预设的工作电压和工作温度代入公式ΔF+F
base
=m*V/T
work
+c,得到多组关于增益和偏置的方程式;联立每组方程式,计算每组方程式的解,得到多组候选的增益和偏置。6.根据权利要求5所述的一种芯片测试方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜宇,
申请(专利权)人:胜达克半导体科技上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。