【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，尤其是指一种基于ate测试机的内部电阻校准方法。
技术介绍
1、半导体封测厂作为芯片制程封装测试环节的代工方，通常需要对被测器件的良率负责，电阻作为被测器件的一重要电学性能，也成为了测试环节考察良率不可或缺的一部分，故在测试过程中能高效且精确的测量被测器件的电阻显得尤为重要。但在测量过程中，由于集成电路自动测试机内部和电缆所构成的测试通道上存在一定内阻，在涉及测量阻值较小的被测器件时会产生较大的误差，因此需要设计一种校准测试机内部电阻的方法用于满足目前的现实需求。
技术实现思路
1、为此，本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中不足，提供一种基于ate测试机的内部电阻校准方法，对测试通道上存在的内阻值进行测量并计算求出，然后对被测器件进行电阻测量时，将测量计算所得电阻总值减去对应测量通道的内阻值，即得到被测器件的电阻值，实现电阻校准。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于ate测试机的内部电阻校准方法，所述校准方法包括：
3、s1、将ate测试机n条测试通道全部进行短接；
4、s2、获取各测试通道的内阻值并存储，所述内阻值包括测试通道接地开关处存在的导通电阻测试通道和被测器件连接所用线缆的电阻；
5、s3、将被测器件的两端分别接于测试机的其中两个测试通道上，测量并计算得到被测器件的电阻和测试通道内阻的总阻值r总；
6、s4、将被测器件进行电阻测量所得的电阻总值减去对应测试通道的内
7、其中，步骤s2中，获取测试通道的内阻值的具体方法如下：
8、s21、并对测试通道与被测器件连接所用的线缆存在的电阻进行标记，记为r1-rn；
9、s22、对将测试通道的接地开关处存在导通电阻进行标记，记为rg1-rgn；
10、s23、将上述所有测试通道channel 1-channel n逐一单独作为校准测试通道，依次闭合对应校准测试通道的接地开关s1-sn，通过驱动模块的pmu芯片对校准测试通道输送电流i1-in，测量校准测试通道的电压u1-un，然后利用电压电流的关系求得测试通道的导通电阻rg1-rgn；
11、s24、将测试通道channel 2上的接地开关s2闭合，在驱动模块中选择对应的pmu芯片以及对应开关阵列，实现对测试通道channel 1输送电流i2，测量测试通道一channel 1的电压u2，计算得到r1+r2+rg2＝u2/i2,通过步骤s23中获得的rg2的阻值，求得r1+r2的阻值记为x；
12、s25、将测试通道channel 3上的接地开关s3闭合，在驱动模块中选择对应的pmu芯片以及对应开关阵列，实现对测试通道channel 1输送电流i3，测量测试通道channel 1的电压u3，计算得到r1+r3+rg3＝u3/i3，通过步骤s23中获得的rg3的阻值，求得r1+r3的阻值计为y；
13、s26、将测试通道channel 3上的接地开关s4闭合，在驱动模块中选择对应的pmu芯片以及对应开关阵列，实现对测试通道channel 2输送电流i4，测量测试通道channel 2的电压u4，计算得到r2+r3+rg3＝u4/i4，通过步骤s23中获得的rg3的阻值，求得r2+r3的阻值记为z；
14、s27、通过对(r1+r2)＝x；(r1+r3)＝y；(r2+r3)＝z计算推导得到r1＝(x+y-z)/2；
15、s28、以此类推得到r2-rn的电阻。
16、在本专利技术的一个实施例中，步骤s3中对被测器件进行电阻测量所得的电阻总值进行测量的具体方法如下：将连接被测器件的其中一个测试通道接地，另一个测试通道利用驱动模块的多通道pmu芯片输入电流，测量输入电流的测试通道的电压，利用电压电流的关系，计算得到测量的电阻总值。
17、在本专利技术的一个实施例中，所述ate测试机，包括：
18、主控背板和若干板卡，主控背板上设有多个插卡槽，所述板卡与插卡槽一一插接，每块所述板卡包括一个驱动模块和多个开关阵列模块；每个所述开关阵列模块两套多路复用器和若干独立控制的单刀单掷模拟开关，其中一套多路复用器的复用端连接参数测量单元通道的force信号，另一套多路复用器的复用端连接参数测量单元通道的sense信号；两套多路复用器的多路端按照顺序彼此两两相连后共同连接至对应的测试通道，所述单刀单掷模拟开关的一端分别连接个测试通道，另一端全部接地。
19、在本专利技术的一个实施例中，所述插卡槽的数量为8个，所述板卡的数量为8个。
20、在本专利技术的一个实施例中，所述驱动模块包括多通道pmu芯片和多通道adc芯片，所述多通道pmu芯片和多通道adc芯片配合形成多个参数测量单元。
21、在本专利技术的一个实施例中，所述参数测量单元可实现恒压输出、恒流输出、电压测量和电流测量。
22、在本专利技术的一个实施例中，所述开关阵列模块包括4个，每个开关阵列模块设有64个测试通道。
23、在本专利技术的一个实施例中，所述开关阵列模块上使用gpio扩展芯片来连接所述多路复用器和单刀单掷模拟开关的控制信号，每个开关阵列模块的控制端通过一组iic接口总线来控制gpio扩展芯片。
