高频功率放大器制造技术

技术编号:3889236 阅读:179 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的高频功率放大器具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管以及向第1晶体管提供偏置电流的偏置电路。偏置电路包括:集电极端子连接于第1电源的第2晶体管;一端连接在第2晶体管的发射极端子上,另一端连接在第1晶体管的基极端子上的第1电阻元件;一端连接在第2晶体管的发射极端子上,另一端接地的第2电阻元件;设置于第2晶体管的基极端子与第2电源之间的一个以上的第3电阻元件;以及连接在第2晶体管的基极端子上,控制第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降的多个温度补偿电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高频功率放大器,其特征在于,具备 对高频信号进行功率放大的第1晶体管,以及 向所述第1晶体管提供偏置电流的偏置电路, 所述偏置电路包括: 集电极端子连接于第1电源的第2晶体管; 第1电阻元件,其一端连接在所 述第2晶体管的发射极端子上,另一端连接在所述第1晶体管的基极端子上; 第2电阻元件,其一端连接在所述第2晶体管的发射极端子上,另一端接地; 一个以上的第3电阻元件,设置于所述第2晶体管的基极端子与第2电源之间;以及 多个温 度补偿电路,连接在所述第2晶体管的基极端子上,控制所述第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:松田慎吾牧原弘和立冈一树稻森正彦
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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