高频功率放大器制造技术

本发明专利技术提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：ＦＥＴ元件（１２），具有多个单位ＦＥＴ（３０），该单位ＦＥＴ（３０）用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘（３０ａ）、接地的源极焊盘（３０ｂ）和输出信号的漏极焊盘（３０ｃ）；以及高频处理电路（１４），配设有多个旁路连接在单位ＦＥＴ（３０）的栅极焊盘（３０ａ）与接地端之间的串联谐振电路（３２），其中，串联谐振电路（３２）中的二个具有：作为在ＦＥＴ元件（１２）的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高频功率放大器，特别是涉及用于移动体通信、卫星通信用等的例如数MHz至数百GHz的微米波段、亳米波段的通信设 备中的高频功率放大器。
技术介绍
近年来，要求在微米波段、毫米波段中所使用的通信设备是更加 小型且高输出的设备。除此之外，对所传播的信号品质的要求也提高 了，与此相伴，要求有失真少、高效率的高频功率放大器。特别是在使用多载波信号或近年的CDMA方式等的调制波信号的 微波通信系统中，为了避免因进行信号放大的放大器的非线性而产生 的失真的影响，要使放大器在远低于最大功率的输出电平下工作来使 用。在移动体通信、卫星通信用地面站所使用的高输出功率放大器 中，为了对大功率进行放大，必须使用栅极宽度大的晶体管元件，将 许多栅极指形的晶体管并联连接加以合成，构成栅极宽度大的晶体管 元件。在这样的将许多栅极指形的晶体管并联连接以构成栅极宽度大 的晶体管元件的情况下，晶体管元件的输入输出阻抗必然降低，在该 晶体管元件的工作频率中，用于与该晶体管元件进行阻抗匹配的匹配 电路负载也大幅度降低。众所周知，在高频放大器中，如果将输入侧的二次谐波设为接近 于短路的负载条件，则其将以高效率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频功率放大器，其特征在于，具备：晶体管元件，在第１半导体衬底上配置有多个单位晶体管，该单位晶体管用并联连接的多个多指形的晶体管形成，并具有输入输入信号的控制端子、连接在恒定电位端上的第１端子、以及输出输出信号的第２端子；高频处理电路，在第２半导体衬底上配置有多个第１串联谐振电路，该第１串联谐振电路旁路连接在该晶体管元件的上述单位晶体管的控制端子与上述恒定电位端之间；第１连接布线，将上述晶体管元件的多个控制端子相互连接起来；第２连接布线，将上述晶体管元件的多个第２端子相互连接起来；输入匹配电路，连接于上述第１连接布线上；以及输出匹配电路，连接于上述第２连接布线上，上述第１串联谐振电路中的二...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：后藤清毅，井上晃，国井彻郎，大植利和，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]