24、在本专利技术的一个实施例中，所述多路复用器为1：64多路复用器，所述单刀单掷模拟开关包括64个，64个独立控制的单刀单掷模拟开关的一端分别连接64个测试通道，另一端全部接地。
25、在本专利技术的一个实施例中，两个所述多路复用器可以独立控制，亦可实现配对使用。
26、本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
27、本专利技术所述的一种基于ate测试机的内部电阻校准方法，能够对集成电路自动测试机内部和电缆所构成的测试通道上存在的内阻值进行测量并计算求出，然后对被测器件进行电阻测量时，将测量计算所得电阻总值减去对应测量通道的内阻值，即得到被测器件的电阻值，实现电阻校准。
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1.一种基于ATE测试机的内部电阻校准方法，其特征在于：所述校准方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：步骤S3中对被测器件进行电阻测量所得的电阻总值进行测量的具体方法如下：将连接被测器件的其中一个测试通道接地，另一个测试通道利用驱动模块的多通道PMU芯片输入电流，测量输入电流的测试通道的电压，利用电压电流的关系，计算得到测量的电阻总值。
3.根据权利要求1所述基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述ATE测试机包括：主控背板和若干板卡，主控背板上设有多个插卡槽，所述板卡与插卡槽一一插接，每块所述板卡包括一个驱动模块和多个开关阵列模块；每个所述开关阵列模块两套多路复用器和若干独立控制的单刀单掷模拟开关，其中一套多路复用器的复用端连接参数测量单元通道的Force信号，另一套多路复用器的复用端连接参数测量单元通道的Sense信号；两套多路复用器的多路端按照顺序彼此两两相连后共同连接至对应的测试通道，所述单刀单掷模拟开关的一端分别连接个测试通道，另一端全部接地。
4.根据权利要求3所述的基于ATE测
5.根据权利要求3所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述驱动模块包括多通道PMU芯片和多通道ADC芯片，所述多通道PMU芯片和多通道ADC芯片配合形成多个参数测量单元。
6.根据权利要求5所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述参数测量单元可实现恒压输出、恒流输出、电压测量和电流测量。
7.根据权利要求3所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述开关阵列模块包括4个，每个开关阵列模块设有64个测试通道。
8.根据权利要求7所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述开关阵列模块上使用GPIO扩展芯片来连接所述多路复用器和单刀单掷模拟开关的控制信号，每个开关阵列模块的控制端通过一组IIC接口总线来控制GPIO扩展芯片。
9.根据权利要求3所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述多路复用器为1：64多路复用器，所述单刀单掷模拟开关包括64个，64个独立控制的单刀单掷模拟开关的一端分别连接64个测试通道，另一端全部接地。
10.根据权利要求9所述的基于ATE测试机内部电阻校准方法，其特征在于：两个所述多路复用器独立控制或配对使用。
...【技术特征摘要】
1.一种基于ate测试机的内部电阻校准方法，其特征在于：所述校准方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于ate测试机内部电阻校准方法，其特征在于：步骤s3中对被测器件进行电阻测量所得的电阻总值进行测量的具体方法如下：将连接被测器件的其中一个测试通道接地，另一个测试通道利用驱动模块的多通道pmu芯片输入电流，测量输入电流的测试通道的电压，利用电压电流的关系，计算得到测量的电阻总值。
3.根据权利要求1所述基于ate测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述ate测试机包括：主控背板和若干板卡，主控背板上设有多个插卡槽，所述板卡与插卡槽一一插接，每块所述板卡包括一个驱动模块和多个开关阵列模块；每个所述开关阵列模块两套多路复用器和若干独立控制的单刀单掷模拟开关，其中一套多路复用器的复用端连接参数测量单元通道的force信号，另一套多路复用器的复用端连接参数测量单元通道的sense信号；两套多路复用器的多路端按照顺序彼此两两相连后共同连接至对应的测试通道，所述单刀单掷模拟开关的一端分别连接个测试通道，另一端全部接地。
4.根据权利要求3所述的基于ate测试机内部电阻校准方法，其特征在于：所述插卡槽的数量为8个，所述板卡的数量为8个。
...【专利技术属性】
技术研发人员：徐润生，倪佳杰，
申请(专利权)人：胜达克半导体科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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