一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法技术

本发明专利技术涉及电子器件技术领域，且公开了一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，包括以下步骤：S1、在外延片表面生长一层多晶硅；S2、涂胶光刻，形成图形；S3、刻蚀多晶硅，去除光刻胶；S4、重新涂胶光刻，控制光刻胶形貌及厚度；S5、各向同性刻蚀，将光刻胶刻蚀干净；本发明专利技术中，通过改进光刻胶处理工艺，改进刻蚀工艺，将多晶硅栅的顶角圆润化，从而避免电场集中问题，提高器件可靠性，另外，该方法亦可用在其它需要顶角圆润化处理的材料上。刻蚀方法相对简单，仅需增加一步光刻；将顶角变为圆角；为隔离层氧化膜的进一步减薄提供保障。氧化膜的进一步减薄提供保障。氧化膜的进一步减薄提供保障。

【技术实现步骤摘要】
一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法


[0001]本专利技术涉及电子器件
，更具体的公开了一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法。

技术介绍

[0002]MOSFET器件在集成电路及分立器件中具有广大的应用市场。当前在集成电路领域，MOSFET已经采取HK+金属栅结构，但是在分立器件中，依旧采用多晶硅作为栅极材料。
[0003]如图1
‑
2所示，图中G极为多晶硅。在器件工作时，需要在多晶硅栅极施加正向电压，由于栅极与源极中间用氧化层隔离，所以存在电势差，而氧化层中的电场会在多晶硅栅尖角处集中。电场集中将会导致氧化层容易被击穿，降低器件的可靠性。为避免电场集中，改善器件可靠性，需将多晶硅顶角进行圆润化处理。
[0004]因此设计一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术主要解决的技术问题是提供一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，能够解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，更具体的说是一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，包括以下步骤：
[0007]S1、在外延片表面生长一层多晶硅，如图3所示；
[0008]S2、涂胶光刻，形成图形，如图4所示；
[0009]S3、刻蚀多晶硅，去除光刻胶，如图5所示；
[0010]S4、重新涂胶光刻，控制光刻胶形貌及厚度，如图6所示；
[0011]S5、各向同性刻蚀，将光刻胶刻蚀干净，刻蚀后如图7所示。
[0012]本专利技术一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法的有益效果为：
[0013]本专利技术中，通过改进光刻胶处理工艺，改进刻蚀工艺，将多晶硅栅的顶角圆润化，从而避免电场集中问题，提高器件可靠性。另外，该方法亦可用在其它需要顶角圆润化处理的材料上。
[0014]本专利技术中，刻蚀方法相对简单，仅需增加一步光刻；将顶角变为圆角；为隔离层氧化膜的进一步减薄提供保障。
附图说明
[0015]下面结合附图和具体实施方法对本专利技术做进一步详细的说明。
[0016]图1为现有技术结构示意图；
[0017]图2为现有技术结构示意图；
[0018]图3为一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法的S1结构示意图；
[0019]图4为一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法的S2结构示意图；
[0020]图5为一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法的S3结构示意图；
[0021]图6为一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法的S4结构示意图；
[0022]图7为一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法的S5结构示意图。
具体实施方式
[0023]下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0024]根据附图3
‑
7，提供了一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，包括以下步骤：
[0025]S1、在外延片表面生长一层多晶硅，如图3所示；
[0026]S2、涂胶光刻，形成图形，如图4所示；
[0027]S3、刻蚀多晶硅，去除光刻胶，如图5所示；
[0028]S4、重新涂胶光刻，控制光刻胶形貌及厚度，如图6所示；
[0029]S5、各向同性刻蚀，将光刻胶刻蚀干净，刻蚀后如图7所示。
[0030]本装置的工作原理是：
[0031]S1、在外延片表面生长一层多晶硅；
[0032]S2、涂胶光刻，形成图形；
[0033]S3、刻蚀多晶硅，去除光刻胶；
[0034]S4、重新涂胶光刻，控制光刻胶形貌及厚度；
[0035]S5、各向同性刻蚀，将光刻胶刻蚀干净。
[0036]其中本文中出现的电器元件均文现实中存在的电器元件。
[0037]当然，上述说明并非对本专利技术的限制，本专利技术也不仅限于上述举例，本
的普通技术人员在本专利技术的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在外延片表面生长一层多晶硅；S2、涂胶光刻，形成图形；...

【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，钱奇源，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：